537.622:539.216.2 Ф 339 Федосюк, В. М. Барьер Шотки в структурах электроосажденного кобальта на арсениде галлия [Текст] / В. М. Федосюк, В. Шварцатер, О. И. Касютич // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N5. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- барьер Шотки -- кобальт -- магнитная микроэлектроника -- метод электролитического осаждения -- полупроводники -- полупроводниковые подложки -- серные электролиты -- структуры металл/полупроводник -- сульфаминовокислые электролиты -- электролиты -- электроосаждение кобальта Аннотация: Впервые методом электролитического осаждения Со на подложках монокристаллического GaAs сформированы структуры типа металл/полупроводник, исследованы их структура и контактные свойства. Доп.точки доступа: Шварцатер, В.; Касютич, О.И. |
53 П 635 Постников, А. В. Автоматизированный лазерный термометр для исследования плазменных процессов микротехнологии [Текст] / А. В. Постников, И. Н. Косолапов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 2. - С. 173-176. - Библиогр.: с. 176 (7 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): термометры -- лазерные термометры -- автоматизированные термометры -- микротехнологии -- микроструктуры -- полупроводниковые подложки -- плазменные процессы -- осаждение пленок Аннотация: Обсуждаются устройство и характеристики автоматизированного измерителя температуры диэлектрических и полупроводниковых подложек в установках осаждения пленок и травления микроструктур. Доп.точки доступа: Косолапов, И. Н.; Куприянов, А. Н.; Амиров, И. И.; Магунов, А. Н. |
Oптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / П. В. Волков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 5-10
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): низкокогерентная тандемная интерферометрия -- полупроводниковые подложки -- газофазная эпитаксия -- оптический коррелометр -- арсенид галлия -- кремний -- сапфировые подложки Аннотация: Впервые продемонстрированы возможности низкокогерентной тандемной интерферометрии для оптического мониторинга температуры полупроводниковой подложки и толщины наращиваемого слоя в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии. Абсолютная точность измерений температуры подложек Si, GaAs и сапфира в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии ограничена точностью калибровки и составляет плюс минус 1градусов С. Погрешность измерения толщины наращиваемого слоя - 2 нм. Доп.точки доступа: Волков, П. В.; Горюнов, А. В.; Данильцев, В. М.; Лукьянов, А. Ю.; Пряхин, Д. А.; Тертышник, А. Д.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
538.9 И 395 Изучение гетероструктуры SiO[2](Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения [Текст] / Н. А. Григорьева [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 11. - С. 847-853
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- поверхностное рассеяние синхротронного излучения -- синхротронное излучение -- гигантское инжекционное магнитосопротивление -- гранулированные пленки -- полупроводниковые подложки -- наночастицы Аннотация: Гигантский инжекционный магниторезистивный эффект наблюдается в гранулированной Co/SiO[2] пленке на полупроводниковой GaAs подложке в узком интервале температур вблизи T=300 K. Согласно существующей теории природа эффекта связана со структурой и физическими свойствами интерфейсного слоя. Методами рефлектометрии и малоуглового рассеяния синхротронного излучения в скользящей геометрии изучено пространственное распределение наночастиц кобальта в объеме гранулированной пленки Co/SiO[2] и на границе раздела гранулированная пленка/полупроводниковая подложка (ГП/ПП). Доп.точки доступа: Григорьева, Н. А.; Воробьев, А. А.; Уклеев, В. А.; Дядькина, Е. А.; Луцев, Л. В.; Стогний, А. И.; Новицкий, Н. Н.; Григорьев, С. В. |
539.2 А 746 Аньчков, Д. Г. Влияние адсорбции на поверхностную подвижность носителей тока в полупроводниковой подложке [Текст] / Д. Г. Аньчков, авт. С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 4. - С. 820-823. - Библиогр.: с. 823 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модель Шриффера -- Шриффера модель -- адсорбция -- носители -- полупроводниковые подложки -- подложки Аннотация: В рамках модели Шриффера изучено влияние адсорбции на подвижность носителей в приповерхностной области полупроводниковой подложки. Определена зависимость поверхностной подвижности носителей от концентрации адатомов. В качестве конкретных систем рассмотрены газы, адсорбированные на поверхности полупроводниковых оксидов. Предложены эмпирические оценки поверхностной подвижности, основанные на модификации объемных механизмов рассеяния. Доп.точки доступа: Давыдов, С. Ю. |
