Бормонтов, Е. Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров [Текст] / Е. Н. Бормонтов, М. Н. Левин, С. А. Вялых, С. Н. Борисов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 66 (19 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП -- транзистор -- вольт-амперные характеристики -- поверхностные состояния -- эффективный заряд окисла Аннотация: Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для текстового конторля интегральных микросхем Доп.точки доступа: Левин, М.Н.; Вялых, С.А.; Борисов, С.Н. |
Гаман, В. И. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.7 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП-диоды -- газочувствительные элементы -- термический отжиг Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния кратковременного (10 мин) термического отжига туннельных МОП-диодов на их электрические свойства и величину отклика по емкости, активной проводимости и напряжению плоских зон при воздействии водорода. Термический отжиг проводился в вакууме и в комнатной атмосфере при температурах 573, 613, 653 и 673 К. Установлено, что отжиг в вакууме при всех температурах приводит к уменьшению напряжения плоских зон и значительному увеличению отклика по емкости и активной проводимости. После термического отжига в вакууме МОП-диоды можно использовать в качестве газочувствительных элементов при напряжении, равном нулю. Отжиг в комнатной атмосфере приводит примерно к тем же эффектам, но только при температуре отжига, равной 573 К. При повышении отжига до 613 К газочувствительные свойства МОП-диодов резко ухудшаются Доп.точки доступа: Балюба, В.И.; Грицык, В.Ю.; Давыдова, Т.А.; Калыгина, В.М.; Хлудкова, Л.С. |
621.3 Г 180 Гаман, В. И. (???? 1). Временная зависимость емкости кремниевого туннельного моп-диода при воздействии водорода [Текст] / В. И. Гаман, В. М. Калыгина // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): Моп-структуры -- водород -- газовая смесь -- диффузия -- туннельный МОП-диод Аннотация: Представлены результаты теоритического и экспериментального исследования временной зависимости емкости кремниевых МОП-структур с туннельно тонким диэлектриком и палладиевым полевым элетродом при воздействии на них газовой смеси, содержащий водород. Получены аналитические выражения, описывающе временную зависимость емкости области пространственного заряда ( ОПЗ ) туннельного МОП-диода, помещенного в газовую смесь, обусловлена процессом диффузии атомов водорода от полевого электрода до границы раздела Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Калыгина, В.М. |
621.03 З 179 Зайнабидинов, С. З. (???? 1). Влияние примеси никеля на скорость поверхностной генерации на границе раздела Si-SiO[2] [Текст] / С. З. Зайнабидинов, Ш. Х. Йулчиев // Известия вузов. Физика. - 2003. - N2. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника--Техническая механика Кл.слова (ненормированные): МОП-структуры -- никель -- электрод Аннотация: Показано, что легирование примесью никеля ведет как к повышению скорости поверхностной генерации, так и к увеличению разброса ее значений от структуре к структуре. Наблюдаемые эффекты связаны с существованием в легированных структурах дефектно-примесных комплексов, образующихся при взаимодействии примесных скоплений ( прицепитатов ) с собственными дефектами переходного слоя границы раздела Si-SiO[2] Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Йулчиев, Ш.Х. |
377 С 34 Сидельникова, Т. Т. (канд. филос. наук). Компьютерный контроль знаний при изучении социально-политических дисциплин [] / Т. Т. Сидельникова // Педагогика. - 2005. - N 4. - С. 53-60. - Библиогр.: с. 59-60 . - ISSN 0869-561Х
Рубрики: Образование. Педагогика--Профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): 2005 г. -- информационные технологии; социально-гуманитарные дисциплины; контроль знаний; компьютеры; компьютерный контроль зананий; МОП; мультимедийные обучающие программы; методика преподавания политологии; тестирование; тесты; творческие задания Аннотация: Об организации контроля в курсе политология, осуществляемого на двух уровнях: тестирование (самотестирование) и выполнение творческих заданий. |
