Исследование пленок YSZ, нанесенных методом электронно-лучевого напыления на никелевый сплав с совершенной кубической текстурой [Текст] / В. М. Счастливцев [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 6. - С. 610-616. - Библиогр.: с. 616 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): электронно-лучевое напыление -- никелевые сплавы -- совершенная кубическая структура -- шероховатость -- буферные слои -- YSZ Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и атомной силовой микроскопии исследовано влияние состояния подложки - ленты никелевого сплава Ni -11 ат. % Cr и параметров напыления на текстуру и шероховатость поверхности буферного слоя YSZ, нанесенного методом электронно-лучевого напыления. Доп.точки доступа: Счастливцев, В. М.; Архипова, Н. К.; Блинов, И. В.; Гервасьева, И. В.; Логинов, Б. А.; Матвеев, С. А.; Попов, В. В.; Родионов, Д. П.; Сазонова, В. А. |
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |