539.2 П 535 Полуэктов, Ю. М. Электронный газ в модели Хартри-Фока с учетом экранирования [Текст] / Ю. М. Полуэктов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 12. - Библиогр.: с. 20 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовая механика -- модель Хартри-Фока -- Хартри-Фока модель -- экранирование -- дисперсия квазичастицы -- метод Хартри-Фока -- Хартри-Фока метод -- электронные газы Аннотация: Получено точное выражение для закона дисперсии квазичастицы и полной энергии в модели Хартри-Фока в случае экранированного кулоновского взаимодействия. Показано, что при учете экранирования плотность состояний и эффективная масса на уровне Ферми имеют конечное, отличное от нуля значение. |
544.55 Р 936 Рыбкин, В. В. Кинетические характеристики и сечения взаимодействия электронов с молекулами воды [Текст] / В. В. Рыбкин, И. В. Холодков, В. А. Титов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып. 3. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 10 (44 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Химия плазмы Кл.слова (ненормированные): молекулы воды -- молекулы-электроны -- сечения столкновений -- неравновесные плазмы -- плазмохимия -- электронные газы -- взаимодействие элементов -- кинетические характеристики -- плазмохимические процессы Аннотация: Приводится анализ данных литературы по сечениям упругих и неупругих столкновений электронов с молекулами воды в системах плазма-раствор. Предложен набор сечений взаимодействия электронов с молекулой воды. Доп.точки доступа: Холодков, И. В.; Титов, В. А. |
533.9 Д 792 Дубинов, А. Е. Нелинейные изотермические волны в вырожденной электронной плазме [Текст] / А. Е. Дубинов, авт. А. А. Дубинова // Физика плазмы. - 2008. - Т. 34, N 5. - С. 442-452. - Библиогр.: с. 451-452 (34 назв. ) . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазма -- изотермические волны -- электронная плазма -- колебания химических потенциалов -- электронные газы -- нелинейные явления -- дифференциальные уравнения -- нелинейные дифференциальные уравнения Аннотация: Получено, исследовано и точно решено нелинейное дифференциальное уравнение, описывающее колебания химического потенциала в стационарной одномерной волне, распространяющейся в вырожденном электронном газе на неподвижном нейтрализующем фоне. Доп.точки доступа: Дубинова, А. А. |
Сова, А. Квантовое запутывание в составных системах [Текст] / А. Сова // Теоретическая и математическая физика. - 2009. - Т. 159, N 2. - С. 283-298 : 1 рис. - Библиогр.: с. 298 (10 назв. ) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика Теоретическая физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): составные системы -- квантовое затухание -- эффекты Холла -- Холла эффекты -- мезоскопические квантовые явления -- гамильтоновая динамика -- электронные газы Аннотация: Рассматривается некоторый класс моделей мезоскопических квантовых явлений; эти модели возникают из сопоставления гамильтоновой динамики определенного типа и запутанных состояний составных систем. |
Бондаренко, В. Б. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси [Текст] / В. Б. Бондаренко, С. Н. Давыдов, А. В. Филимонов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 44-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- легированные полупроводники -- поверхности полупроводников -- естественные неоднородности потенциала -- равновесное распределение примеси -- диффузионное распределение -- электроактивные примеси -- пространственные заряды -- случайные потенциалы -- электронные газы -- параметры поверхности -- параметры объема -- неоднородности Аннотация: Обсуждаются естественные неоднородности потенциала на поверхности легированного полупроводника при формировании равновесного диффузионного распределения электроактивной примеси в слоях пространственного заряда. Определены характерные значения случайного потенциала в случае невырожденного поверхностного электронного газа. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности и объема. Доп.точки доступа: Давыдов, С. Н.; Филимонов, А. В. |
