Аньчков, Д. Г. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на оксидах цинка и титана: изменения работы выхода и поверхностной проводимости [Текст] / Д. Г. Аньчков, С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 18. - С. 54-60 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- атомы водорода -- молекулы кислорода -- оксид цинка -- оксид титана -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель Аннотация: В рамках модели адсорбции Андерсона-Ньюнса рассчитано изменение работы выхода для систем H/ZnO, O[2]/ZnO и O[2]/TiO[2] в интервале субмонослойных покрытий 0 меньше равно Тета меньше равно 1. Доп.точки доступа: Давыдов, С. Ю.; Трошин, С. В. |
Аньчков, Д. Г. О влиянии адсорбции на поверхностную проводимость и работу выхода [Текст] / Д. Г. Аньчков, С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 18. - С. 47-53 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- поверхностная проводимость -- работа выхода -- элементарные частицы -- адатомы Аннотация: Получены аналитические выражения для изменения поверхностной проводимости Delta G, вызванного адсорбцией положительно и отрицательно заряженных адатомов. Показано, что отношение Delta G к наведенному адсорбцией изменению работы выхода системы Deltaphi достаточно слабо зависит от степени покрытия поверхности адатомами. Доп.точки доступа: Давыдов, С. Ю.; Трошин, С. В. |
539.2 А 746 Аньчков, Д. Г. Влияние адсорбции на поверхностную подвижность носителей тока в полупроводниковой подложке [Текст] / Д. Г. Аньчков, авт. С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 4. - С. 820-823. - Библиогр.: с. 823 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модель Шриффера -- Шриффера модель -- адсорбция -- носители -- полупроводниковые подложки -- подложки Аннотация: В рамках модели Шриффера изучено влияние адсорбции на подвижность носителей в приповерхностной области полупроводниковой подложки. Определена зависимость поверхностной подвижности носителей от концентрации адатомов. В качестве конкретных систем рассмотрены газы, адсорбированные на поверхности полупроводниковых оксидов. Предложены эмпирические оценки поверхностной подвижности, основанные на модификации объемных механизмов рассеяния. Доп.точки доступа: Давыдов, С. Ю. |