621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.]> // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
621.38 К 712 Косихин, А. В. Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов [Текст] / А. В. Косихин, С. Б. Бакланов, С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин> // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 1. - С. 121-123. - Библиогр.: c. 123 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гальваномагнитные эффекты; ионизирующее излучение; магниточувствительность; планарно-диффузионные симисторы; планарные симисторы; радиационное облучение; симисторы Аннотация: Рассматриваются изменения магниточувствительных свойств многослойных полупроводниковых приборов, таких как планарно-диффузионные симисторы (ПДС), обусловленные дефектами смещения и ионизации посредством радиационного облучения структур. Выявлено, что в результате облучения возможно существенное повышение магниточувствительности ПДС. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение магниточувствительности в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/01/p121-123.pdf Доп.точки доступа: Бакланов, С. Б.; Новиков, С. Г.; Гурин, Н. Т. |