621.3 Н 34 Наумова, О. В. КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами [Текст] / О. В. Наумова, М. А. Ильницкий, Л. Н. Сафронов, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 104-111 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремний-на-изоляторе -- КНИ -- транзисторы -- нанотранзисторы -- КНИ-нанотранзисторы -- КНИ-МОП-нанотранзисторы -- затворные характеристики транзисторов Аннотация: Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50 - 100 нм, толщине кремния 25 - З0нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0. 45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик - до 60мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия) : материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база) , толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. Доп.точки доступа: Ильницкий, М. А.; Сафронов, Л. Н.; Попов, В. П. |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, Т. Т. Мнацаканов [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 80-87. - Библиогр.: c. 87 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диффузионные слои; МОП транзисторы; мощные интегральные тиристоры; тиристорные чипы SGTO; тиристоры Аннотация: Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-80.html.ru Доп.точки доступа: Мнацаканов, Т. Т.; Юрков, С. Н.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С. |
539.2 Т 91 Тутов, Е. А. Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками [Текст] / Е. А. Тутов, С. В. Рябцев, Е. Е. Тутов, Е. Н. Бормонтов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 65-68. - Библиогр.: c. 68 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики; металлоксидные полупроводники; МОП-структуры; нестехиометрические оксиды; окислительный отжиг; отжиг; тонкие пленки Аннотация: Окислительным отжигом тонких пленок олова, вольфрама, палладия, никеля и цинка на кремнии сформированы структуры металл-оксид-полупроводник и измерены их высокочастотные вольт-фарадные характеристики. Для нестехиометрических оксидов SnO[2-x] WO[3-x] и PdO[x] обнаружены общие особенности в энергетическом спектре плотности поверхностных состояний. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/12/p65-68.pdf Доп.точки доступа: Рябцев, С. В.; Тутов, Е. Е.; Бормонтов, Е. Н. |
655.1/.3 Ф 53 Филин, Владимир. Пять плюс одна [Текст] / В. Филин // Журналист. - 2006. - N 12. - С. 37-38 ; Журналист. - 2006. - N 12. - С. 37-38. - (Идеи газетного бизнеса.- 2006.- N 12 (76) .- С. 37-38) .- Ил.: 2фот. . - ISSN 0130-3589
Рубрики: Книжное дело--Издательское дело--Москва--Россия, 21 в. нач. Кл.слова (ненормированные): выставки; конференции; печатные машины; полиграфисты; полиграфические союзы; полиграфическое оборудование; полиграфическое производство; полиграфия; семинары Аннотация: Полиграфисты, издатели и специалисты из других производственных отраслей стали посетителями и участниками сразу шести выставок, проходивших в выставочном павильоне Международного Выставочного комплекса MVK "Сокольники". Во время выставок был проведен ряд интересных и важных для полиграфистов мероприятий. Перейти: www.journalist-virt.ru/2006/12/37.php Доп.точки доступа: Кузьмин, Борис; Ненашев, Михаил (д-р ист. наук, проф.); PrintPacklndustry - 2006, Форум; Converprint, международная выставкаSpecialprint, международная выставка; DPM, выставка; DigiPrintMedia, выставка; Типограф, выставка; Inconnexpo - 06, выставка; Диджиспейс, семинар; Об учреждении Всероссийского отраслевого объединения работодателей - Общероссийского объединения полиграфистов и о созыве Всероссийского съезда полиграфистов, общероссийская конференция \москва\; Международная ассоциация полиграфистов; Выставочный холдинг MVK "Сокольники"; Сокольники, выставочный холдинг; Межрегиональное отраслевое объединение работодателей "Межрегиональное объединение полиграфистов"; МООР "МОП"; Метранпаж, Всероссийский конкурс |
621.3 М 792 Мордкович, В. Н. Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур [Текст] / В. Н. Мордкович, А. Д. Мокрушин, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 721-725 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): МОП структуры -- структуры металл-окисел-полупроводник -- низкополевая инжекция носителей тока -- электрические свойства МОП структур Аннотация: Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO[2]-Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции. Доп.точки доступа: Мокрушин, А. Д.; Омельяновская, Н. М. |