Кузнецова, И. А. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда на высокочастотную проводимость тонкой цилиндрической полупроводниковой проволоки [Текст] / И. А. Кузнецова, Р. Р. Хадчукаев, А. А. Юшканов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 2022-2027. - Библиогр.: с. 2027 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронные газы -- расчеты проводимоти -- проводимость тока -- кинетические уравнения -- поверхностные рассеяния носителей заряда -- полупроводниковые проволоки -- проволоки -- высокочастотные проводимости Аннотация: Кинетическим методом решена задача о высокочастотной проводимости тонкой цилиндрической полупроводниковой проволоки. Рассмотрен диффузно-зеркальный механизм отражения носителей заряда от внутренней поверхности проволоки. Расчеты проведены для невырожденного полупроводника n-типа (p-типа) проводимости со стандартной сферически-симметричной энергетической зоной. Соотношение между радиусом поперечного сечения проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным. Доп.точки доступа: Хадчукаев, Р. Р.; Юшканов, А. А. |
537 Д 820 Думачев, В. Н. О локализованных состояниях электронов на границах раздела сегнетоэлектриков [Текст] / В. Н. Думачев, авт. В. Н. Нечаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - Т. 68, N 7. - С. 1029-1031. - Библиогр.: с. 1031 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): газы -- двумерные газы -- диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость -- когерентные границы кристаллов -- кристаллы -- поляроны -- электронные газы -- электроны Аннотация: Решается задача о захвате электрона двойниковой границей кристалла. Доп.точки доступа: Нечаев, В. Н. |
621.375 Т 654 Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала [Текст] / В. И. Борисов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 3. - С. 85-92 : ил. - Библиогр.: с. 92 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторные структуры -- гетероструктуры -- GaAs/AlGaAs -- потенциальные рельефы -- управляемые потенциальные рельефы -- квантовые каналы -- одномерные квантовые каналы -- газы -- электронные газы -- двумерные электронные газы -- анодное окисление -- локальное анодное окисление -- метод локального анодного окисления -- микроскопы -- зондовые микроскопы -- сканирующие зондовые микроскопы -- боковые затворы -- трехсекционные боковые затворы -- измеренные зависимости -- кондактанс канала Аннотация: На основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом методом локального анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа созданы структуры с одномерным проводящим каналом и трехсекционными боковыми управляющими затворами. Показано, что затворы позволяют управлять продольным потенциальным профилем канала. На измеренных зависимостях кондактанса канала от напряжений на затворах наблюдались плато, в том числе не кратные 2e{2}/h, и максимумы, положение и вид которых определяются соотношением потенциалов на затворах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/03/p85-92.pdf Доп.точки доступа: Борисов, В. И.; Лапин, В. Г.; Сизов, В. Е.; Темирязев, А. Г. |
538.958 Ш 796 Шорохов, А. В. Влияние рассеяния на примесях на поглощение электромагнитного излучения анизотропными квантовыми точками [Текст] / А. В. Шорохов, авт. В. А. Маргулис // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 978-980. - Библиогр.: c. 980 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гибридно-примесные резонансы -- ионизованные примеси -- квантовые точки -- коэффициенты поглощения -- оптические переходы -- рассеяние -- резонансное поглощение -- резонансные пики -- электромагнитное излучение -- электронные газы Аннотация: Исследовано поглощение электромагнитного излучения квантовыми точками с учетом процессов, связанных с одновременным рассеянием на ионизованных примесях. Доп.точки доступа: Маргулис, В. А. |
537 Г 524 Глазов, С. Ю. Плазменные волны в двумерных полупроводниковых сверхструктурах в присутствии высокочастотного электрического поля [Текст] / С. Ю. Глазов, авт. И. В. Кубракова // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 12. - С. 1713-1716. - Библиогр.: c. 1716 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): 2D-сверхструктуры -- высокочастотные электрические поля -- гармонические поля -- двумерные электронные газы -- закон дисперсии плазменных колебаний -- квантовая теория плазменных колебаний -- плазменные волны -- полупроводниковые сверхструктуры -- электронные газы -- энергетические спектры Аннотация: Исследовано влияние высокочастотного электрического поля на плазменные колебания в двумерном электронном газе со сверхструктурой. Доп.точки доступа: Кубракова, И. В. |
