621.38
Б 194


    Бакланов, С. Б.
    Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы
Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры.


Доп.точки доступа:
Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А.


621.38
К 712


    Косихин, А. В.
    Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов [Текст] / А. В. Косихин, С. Б. Бакланов, С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 1. - С. 121-123. - Библиогр.: c. 123 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
гальваномагнитные эффекты; ионизирующее излучение; магниточувствительность; планарно-диффузионные симисторы; планарные симисторы; радиационное облучение; симисторы
Аннотация: Рассматриваются изменения магниточувствительных свойств многослойных полупроводниковых приборов, таких как планарно-диффузионные симисторы (ПДС), обусловленные дефектами смещения и ионизации посредством радиационного облучения структур. Выявлено, что в результате облучения возможно существенное повышение магниточувствительности ПДС. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение магниточувствительности в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/01/p121-123.pdf

Доп.точки доступа:
Бакланов, С. Б.; Новиков, С. Г.; Гурин, Н. Т.