338.46 Е 601 Емельянов, А. М. Структурные сдвиги в продовольственной сфере и качество жизни населения [Текст] / А. М. Емельянов> // Вестник Московского университета. Сер. 6, Экономика. - 2004. - N 4. - 7 табл. . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Экономика--Экономика непроизводственной сферы Кл.слова (ненормированные): 21 в. нач. -- качество жизни -- продовольствие -- потребление продуктов -- продукты питания -- покупательная способность -- подсобные хозяйства -- уровень жизни Аннотация: Необходима коренная периориентация экономической и аграрной политики, которая поможет качественно улучшить продовольственное обеспечение населения, особенно его малоимущих слоев. |
539.2 С 54 Соболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.]> // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 108-111. - Библиогр.: с. 111 (9 назв. ). - Влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; ионная имплантация; концетрации; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; примеси; светоизлучающие структуры; структуры; фотолюминесценция; эпитаксиальный рост; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Бер, Б. Я.; Коварский, А. П.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Устинов, В. М.; Цырлин, Г. Э.; Котерева, Т. В. |
539.2 С 54 Соболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.]> // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 112-115. - Библиогр.: с. 114-115 (8 назв. ). - Влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; кремний; люминесцентные свойства; молекулярно-лучевая эпитаксия; монокристаллические слои; нанофотоника; отжиг; светоизлучающие структуры; слои; структуры; фотолюминесценция; электролюминесценция; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Si: Er. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Паршин, Е. О. |
338(470) А 87 Архипов, В. М. (канд. экон. наук). Оценка социальной ставки дисконтирования [Текст] / В. М. Архипов, авт. А. М. Емельянов> // Финансы и кредит. - 2006. - N 17. - С. 49-55. - Библиогр.: с. 55 (14 назв. ) . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Экономика--Экономика России--Россия--Российская Федерация Кл.слова (ненормированные): инвестиции; оценка инвестиций; государственный сектор экономики; дисконтирование; методы оценки инвестиций; социальная ставка; предельная полезность; прирост потребления Аннотация: Оценка инвестиций в государственный сектор экономики. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М. |
657.6 А 87 Архипов, В. М. (канд. физ.-мат. наук, доц.). Оценка социальной ставки дисконтирования [Текст] / В. М. Архипов, авт. А. М. Емельянов> // Экономический анализ: теория и практика. - 2006. - N 16. - С. 49-54 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
Рубрики: Экономика--Экономический анализ--РФ--Россия--Российская Федерация Кл.слова (ненормированные): социальная ставка дисконтирования; альтернативная норма доходности; социальная ставка межвременных предпочтений; чистая ставка межвременных предпочтений; темп роста потребления Аннотация: Для расчета социальной ставки дисконтирования используется наиболее распространенный подход, основа которого заключается в нахождении трендов параметров, определяющих ставку. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М. |
539.2 Б 24 Баранов, Е. Е. Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига [Текст] / Е. Е. Баранов, А. М. Емельянов [и др.]> // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; ионная имплантация; нитрид галлия; отжиг; сверхрешетки; структурная организация; фотолюминесценция; эрбий Аннотация: Проведены сравнительные исследования эволюции характера структурной организации (ХСО) сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, и их фотолюминесцентных (ФЛ) свойств после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV, дозой 3ъ10{15} cm{-2} и отжига. Характер структурной организации оценивался количественно с помощью параметра Delta (степень нарушения локальной симметрии) , который определялся путем обработки с помощью мультифрактального анализа данных исследования морфологии поверхности структур методами атомно-силовой микроскопии. Показано, что имплантация сопровождается не только выделением Ga на поверхности, но и изменением ХСО, проявляющимся в появлении более мелкой по сравнению с исходной зернистой структуры и в разупорядочении, а также в росте Delta. С ростом температуры отжига от 700 до 800{o}C наблюдаются снижение Delta, свидетельствующее об улучшении ХСО, и увеличение интенсивности доминирующего пика (1. 542 mum) ФЛ ионов Er{3+}. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 1050{o}C сопровождается ухудшением ХСО, укрупнением доменов, формированием пустот глубиной до 100-200 nm и падением интенсивности ФЛ. На образование пустот в процессе высокотемпературного отжига также указывают данные метода рассеяния протонов с энергией 230 keV. Таким образом, установлено, что улучшение характера структурной организации СР способствует активации эрбия и росту интенсивности люминесценции ионов эрбия. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/12/p61-64.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Лундин, В. В.; Петров, В. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Соболев, Н. А.; Титков, А. Н.; Шек, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
342.9 Е 601 Емельянов, А. М. (старший преподаватель). Некоторые подходы к правовому регулированию муниципальных отношений в зарубежных государствах [Текст] / А. М. Емельянов> // Международное публичное и частное право. - 2006. - N 6. - С. 21-23. - Библиогр.: с. 23 (3 назв. ) . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