536.22/.23 А 501 Алисултанов, З. З. Статическая проводимость электронного газа в эпитаксиальном графене / З. З. Алисултанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 17. - С. 8-16 : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (21 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): электронные газы -- статическая проводимость -- эпитаксиальный графен -- металлические подложки -- полупроводниковые подложки -- графен -- атомы углерода Аннотация: В рамках простой модели рассмотрена статическая проводимость эпитаксиального графена, сформированного на металлической и полупроводниковой подложках. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/17/p8-16.pdf |
537 Э 949 Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю. Г. Арапов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1457-1461 : ил. - Библиогр.: с. 1461 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- эффекты туннелирования -- туннелирование -- двумерные электронные газы -- электронные газы -- наноструктуры -- квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- магнитные поля -- продольное сопротивление -- температурные зависимости -- электрон-электронное рассеяние -- релаксация электронов -- импульсы электронов -- электроны Аннотация: В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B=9. 0 Тл) в интервале температур T=1. 8-70. 0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rho[xx] (B, T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tau[q]{-1} (T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tau[q]{-1} (T) при T>0. 1 T[F] известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов. The work presents the results of investigation of tunneling effects between 2D parallel electron gases in a n- InGaAs/GaAs nanostructures with strongly-coupled double quantum wells as a function of in-plane component of tilted magnetic fields B = (0-9. 0) T in the temperature range T = (1. 8-70. 0) K. We obtained the quantum lifetime temperature dependence T[q] (T) from the analysis of the dependencies of longitudinal resistivity vs parallel magnetic field p[xx] (B[k], T) at fixed temperatures. The quadratic part of this dependence is defined by inelastic electron-electron scattering T {e-e}[q] (T). The decreasing of inverse quantum lifetime T {-1}[q] ] (T) at T > 0. 1T[F] is not described by existing theories. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1457-1461.pdf Доп.точки доступа: Арапов, Ю. Г.; Гудина, С. В.; Клепикова, А. С.; Неверов, В. Н.; Подгорных, С. М.; Якунин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. ЛобачевскогоУральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.21:537 С 290 Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии / И. О. Майборода [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 11. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 85-86 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): селективный рост -- невжигаемые контакты -- омические контакты -- электронные газы -- транзисторы -- электроны -- гетеропереходы -- молекулярно-пучковая эпитаксия Аннотация: Исследованы особенности создания невжигаемых омических контактов к двумерному проводящему каналу транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на основе гетероструктур AlGaN/ (AlN) /GaN путем осаждения сильнолегированного n{+}GaN через маску SiO[2] методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Разработанная технология позволяет получать удельные сопротивления контактов к двумерному газу до 0. 11 Omega·mm на различных типах нитридных гетероструктур "Ga-face", что в несколько раз меньше сопротивления традиционных вжигаемых омических контактов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/11/p80-86.pdf Доп.точки доступа: Майборода, И. О.; Андреев, А. А.; Перминов, П. А.; Федоров, Ю. В.; Занавескин, М. Л. |
530.145 Д 641 Долгополов, В. Т. Целочисленный квантовый эффект Холла и сопряженные с ним явления / В. Т. Долгополов // Успехи физических наук. - 2014. - Т. 184, № 2. - С. 113-136 : 28 рис. - Библиогр.: с. 135-136 (116 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): квантовые эффекты -- магнитные поля -- Холла эффекты -- электрические поля -- электронные газы -- электронные системы -- эффекты Холла Аннотация: Дан обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию целочисленного квантового эффекта Холла и других транспортных явлений, реализуемых в двумерно электронном газе, помещенном в квантующее магнитное поле. Доп.точки доступа: Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка (Россия) |