621.382 Г 200 Гарбер, Г. З. Моделирование скачков выходной мощности квазиактивного сверхвысокочастотного ограничителя на p-i-n диодах [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1518-1523. - Библиогр.: с. 1523 (6 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование скачков мощности -- выходная мощность -- p-i-n диоды -- сверхвысокочастотные ограничители -- свч-ограничители Аннотация: Разработана программа моделирования во временной области GaAs интегральной схемы ограничителя мощности на двух p-i-n-диодах путем численного решения задачи с начальными условиями для нелинейной системы уравнений, описывающей электрическую схему ограничителя. Показано, что для ограничителя с 1. 8-микронным i-слоем на частоте 9. 4 ГГц зависимость амплитуды основной гармоники тока через диод от амплитуды основной гармоники напряжения на нем является S-образной и именно эта S-образность для детектирующего диода является причиной скачков выходной мощности. Приведены результаты моделирования ограничителя с 1. 2-микронным i-слоем на частотах 3, (. 4 и 25 ГГц наблюдается амплитудная модуляция выходного сигнала. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом p-i-n-диоде [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1407-1410 : ил. - Библиогр.: с. 1409 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-i-n диоды -- арсенид-галлиевые диоды -- диоды -- носители заряда -- рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- длина волны -- арсенид галлия -- экспериментальные исследования Аннотация: Установлено, что в p-i-n-диодах на арсениде галлия при высоких плотностях прямого тока существенную роль играет излучательная рекомбинация носителей заряда. Экспериментально показано, что диоды, работающие в СВЧ интегральных схемах, интенсивно излучают свет в инфракрасном диапазоне с длинами волн от 890 до 910 нм. Полученные результаты указывают на необходимость учета особенностей процессов рекомбинации в арсенид-галлиевых СВЧ p-i-n-диодах. Доп.точки доступа: Айзенштат, Г. И.; Ющенко, А. Ю.; Гущин, С. М.; Дмитриев, Д. В.; Журавлев, К. С.; Торопов, А. И. |