Рубрики: Право--Международное право--Административное право--Соединенные Штаты Америки--США--Великобритания Кл.слова (ненормированные): муниципальные отношения; местное самоуправление; правовое регулирование; англосаксонская модель; континентальная модель; смешанная модель; система органов; местные бюджеты; финансовая политика; муниципалитеты; хартии Аннотация: Рассматриваются модели местного самоуправления в зарубежных странах. Доп.точки доступа: Европейская, хартия |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом [Текст] / Н. А. Соболев, Б. Я. Бер [и др.]> // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 295-297 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов кислорода -- отжиг Аннотация: Обнаружено, что множественная имплантация ионов кислорода с энергиями 0. 1-1. 5 МэВ и дозами 7 10\{13\} - 2 10\{14\} см\{-2\} и последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 900 C в течение 4 ч приводят к появлению дислокационной люминесценции в Si p-типа проводимости. При этом в приповерхностном слое Si также наблюдается p- > n-конверсия типа проводимости, свидетельствующая об образовании электрически активных донорных центров. Предварительная термообработка покрытых легированной эрбием пленкой тетраэтоксисилана пластин при температуре 1250 C в течение 1 ч в аргоне не предотвращает появление дислокационной люминесценции, но влияет на параметры дислокационных линий (положение их максимумов и интенсивность). Доп.точки доступа: Бер, Б. Я.; Емельянов, А. М.; Коварский, А. П.; Шек, Е. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.]> // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.]> // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И. |
621.315.592 Е 601 Емельянов, А. М. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов, авт. Н. А. Соболев> // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 331-335 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- краевая люминесценция -- люминесценция -- межзонные переходы Аннотация: При комнатной температуре исследована электролюминесценция в области межзонных переходов кремниевых светодиодов, полученных путем резки солнечного элемента площадью 21 см\{2\} и имевшего внешнюю квантовую эффективность электролюминесценции эта[ext] до 0. 85%. Несмотря на значительное уменьшение эта[ext] вследствие резки и оже-рекомбинации, при импульсных токах до 10 А и площадях структур из диапазона S=0. 1-0. 9 см2 достигнуты рекордные значения общей излучаемой диодом мощности до W=8 мВт, а также мощности, излучаемой с единицы площади, до P[0]=65 мВт/см[2]. Для светодиодов различной площади измерена кинетика спада электролюминесценции. Определены диаграмма направленности излучения в Si-светодиоде с текстурированной поверхностью и распределение интенсивности по различным направлениям излучающей площади светодиода. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Емельянов, А. М. Мощные кремниевые светодиоды с краевой люминесценцией [Текст] / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев> // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 4. - С. 64-70
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- солнечные элементы -- краевая электролюминесценция Аннотация: Из кремниевого солнечного элемента с текстурированной поверхностью площадью 21 cm\{2\} путем резки изготовлены светодиоды с максимальной внешней квантовой эффективностью краевой электролюминесценции при комнатной температуре ~ 0. 8%, в которых при импульсном токе 18 A и площади излучающей поверхности около 3 cm\{2\} достигнута рекордная мощноcть краевой электролюминесценции ~ 46 mW при внешней квантовой эффективности ~ 0. 18%. Исследованы зависимости параметров светодиодов от величины тока и распределение излучения по площади структуры. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Емельянов, А. М. Краевая электролюминесценция эффективного точечного кремниевого светодиода в области температур 80-300 K [Текст] / А. М. Емельянов> // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1375-1379
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- точечные кремниевые светодиоды -- краевая электролюминесценция -- электролюминесценция Аннотация: В области температур 80-300 K измерены спектры краевой электролюминесценции точечных кремниевых светодиодов с площадью p-n-перехода 0. 008 мм\{2\}. Обнаружена рекордная стабильность положения максимума спектра при температурах 130-300 K. При 80 K проведены исследования спектральных характеристик светодиодов при различных плотностях тока до 25 кА/см\{2\}. В отличие от ранее описанных результатов исследования при 300 K, при температуре 80 K не наблюдалось значительного уменьшения квантовой эффективности, обусловленного проявлением оже-рекомбинации. Анализ спектров электролюминесценции при 80 K в широком диапазоне токов указывает на то, что механизм излучательной рекомбинации свободных экситонов не является определяющим при всех исследованных токах во всей излучающей области базы точечного светодиода. |
Емельянов, А. М. Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов> // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 6. - С. 9-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенная зона -- непрямозонные полупроводники -- спектр краевой люминесценции -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (E[g]) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения E[g] кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения E[g] для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3. 5 x 10\{-4\} eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W. J. Choyke. |