539.2 А 501 Алисултанов, З. З. О перенормировке скорости Ферми в эпитаксиальном графене / З. З. Алисултанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 13. - С. 32-39 : ил. - Библиогр.: с. 38-39 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные структуры -- скорость Ферми -- Ферми скорость -- перенормировки скорости -- металлические подложки -- полупроводники -- полупроводниковые подложки Аннотация: В рамках простой модели рассмотрено явление перенормировки скорости Ферми в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности полупроводниковой и металлической подложек. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/13/p32-39.pdf |
535.2/.3 М 219 Маляр, И. В. Влияние освещения на параметры полимерного покрытия, осаждаемого из раствора на полупроводниковую подложку / И. В. Маляр, S. Santer, С. В. Стецюра // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 14. - С. 69-76 : ил. - Библиогр.: с. 75-76 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полимерные покрытия -- влияние освещения -- поликатионные молекулы -- полиэтилен -- полупроводниковые подложки -- полиэтиленимин -- шероховатости -- интегральная толщина -- органические покрытия -- электронная проводимость Аннотация: Обнаружено и исследовано влияние освещения на толщину и шероховатость монослоев из поликатионных молекул полиэтиленимина, осаждаемых из раствора на кремниевые подложки. Освещение с длиной волны из области собственного поглощения подложки во время адсорбции полиэтиленимина приводило одновременно к снижению шероховатости и интегральной толщины органического покрытия на кремниевых подложках с электронным и дырочным типами проводимости. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/14/p69-76.pdf Доп.точки доступа: Santer, S.; Стецюра, С. В. |
536.22/.23 А 501 Алисултанов, З. З. Статическая проводимость электронного газа в эпитаксиальном графене / З. З. Алисултанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 17. - С. 8-16 : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (21 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): электронные газы -- статическая проводимость -- эпитаксиальный графен -- металлические подложки -- полупроводниковые подложки -- графен -- атомы углерода Аннотация: В рамках простой модели рассмотрена статическая проводимость эпитаксиального графена, сформированного на металлической и полупроводниковой подложках. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/17/p8-16.pdf |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Об условиях возникновения щели, наводимой полупроводниковой подложкой в плотности состояний эпитаксиального графена / С. Ю. Давыдов // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 4. - С. 155-158. - Библиогр.: c. 158 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графен -- эпитаксиальный графен -- плотность состояний -- щели -- параболические электронные спектры -- полупроводниковые подложки Аннотация: Для описания плотности состояний полупроводниковой подложки использована модель, отвечающая параболическому электронному спектру. В аналитической форме получены критерии возникновения щели/щелей в плотности состояний эпитаксиального графена и ее/их характеристики (ширина, расположение по отношению к запрещенной зоне подложки). Предложен способ экспериментальной проверки полученных результатов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/04/p155-158.pdf Доп.точки доступа: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН |
539.21:537 А 501 Алисултанов, З. З. Термодинамика электронов в эпитаксиальном графене / З. З. Алисултанов, Н. А. Мирзегасанова // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 4. - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): термодинамика -- электроны -- эпитаксиальный графен -- модель Давыдова -- Давыдова модель -- химический потенциал -- теплоемкость -- магнитная восприимчивость -- полупроводниковые подложки -- температурные интервалы Аннотация: В рамках модели Давыдова исследованы химический потенциал, теплоемкость и магнитная восприимчивость эпитаксиального графена, сформированного на полупроводниковой подложке. Рассмотрены предельные случаи высоких и низких температур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/04/p49-55.pdf Доп.точки доступа: Мирзегасанова, Н. А. |