621.3 Б 81 Бондарь, И. В. Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu (AI, ln) /p-Culn[3]Se[5] [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 44-47 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- фотоэлектрические явления -- квантовая эффективность -- межзонные переходы Аннотация: На кристаллах p-CuIn[3]Se[5] созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn[3]Se[5], Al/p-CuIn[3]Se[5] и In/p-CuIn[3]Se[5]. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn[3]Se[5]. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn[3]Se[5] при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
621.3 Б 86 Бочкарева, Н. И. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева, Д. В. Тархин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 88-94 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовая эффективность -- светодиодные структуры -- электролюминесценция -- фотолюминесценция -- фототок Аннотация: Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In[0. 2]Ga[0. 8]N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In[0. 2]Ga[0. 8]N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Е[me] = 2. 89 эВ. При энергиях hv больше 2. 69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в "хвостах" плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и "красный" сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния. Доп.точки доступа: Тархин, Д. В.; Ребане, Ю. Т.; Горбунов, Р. И.; Леликов, Ю. С.; Мартынов, И. А.; Шретер, Ю. Г. |
621.3 Б 866 Бочкарева, Н. И. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева, Д. В. Тархин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 88-94 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовая эффективность -- светодиодные структуры -- электролюминесценция -- фотолюминесценция -- фототок Аннотация: Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In[0. 2]Ga[0. 8]N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In[0. 2]Ga[0. 8]N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Е[me] = 2. 89 эВ. При энергиях hv больше 2. 69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в "хвостах" плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и "красный" сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния. Доп.точки доступа: Тархин, Д. В.; Ребане, Ю. Т.; Горбунов, Р. И.; Леликов, Ю. С.; Мартынов, И. А.; Шретер, Ю. Г. |
535 Б 684 Бланк, Т. В. Фотоприемник канцерогенного ультрафиолетового излучения на основе 4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. В. Калинина, О. В. Константинов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 88-89 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): Шоттки барьеры -- фотоприемники -- ультрафиолетовое излучение -- селективные фотоприемники -- квантовая эффективность -- карбид кремния -- канцерогенное излучение -- барьеры Шоттки -- бактерицидное излучение -- p-n-переходы Аннотация: Канцерогенное (бактерицидное) излучение (200-300 nm с максимумом при 254 nm) присутствует в естественных (Солнце) и искусственных (лампы) источниках ультрафиолетового излучения. Его интенсивность очень мала по сравнению с другими видами излучения, но оно оказывает сильное влияние на здоровье человека. Для профилактики онкологических заболеваний необходимо контролировать уровень канцерогенного излучения, т. е. необходимы селективные фотоприемники. Предложен фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе n-4H-SiC барьеров Шоттки и p{+}-n-переходов. Спектр квантовой эффективности таких приборов очень близок к спектру относительного воздействия на человека канцерогенного излучения. Квантовая эффективность в максимуме спектра (254 nm) составляет около 0. 3 el/ph при практически полной нечувствительности в других спектральных областях. Квантовая эффективность в интервале длин волн 247-254 nm практически не зависела от температуры в интервале -100-+100{o}C. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p86-89.pdf Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Калинина, Е. В.; Константинов, О. В. |
Каскадный лазер с когерентным транспортом электронов на двухфотонных переходах в трехбарьерных гетероструктурах [Текст] / Е. И. Голант [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 48-53
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): каскадный лазер -- трехбарьерные структуры -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- резонансные переходы -- квантовая эффективность Аннотация: Для несимметричных трехбарьерных структур с тонкими высокими барьерами найдено аналитическое решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя квантовыми уровнями в сильном высокочастотном электрическом поле. Обнаружено, что большая часть электронов, падающих на верхний резонансный уровень, может отдавать два фотона и уходить из структуры по нижнему уровню без промежуточного взаимодействия с фононами с квантовой эффективностью, достигающей в пределе 160%. Доп.точки доступа: Голант, Е. И.; Капралова, А. А.; Лукашин, В. М.; Пашковский, А. Б. |
Емельянов, А. М. Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. |
Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 97-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- светодиоды -- рекомбинационные процессы -- InGaN/GaN -- инжекционный ток -- плотности тока -- низкочастотные шумы -- безызлучательная рекомбинация -- внешняя квантовая эффективность -- причины падения квантовой эффективности -- квантовая эффективность Аннотация: Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j{3} при плотностях тока больше 20 A/cm{2}. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Левинштейн, М. Е.; Петров, П. В.; Черняков, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
Павлюченко, А. С. Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода [Текст] / А. С. Павлюченко, И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1391-1395 : ил. - Библиогр.: с. 1395 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовый выход -- внешний квантовый выход -- инжекция -- инжекционный механизм падения -- светодиоды -- AlInGaN -- гетероструктуры -- эффективность падения -- квантовая эффективность -- температура -- температурная зависимость -- численное моделирование -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Работа посвящена исследованию механизма снижения внешней квантовой эффективности в светодиодных гетероструктурах на основе AlInGaN при высокой плотности тока накачки. Проведены исследования зависимости внешней квантовой эффективности от температуры для двух типов гетероструктур с активной областью, расположенной в n- и p-области гетероструктуры. Экспериментально установлено, что зависимости внешнего квантового выхода от температуры при больших плотностях токов накачки для этих двух типов гетероструктур носят различный характер. С помощью численного моделирования показано, что указанное различие обусловлено различной температурной зависимостью коэффициента инжекции носителей в активную область гетероструктур с активной областью n- и p-типа. Полученные данные свидетельствуют о ключевой роли инжекционного механизма в эффекте падения внешнего квантового выхода с ростом тока накачки. Доп.точки доступа: Рожанский, И. В.; Закгейм, Д. А. |
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г. |
