Бормонтов, Е. Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров [Текст] / Е. Н. Бормонтов, М. Н. Левин, С. А. Вялых, С. Н. Борисов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 66 (19 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП -- транзистор -- вольт-амперные характеристики -- поверхностные состояния -- эффективный заряд окисла Аннотация: Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для текстового конторля интегральных микросхем Доп.точки доступа: Левин, М.Н.; Вялых, С.А.; Борисов, С.Н. |
621.37/39 Б 209 Балыко, А. К. Теоретическое обоснование методов измерения импедансов двухполюсников и S-параметров четырехполюсников [Текст] / А. К. Балыко, Н. А. Гусельников, В. А. Пчелин // Радиотехника и электроника. - 2001. - N2 . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): полная проводимость -- сверхвысокая частота -- транзистор Аннотация: Предложен метод определения полной входной проводимости четырехполюсника по измеренным модулям коэффициентов отражения и передачи для двух вариантов измерительной схемы. Дано теоретическое обоснование метода определения S-параметров по измеренным модулям коэффициентов отражения и передачи. Доп.точки доступа: Гусельников, Н.А.; Пчелин, В.А. |
621.38 В 754 Воронович, В. В. Влияние паразитных параметров транзистора на энергетические характеристики генератора с формирующей линией [Текст] / В. В. Воронович, А. Ю. Потапов // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N11. - Библиогр.:с.1391 (8 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): биполярный транзистор -- генератор с формующей линией -- паразитные параметры -- характеристики генератора с формующей линией Аннотация: Исследовано влияние паразитных параметров транзистора (коллекторной емкости и индуктивности коллекторного вывода) на энергетические характеристики генератора с формирующей линией. Установлены условия, при выполнении которых действие этих параметров не приводит к заметному ухудшению энергетических показателей. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Потапов, А.Ю. |
621.396 Д 814 Дудкин, В. П. Компенсация задержки включения в мощном ключевом каскаде на металл- оксид-полупроводниковом транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением [Текст] / В. П. Дудкин, А. В. Москалев // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N9. - Библиогр.:с.1100 (3 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): активная отрицательная обратная связь -- металл-оксид-полупроводниковый транзистор -- отрицательная обратная связь -- транзисторы Аннотация: Оценено влияние сложной активной обратной связи на временные характеристики мощного металл-оксид-полупроводникового транзистора в импульсном режиме. Установлено, что активная отрицательная обратная связь позволяет сократить время импульсного включения, не оказывая существенного влияния на процесс включения и амплитуду импульса выходного тока. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Москалев, А.В. |
621.38 Т 583 Топольницкий, В. Н. Генерация "холодного" шума сверхвысокочастотным транзистором [Текст] / В. Н. Топольницкий // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N12. - Библиогр.:с.1516 (9 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): СВЧ-шум -- генератор шума -- полевые транзисторы -- сверхвысокочастотный транзистор -- транзисторы -- холодный шум -- шумовое излучение Аннотация: Представлены результаты разработки генераторов СВЧ-шума на GaAs полевых транзисторах(ПТ), заменяющих низкотемпературные генераторы шума с криогенным охлаждением. Проведено математическое моделирование генераторного каскада и схемы прибора для различных типов ПТ в диапазоне частот 1...40 ГГц. Получены зависимости минимально достижимых уровней шумовой температуры выходного излучения для отдельных приборов, построенных по рассмотренной схеме, и обобщение этих данных на весь вышеуказанный диапазон частот. Рассмотрены результаты эксперимента, подтверждающего правомерность построения модели. Перейти: http://www.maik.ru |
621.38 М 268 Маркович, В. В. Моделирование шумов в полевом транзисторе с барьером Шоттки с двойным затвором на основе температур шумовых волн [Текст] / В. В. Маркович, О. Р. Пронич // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 10. - Библиогр.: с. 1280 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полевой транзистор -- барьер Шоттки -- шумовые волны -- паразитные сигналы Аннотация: Описана малосигнальная шумовая модель полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) с двойным затвором. В модели использованы эквивалентные схемы двух каскадных однозатворных эквивалентных ПТШ с шестью соответствующими температурами шумовых волн. Эквивалентные схемы находятся внутри сети, представляющей паразитные сигналы устройства. Волновой подход к описанию шумов позволяет определить шумовые параметры каждого однозатворного ПТШ. На основе такого подхода разработана программа, ориентированная на системы автоматизированного проектирования, которая позволяет выявлять параметры модели ПТШ в двойным затвором и шумовые температуры. Моделируемые характеристики шумовых параметров хорошо согласуются с результатами соответствующих измерений. Доп.точки доступа: Пронич, О. Р. |
621.38 К 440 Киселев, В. Мощный полевой транзистор КП784А [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2003. - N5 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): КП784А (транзисторы) -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы полевые -- электроника Аннотация: Кремниевые p-канальные транзисторы КП784А с изолированным затвором и обогащением канала,со встроенным защитным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии.Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом,в регуляторах,стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением,в узлах питания компьютеров,в устройствах привода электродвигателей и другой аппаратуре широкого применения. |
004.3 Б 291 Баулин, Александр. Транзистор-2005 [Текст] / А. Баулин // Мир ПК. - 2004. - N 11 . - ISSN 0235-3520
Рубрики: Вычислительная техника--Элементы и узлы микро-ЭВМ Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- процессоры -- нанотехнологии -- многоядерные процессоры -- Intel (товарный знак) -- AMD (вычислительная техника) -- 65-нанометровые технологии Аннотация: О новейших тенденциях в производстве транзисторов. Они становятся все миниатюрнее, но производительнее ли? . |
621.38 К 440 Киселев, В. Маломощный полевой транзистор КП214А9 [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2004. - N1 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- КП214А9 (транзисторы) -- технические характеристики -- предельно допустимые значения Аннотация: Описанные транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах управления маломощными электродвигателями и в другой радиоэлектронной аппаратуре народного хозяйства и быта. Перейти: www.radio.ru |
621.38 К 440 Киселев, В. Составной транзистор КТ8225А [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2004. - N 12 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- кремниевые транзисторы -- блоки зажигания -- электронные блоки -- автомобильные двигатели -- двигатели -- технические характеристики Аннотация: Мощный кремниевый n-p-n транзистор КТ8225А изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии. Транзистор предназначен для работы в электронных блоках зажигания автомобильных двигателей, а также в различных узлах аппаратуры широкого применения. Приведены основные технические характеристики и предельно допустимые значения транзистора. |
004.382.7 Т 65 Транзистор-невидимка [] // Природа. - 2005. - N 3. - С. 81-82 . - ISSN 0032-874X
Рубрики: Вычислительная техника--Персональные компьютеры Кл.слова (ненормированные): компьютеры; персональные компьютеры; микроэлектроника; транзисторы; полевые транзисторы; прозрачные микросхемы; тонкопленочные каналы; дисплеи Аннотация: В последние годы появилась потребность в прозрачных микросхемах. Оказалось, наиболее перспективный материал для каналов полевых транзисторов в таких микросхемах - оксид цинка. |
621.38 А 92 Атомный транзистор [] // Химия и жизнь - XXI век. - 2005. - N 9. - С. 23 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы; атомные транзисторы; микроэлектроника; новые технологии Аннотация: Физики сделали транзистор, управляемый одним атомом. |
Чуднов, В. Повторяющаяся неисправность телевизора Grundig-GR1450 [Текст] / В. Чуднов // Радио. - 2002. - N1. - С.7
Рубрики: Радиоэлектроника--Телевидение Кл.слова (ненормированные): видеотехника -- телевизоры -- дистанционное управление -- неисправности -- Grundig- телевизоры -- транзисторы -- КТ505А- транзистор -- 2N5401- транзистор -- схемы Аннотация: Автор статьи описывает способ устранения неисправности телевизора Grundig-GR1450,когда он перестает переключаться из рабочего режима в дежурный (STANDBY) по команде с пульта ДУ при нажатии на кнопку ON/OFF.Рассмотрена кратко работа схемы узла,выполняющего эту команду и рекомендации по замене транзистора в этой схеме на отечественный аналог для устойчивой работы телевизора. Перейти: www.paguo.ru |
004.3 Т 654 Транзистор: 60 лет больших свершений маленького элемента [Текст] // КомпьютерПресс. - 2007. - N 12. - С. 116-118 . - ISSN 0868-6157
Рубрики: Вычислительная техника Элементы и узлы микро-ЭВМ, 1947-2007 гг. Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- микроэлектроника -- развитие цифровой техники -- история цифровой техники Аннотация: Этапы большого пути крошечного устройства и перспективы его развития в ближайшем будущем. |
621.38 М 876 Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором КЕ703А [Текст] // Радио. - 2007. - N 2. - С. 51-52. - Ил.: 9 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): IGBT; биполярные транзисторы; биполярные транзисторы с изолированным затвором; БТИЗ; КЕ703А; кремниевые транзисторы; приборы БТИЗ; технические характеристики; транзисторы Аннотация: Кремниевые мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором (русская аббревиатура - БТИЗ, англ.- IGBT) КЕ703А, изготавливаемые по эпитаксиально-планарной технологии, предназначены для работы в блоках электронного зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания, а также в другой промышленной и бытовой аппаратуре. Приводятся основные технические характеристики, предельно допустимые значения, цоколевка. |
621.3 Г 124 Гавриленко, В. И. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN [Текст] / В. И. Гавриленко, Е. В. Демидов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 238-241 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- субмикрометровый полевой транзистор -- электронный транспорт -- терагерцовое излучение Аннотация: Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0. 25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов n[s] ? 5ъ10\{12\} см\{-2\}) при 4. 2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля. Доп.точки доступа: Демидов, Е. В.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Knap, W.; Lusakowski, J. |
621.382 К 630 Комаров, С. М. Бумажный транзистор [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 9. - С. 18 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- бумажные транзисторы -- кремний -- микросхемы -- электрический ток -- полевые транзисторы -- изоляторы -- бумажные дисплеи Аннотация: Ученые сделали транзистор на бумажной основе вместо кремниевой. |
Сутоцкая, Е. Г. Экситонный транзистор [Текст] / Е. Г. Сутоцкая, С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 7. - С. 18 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Энергетика Источники электрической энергии Кл.слова (ненормированные): экситонные транзисторы -- транзисторы -- электрические сигналы -- микроэлектроника -- электроны -- фотоны -- экситоны Аннотация: О превращении напрямую электрического сигнала в свет. Доп.точки доступа: Комаров, С. М. |
Киселев В. Транзисторы серии КТ520 и КТ521 [Текст] / Киселев В. // Радио. - 2001. - N 9. - С. 47-48
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- транзисторы -- кремниевые транзисторы -- КT520- транзистор -- KT521- транзистор Аннотация: В статье приводятся основные технические характеристики и описан внешний вид транзисторов, которые предназначены для работы в выходных ступенях видеоусилителей, переключательных высоковольтных узлах и в других устройствах аппаратуры широкого применения с повышенным уровнем напряжения питания. |
Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия [Текст] / Н. Т. Баграев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 85-94 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сэндвич-структуры -- спиновой транзистор -- дырочные подзоны -- квантовые ямы -- двумерные дырки -- бор -- взаимодействие Бычкова-Рашбы -- Бычкова-Рашбы взаимодействие Аннотация: Планарные сэндвич-структуры CdB[x]F[2-x]-p-CdF[2]-CdBxF[2-x] на поверхности кристалла n-CdF[2] исследуются с целью регистрации эффекта спинового транзистора при комнатной температуре. ВАХ сверхмелких p+-n-переходов демонстрируют запрещенную зону CdF[2], 7. 8 эВ, и спектр двумерных дырочных подзон в квантовой яме p-CdF[2]. Полученные результаты указывают на важную роль двумерных дырочных подзон в формировании "эффекта близости", который возникает вследствие андреевского отражения в сэндвич-структурах - узких квантовых ямах, ограниченных сверхпроводящими барьерами. Резонансное поведение продольной эдс в слабом магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы p-CdF[2], свидетельствует о высокой степени спиновой поляризации двумерных дырок. Высокая степень спиновой поляризации двумерных дырок в краевых каналах по периметру квантовой ямы p-CdF[2] идентифицирует механизм ВАХ спинового транзистора, обнаруженных в зависимости от напряжения затвора, управляющего величиной спин-орбитального взаимодействия Бычкова-Рашбы. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Гимбицкая, О. Н.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Шелых, И. А.; Рыскин, А. И.; Щеулин, А. С. |