621.3 Г 944 Гуляев, Ю. В. Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 368-371 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- МОП-транзисторы -- подвижность электронов -- электроны -- инверсионный канал -- ионная поляризация подзатворного окисла Аннотация: Эффективная подвижность электронов мю* в инверсионном n-канале полевого транзистора значительно возрастает после объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла от типичных значений ? 820 до величин ? 2645 cм\{2\}B\{-1\}c\{-1\}, превышающих подвижность электронов в массивном Si. После поляризации слоевая плотность ионов Na\{+\} у гетерограницы SiO[2]/Si превышает 6 10\{13\} см\{-2\}. Ионы практически полностью нейтрализованы электронами канала инверсии. С уменьшением температуры T в диапазоне 293-203 K мю* увеличивается по закону мю* пропорционально T-0. 82. Наблюдаемая зависимость мю* (T), по-видимому, обусловлена комбинированным рассеянием электронов на шероховатостях поверхности раздела Si/SiO[2], на фононах и на пограничных состояниях. Деполяризация окисла возвращает мю* к исходной величине. Аномально высокие значения мю* считаются либо следствием возникновения в поверхностном слое Si из-за поляризации окисла сильных структурных напряжений, либо результатом фазовой перестройки области инверсионного канала вследствие гибридизации волновых функций электронов, локализованных на ионах Na\{+\}, с волновыми функциями электронов канала инверсии. Доп.точки доступа: Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
621.3 В 753 Воронкова, Г. М. Уменьшение плотности ловушечных центров в оксиде кремния при радиационно-термической обработке [Текст] / Г. М. Воронкова, В. Д. Попов, Г. А. Протопопов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 977-980 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): МОП транзисторы -- сток-затворные характеристики -- радиационно-термическая обработка -- ловушечные центры Аннотация: Приводятся результаты обработки экспериментальных сток-затворных характеристик тестовых МОП транзисторов после облучения быстрыми электронами и последующей термообработки. Показано уменьшение ловушечных центров в оксиде в результате радиационно-термической обработки. Доп.точки доступа: Попов, В. Д.; Протопопов, Г. А. |
621.315.592 Г 180 Гаман, В. И. Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 341-345 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): газовый сенсор водорода -- структуры металл-окисел-полупроводник -- вольт-фарадные характеристики Аннотация: Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO[2]-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO[2] d=369 нм изменение напряжения плоских зон U[fb] при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO[2] за счет поляризации атомов водорода (H[a]). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон дельтa U[fb] от концентрации водорода nH[2]. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) дельтa U[fb] в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO[2]-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости дельтa U[fb] и времени релаксации емкости области пространственного заряда от nH[2]. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO[2] и SiO[2]-n-Si. Доп.точки доступа: Балюба, В. И.; Грицык, В. Ю.; Давыдова, Т. А.; Калыгина, В. М. |
378 Г 957 Гуртов, В. А. Информационные и коммуникационные технологии в профессиональном физическом образовании [Текст] / В. А. Гуртов, И. В. Климов, А. И. Назаров, С. Д. Ханин // Физическое образование в вузах. - 2008. - Т. 14, N 2. - С. 113-124. - Библиогр.: с. 123-124 (15 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Применение вычислительной техники в педагогике Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): профессиональное физическое образование -- физическое образование -- вузы -- физические факультеты -- факультеты -- подготовка студентов -- профессиональная подготовка студентов -- студенты -- технологии -- информационные технологии -- коммуникационные технологии -- электронный учебно-методический комплекс -- учебно-методический комплекс -- комплексы -- ЭУМК -- электронные учебные пособия -- учебные пособия -- пособия -- моделирование -- компьютерное моделирование -- МДП-структуры -- МОП-структуры -- структуры -- вольт-фарадные характеристики -- характеристики структур -- модели -- математические модели -- цифро-аналоговые преобразователи -- преобразователи -- ЦАП Аннотация: На предметном материале учебной дисциплины "Физические основы микро- и оптоэлектроники" раскрыты возможности, которые предоставляет использование информационных и коммуникационных технологий в профессиональной подготовке студентов физических факультетов вузов. Доп.точки доступа: Климов, И. В.; Назаров, А. И.; Ханин, С. Д.; MicroTec, (программа); LabView, (программа); Физические, основы микро- и оптоэлектроники (дисциплина) |
