621.31
В 659


    Войцеховский, А. В. (???? 1).
    Пороговые характеристики инфракрасных дефекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.28
Рубрики: Энергетика--Отпуск электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
HIP детектор -- барьер Шотки -- эффективная состояния Ричардсона
Аннотация: Рассмотрены возможности использования эмиссионных детекторов на основе гетеропереходов в спектральном диапазоне (8-12) мкм. Проанализированы зависимости обнаружительной способности и пороговой разности температуры от температуры и параметров детектора

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.


537.622:539.216.2
Ф 339


    Федосюк, В. М.
    Барьер Шотки в структурах электроосажденного кобальта на арсениде галлия [Текст] / В. М. Федосюк, В. Шварцатер, О. И. Касютич // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N5. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 22.33; 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер Шотки -- кобальт -- магнитная микроэлектроника -- метод электролитического осаждения -- полупроводники -- полупроводниковые подложки -- серные электролиты -- структуры металл/полупроводник -- сульфаминовокислые электролиты -- электролиты -- электроосаждение кобальта
Аннотация: Впервые методом электролитического осаждения Со на подложках монокристаллического GaAs сформированы структуры типа металл/полупроводник, исследованы их структура и контактные свойства.


Доп.точки доступа:
Шварцатер, В.; Касютич, О.И.