Oптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / П. В. Волков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 5-10
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): низкокогерентная тандемная интерферометрия -- полупроводниковые подложки -- газофазная эпитаксия -- оптический коррелометр -- арсенид галлия -- кремний -- сапфировые подложки Аннотация: Впервые продемонстрированы возможности низкокогерентной тандемной интерферометрии для оптического мониторинга температуры полупроводниковой подложки и толщины наращиваемого слоя в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии. Абсолютная точность измерений температуры подложек Si, GaAs и сапфира в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии ограничена точностью калибровки и составляет плюс минус 1градусов С. Погрешность измерения толщины наращиваемого слоя - 2 нм. Доп.точки доступа: Волков, П. В.; Горюнов, А. В.; Данильцев, В. М.; Лукьянов, А. Ю.; Пряхин, Д. А.; Тертышник, А. Д.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |