Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. |
Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 767-774 : ил. - Библиогр.: с. 774 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- металл-проводник -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- контактная разность потенциалов -- КРП Аннотация: Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0. 6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (<0. 6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях. |
Вишняков, А. В. Моделирование проводимости a-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки [Текст] / А. В. Вишняков, М. Д. Ефремов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1290-1293 : ил. - Библиогр.: с. 1292 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные транзисторы -- ТПТ -- контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- численное моделирование -- проводимость a-Si Аннотация: Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0. 75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит. Доп.точки доступа: Ефремов, М. Д. |
621.315.592 Т 617 Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики [Текст] / Н. А. Торхов, авт. В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 70-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- БШ -- металл-диэлектрик-проводник -- МДП -- контактная разность потенциалов -- КРП -- электрофизические характеристики -- арсенид галлия Аннотация: При формировании контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида галлия p- или n-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле E[l], распространяющееся вокруг контакта на расстояние l (ореол), в десятки раз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал varphi[Au] контакта на значительную величину varphi{*}. Размер ореола l и величина понижения электростатического потенциала varphi{*} в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра D контакта, а также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов с барьером Шоттки Au/n-GaAs уменьшение D приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении varphi{*}, а также в уменьшении varphiA[u ]и l. Для контактов Au/p-GaAs уменьшение D приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении varphi{*}, увеличении varphi[Au] и l. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола l и величина varphi{*} не зависят от их диаметров. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p70-86.pdf Доп.точки доступа: Новиков, В. А. |
621.315.592 Т 617 Торхов, Н. А. Природа электрического взаимодействия контактов Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1041-1055 : ил. - Библиогр.: с. 1055 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты -- металл-проводник -- МП -- электрические взаимодействия -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- контактная разность потенциалов -- КРП Аннотация: Электрическое влияние между собранными в диодную матрицу контактами металл-полупроводник с барьером Шоттки проявляется в значительном изменении их поверхностного потенциала и статических вольт-амперных характеристик. Необходимым условием возникновения электрического взаимодействия между такими контактами является наличие вокруг них распространяющегося на достаточно большие расстояния (<30 мкм) электрического поля периферии - ореола. Достаточным условием является наличие областей перекрытия этих ореолов. Было показано, что изменение поверхностного потенциала и вольт-амперных характеристик контактов происходит под влиянием собственного электрического поля периферии контакта, а также под влиянием электрического поля периферии матрицы, образованного суперпозицией электрических полей ореолов образующих ее контактов. Степень такого влияния определяется расстоянием между контактами, а также полным суммарным зарядом областей пространственных зарядов всех контактов матрицы: их количеством, размерами (диаметром D[i, j]), концентрацией легирующей примеси в полупроводнике N[D] и физической природой системы металл-полупроводник с барьером Шоттки (величиной varphi[b]). Было установлено, что сближение контактов приводит к относительному уменьшению порогового значения "мертвой" зоны на прямых вольт-амперных характеристик, увеличению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Увеличение суммарной площади контактов (суммарного электрического заряда ОПЗ) в матрице приводит к увеличению порогового значения "мертвой" зоны, относительному понижению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1041-1055.pdf |
621.315.592 Т 617 Торхов, Н. А. Влияние фотоэдс на токопрохождение в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 965-973 : ил. - Библиогр.: с. 972-973 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): область пространственного заряда -- ОПЗ -- контакты -- металл-проводник -- МП -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- фотоэдс -- электрические поля -- световая энергия -- электрическая энергия -- эффективность преобразования -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- полевая эмиссия -- электроны -- рекомбинационный ток -- фототоки -- токопрохождение -- приборные характеристики Аннотация: Показано, что изменение приборных характеристик и увеличение эффективности преобразования световой энергии в электрическую в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки связано с влиянием встроенного в контакт электрического поля периферии. Для исследуемых контактов с большим периметром изменения приборных характеристик и эффективность преобразования световой энергии в электрическую значительно больше. Из-за того, что электрическое поле фотоэдс, как и электрическое поле периферии, в области контакта сонаправлено с собственным электрическим полем области пространственного заряда, освещение контакта приводит к более сильному увеличению "мертвой" области на прямых ветвях вольт-амперных характеристик, более сильному уменьшению эффективной высоты барьера Шоттки и увеличению полевой эмиссии электронов. Увеличение полевой эмиссии в обратном направлении под воздействием фотоэдс приводит к увеличению рекомбинационного тока в области пространственного заряда, что и обеспечивает протекание постоянного фототока в цепи. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p965-973.pdf |
539.1/.18 В 586 Влияние бомбардировки атомами и ионами водорода на электрические свойства структуры с диодом Шоттки на поверхности 6H-SiC [Текст] / Е. И. Недригайлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 11. - С. 1679-1682. - Библиогр.: с. 1682 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- свойства диодных структур -- карбит кремния -- барьеры Шоттки -- БШ -- бомбардировка атомами водорода -- бомбардировка ионами водорода -- изменение свойств материалов -- напыление пленок на материалы -- Шоттки барьеры Аннотация: Исследование влияния атомарного водорода тепловых энергий и низкоэнергетических ионов H{+}[2] на электрические свойства структур с барьером Шоттки, полученных напылением никелевых пленочных контактов на поверхность эпитаксионных слоев 6H-SiC p-типа. Доп.точки доступа: Недригайлов, Е. И.; Стыров, В. В.; Зеленин, В. В.; Стрельчук, А. М. |