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 96-100 : ил. - Библиогр.: с. 100 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиодные структуры -- квантовые ямы -- КЯ -- сверхтонкие квантовые ямы -- короткопериодные сверхрешетки -- КПСР -- InGaN/GaN -- диоды -- мощные светоизлучающие диоды -- варизонная активная область -- эффективность -- квантовая эффективность -- излучения -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- фотолюминесценция -- ФЛ Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Черкашин, Н. А.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Мизеров, М. Н.; Hee Seok Park; Hytch, M.; Hue, F. |
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC [Текст] / И. П. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 684-687 : ил. - Библиогр.: с. 687 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): травление -- ионное травление -- гетероструктуры -- AlGaIn/GaN -- подложки -- квантовая эффективность -- фоторезисты -- тонкие фоторезисты -- полное внутреннее отражение -- ПВО -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- карбид кремния -- светодиоды -- флип-чип конструкции -- микрорельефы Аннотация: Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%. Доп.точки доступа: Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Аракчеева, Е. М.; Павлюченко, А. С.; Закгейм, Д. А.; Кулагина, М. М. |
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 822-828 : ил. - Библиогр.: с. 827-828 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- GaN-светодиоды -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- туннелирование -- барьерные слои -- туннельно-рекомбинационный ток -- дефекты -- квантовая эффективность Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN. Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Леликов, Ю. С.; Латышев, Ф. Е.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г. |
Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530-560 nm [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 22. - С. 89-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- светоизлучающие диоды -- высокоэффективные светодиоды -- сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- активные области -- длинноволновые диапазоны -- гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- квантовые ямы -- нитриды -- галлий -- алюминий -- индий -- пониженные температуры -- излучение -- эффективность излучения -- диоды -- квантовая эффективность -- длины волн Аннотация: Описан новый метод формирования активной области высокоэффективных InGaN/GaN/AlGaN светоизлучающих диодов длинноволнового зеленого диапазона. Показано, что введение в конструкцию эпитаксиальной гетероструктуры непосредственно под излучающей квантовой ямой короткопериодной InGaN/GaN сверхрешетки, зарощенной слоем нитрида галлия при пониженной температуре, позволяет более чем на порядок повысить эффективность излучения. На собранных диодах значения максимальной квантовой эффективности и соответствующей ей длины волны излучения составили 12% и 552 nm и 8% и 560 nm соответственно. Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Сизов, В. С.; Закгейм, А. Л.; Черняков, А. Е.; Цацульников, А. Ф. |
Двухчастотная лазерная генерация в трехбарьерных гетероструктурах с когерентным транспортом электронов [Текст] / Е. И. Голант [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- трехбарьерные структуры -- несимметричные структуры -- несимметричные трехбарьерные структуры -- лазерная генерация -- двухчастотная лазерная генерация -- электроны -- когерентный транспорт -- аналитические решения -- решения уравнений -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- резонансные переходы -- квантовые уровни -- электрические поля -- двухчастотные электрические поля -- амплитуды -- квантовая эффективность -- частоты Аннотация: Для несимметричных трехбарьерных структур с тонкими высокими барьерами аналитическое решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя равноудаленными квантовыми уровнями, обобщено на случай двухчастотного электрического поля. Показано, что структура может быть практически абсолютно прозрачна для электронов в широком диапазоне амплитуд приложенного электрического поля, а квантовая эффективность процесса на каждой из частот, с учетом конечной ширины уровней, может достигать 80%. Доп.точки доступа: Голант, Е. И.; Капралова, А. А.; Лукашин, В. М.; Пашковский, А. Б. |
Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах (lambda =900-920 нм) [Текст] / М. А. Ладугин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1417-1421 : ил. - Библиогр.: с. 1421 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- лазеры -- температурные зависимости -- длина волны -- гетероструктуры -- волноводы -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- лазерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- носители заряда -- квантовая эффективность -- экспериментальные исследования -- плотность тока -- температурная стабильность Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=900-920 нм). Установлено, что увеличение энергетической глубины и числа квантово-размерных ям активной области позволяет повысить температурную стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности полупроводниковых лазеров на их основе. В лазерах на основе гетероструктуры с 4 квантово-размерными ямами достигается температурная стабильность пороговой плотности тока с характеристическим параметром T[0]=290 K. Экспериментально показано, что стабилизация лазерных параметров достигается благодаря снижению пороговой плотности тока и пороговой концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области. Установлено, что при достижении некоторого значения концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области температурная стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности резко снижается. Доп.точки доступа: Ладугин, М. А.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Подоскин, А. А.; Рудова, Н. А.; Слипченко, С. О.; Шашкин, И. С.; Бондарев, А. Д.; Тарасов, И. С. |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1533-1538 : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. |
621.375 А 691 Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям [Текст] / А. А. Бирюков [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 7. - С. 149-151. - Библиогр.: c. 151 (2 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры с квантовыми ямами -- гетеролазеры -- отрицательная характеристическая температура -- квантовая эффективность -- пороговый ток -- диаграммы направленности Аннотация: Проведено экспериментальное исследование полупроводниковых лазеров с активной областью, содержащих шесть квантовых ям. Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик (плотности порогового тока, внешней дифференциальной квантовой эффективности, диаграммы направленности). Обнаружено аномальное поведение температурной зависимости порогового тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности, связанное с наличием отрицательной характеристической температуры и падением квантовой эффективности излучения при понижении температуры. Выявлено обужение диаграммы направленности в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу при увеличении температуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/07/p149-151.pdf Доп.точки доступа: Бирюков, А. А.; Некоркин, С. М.; Колесников, М. Н.; Бабушкина, Т. С.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А. |