Гергель, В. А. Моделирование эффекта существенного повышения крутизны моп-транзисторов за счет секционирования канала [Текст] / В. А. Гергель [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2003. - Т. 390, N 4. - С. 465-467 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Техника Техническая физика Кл.слова (ненормированные): низкоомные включения -- моп-транзисторы -- полевые транзисторы -- секционирование канала -- транзисторы -- квазигидродинамическая модель -- терморелаксация -- неоднородность поля Аннотация: Была сформулирована идея о возможности существенного повышения крутизны и быстродействия полевых транзисторов за счет секционирования канала низкоомными локальными включениями, обеспечивающими эффективное охлаждение электронов и соответствующий рост подвижности и дрейфовой скорости. Доп.точки доступа: Якупов, М. Н.; Зеленый, А. П. |
Атамуратов, А. Э. Детектирование заряда встроенного в оксидном слое МОП-транзистора, боковым С-V-измерением [Текст] / Атамуратов А. Э., Матрасулов Д. У., Хабибуллаев П. К. // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 6. - С. 761-764. - Библиогр.: с. 764 (9 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Техника Техническая физика Кл.слова (ненормированные): нитрид кремния -- детектирование -- локализованные заряды -- область пространственного заряда -- полупроводники Аннотация: Изучается возможность детектирования локального заряда в SiO[2]-слое МОП-транзистора простым C-V-измерением перехода исток-подложка. Доп.точки доступа: Матрасулов, Д. У.; Хабибуллаев, П. К. |
Боброва, Е. А. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле [Текст] / Е. А. Боброва, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1380-1383
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МОП структуры -- вольт-фарадные характеристики -- кремний -- краевые эффекты Аннотация: Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO[2]. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO[2]. Доп.точки доступа: Омельяновская, Н. М. |
Атамуратов, А. Э. Влияние поля встроенного в оксиде заряда нам боковую C-V-зависимость МОП-транзистора [Текст] / А. Э Атамуратов, Д. У. Матрасулов, П. К. Хабибуллаев // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 430, N 4, февраль. - С. 484-486 : 3 рис. - Библиогр.: с. 486 (9 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- поля заряда -- полупроводники -- область пространственного заряда -- оксидный слой -- потенциал встроенного заряда -- полупроводниковые приборы Аннотация: Проведенные исследования показали, что потенциал встроенного заряда приводит к увеличению емкости бокового перехода МОП-транзистора во всем интервале прилагаемого смещения, но величина изменения емкости в определенном смещении зависит от формы распределения потенциала. Доп.точки доступа: Матрасулов, Д. У.; Хабибуллаев, П. К. |
Загоруйко, Ю. А. Спектрально-чувствительные МОП-фотоварикапы на основе кристаллов CdZnTe и CdS [Текст] / Ю. А. Загоруйко, В. А. Христьян, П. В. Матейченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 4. - С. 12-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектрально-чувствительные структуры -- МОП-фотоварикапы -- CdZnTe кристаллы -- CdS кристаллы -- МОП-структуры -- метод фототермического окисления -- фототермическое окисление -- кислородосодержащая атмосфера -- фотоокислительные отжиги -- отжиги подложек -- пленки CdO -- спектральные зависимости -- фотоварикапы -- полупроводниковые кристаллы -- активные примеси -- кристаллические подложки -- CdO Аннотация: МОП-гетероструктуры на основе кристаллических подложек из CdS и CdZnTe получены методом фототермического окисления образцов в кислородсодержащей атмосфере. При этом были определены режимы проведения фотоокислительных отжигов подложек из CdS, обеспечивающие получение пленок CdO с различными электрическими характеристиками. Установлено, что полученные МОП-структуры имеют высокий коэффициент перекрытия емкости по свету. Впервые определены спектральные зависимости изменения емкости таких МОП-фотоварикапов. Показана возможность значительного изменения максимума спектральной чувствительности емкости фотоварикапов путем легирования исходного полупроводникового кристалла электрически активными примесями. Доп.точки доступа: Христьян, В. А.; Матейченко, П. В. |
Калыгина, В. М. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2]. Доп.точки доступа: Грицык, В. Ю. |