Емельянов, А. М. Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов> // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. |
Емельянов, А. М. Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы. |
Емельянов, А. М. Связанные с водой ловушки носителей заряда в термических пленках диоксида кремния, полученных в сухом кислороде [Текст] / А. М. Емельянов> // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 6. - С. 1060-1066. - Библиогр.: с. 1065-1066 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сухой кислород -- ловушки носителей заряда -- термические пленки -- ловушки электронов -- движения молекул воды Аннотация: Методом лавинной инжекции электронов и дырок из кремния в сочетании с измерениями вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик тока фотоинжекции электронов из контактов исследованы параметры ловушек электронов и дырок в термических пленках SiO[2], полученных в сухом кислороде. Варьировались условия окисления, отжига и хранения структур. Получены подтверждения предложенных автором модельных представлений о связанных с водой ловушках в таких пленках. Обнаружена зависимость транспортных характеристик ловушек от времени контакта Si-SiO[2]-структур с атмосферным воздухом естественной влажности. Результаты могут быть применены для уменьшения деградационных процессов в приборах на основе Si-SiO[2]-структур, при разработке технологий электролюминесцентных приборов на основе Si-SiO[2]-структур, изучении транспортных характеристик некоторых молекул (например, воды), атомов и ионов в порах (структурных каналах), размеры которых сопоставимы с размерами молекул воды. |
Емельянов, А. М. Дифференциальный метод анализа спектров люминесценции полупроводников [Текст] / А. М. Емельянов> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1170-1175 : ил. - Библиогр.: с. 1174-1175 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция полупроводников -- спектры люминесценции -- дифференциация спектров -- поглощение монокристаллов -- монокристаллы кремния -- твердые растворы -- запрещенные зоны -- методы анализа люминесценции Аннотация: Предложен метод анализа спектров люминесценции полупроводников, основанный на дифференцировании спектров. Возможности метода продемонстрированы в области края поглощения монокристаллов кремния и твердого раствора SiGe. Метод превосходит по точности ранее известные люминесцентные методы определения ширины запрещенной зоны для непрямозонных полупроводников и практически нечувствителен к различным условиям вывода излучения из образца. |
544.33 С 764 Стандартные энтальпии образования глицилглицина в водном растворе [Текст] / Л. А. Кочергина [и др.]> // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 1. - С. 78-81 : 2 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 80-81 (11 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Термохимия Кл.слова (ненормированные): водные растворы -- глицилглицины -- калориметрические методы -- тепловые эффекты растворения -- термодинамика растворения -- дипептиды -- стандартные энтальпии образования -- биологически активные соединения -- кристаллические глицилглицины -- растворы гидроксида калия Аннотация: Прямым калориметрическим методом определены тепловые эффекты растворения кристаллического глицилглицина в воде и растворах гидроксида калия при 298, 15 К. Рассчитаны стандартные энтальпии образования пептида и продуктов его диссоциации в водном растворе. Доп.точки доступа: Кочергина, Л. А.; Емельянов, А. М.; Горболетова, Г. Г.; Крутова, О. Н. |
535.37 Е 601 Емельянов, А. М. Краевая фотолюминесценция монокристаллического кремния с p-n-переходом: структуры, изготовленные с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов [Текст] / А. М. Емельянов> // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 823-828 : ил. - Библиогр.: с. 828 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- монокристаллический кремний -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- ФЛ -- лазерное излучение -- длина волны -- кремниевые структуры -- носители заряда -- время жизни заряда -- рекомбинации Шокли - Рида - Холла -- Шокли - Рида - Холла рекомбинации Аннотация: При различных напряжениях, прикладываемых к p-n-переходу, исследованы кинетика и закономерности краевой фотолюминесценции кремниевой структуры, полученной с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов. Впервые показано, что проявление эффекта модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем приложения постоянного напряжения к p-n-переходу качественно аналогично при возбуждении фотолюминесценции лазерным излучением с длинами волн 658 нм и 0. 98 мкм. Показана возможность модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем изменения величины сопротивления, шунтирующего p-n-переход. В отсутствие напряжения наблюдалось значительное превышение постоянной времени роста интенсивности фотолюминесценции над постоянной времени ее спада. Но по мере увеличения постоянного прямого тока величина постоянной времени спада приближалась к величине постоянной времени роста. Для объяснения результатов развиты представления о наличии в структуре, кроме обычной рекомбинации Шокли-Рида-Холла, второго, более эффективного и способного насыщаться канала рекомбинации. Результаты работы расширяют функциональные возможности люминесцентного метода для определения эффективных времен жизни носителей заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p823-828.pdf |