Гурин, Н. Т. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 75 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- электролюминесцентные излучатели -- сульфид цинка -- МДПДМ Аннотация: Обнаружена возможность существования и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- и N-типов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Показано, что при приложении отрицательной полуволны напряжения возбуждения к верхнему непрозрачному электроду наблюдается ОДС S-типа с участком падения тока, а при приложении к нижнему прозрачному электроду - ОДС N-типа. Появление ОДС обусловлено образованием объемных зарядов в прикатодной и прианодной областях слоя люминофора Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
621.3 Г 952 Гурин, Н. Т. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1168-1177 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- ударная ионизация -- электролюминесцентные излучатели -- тонкопленочные структуры Аннотация: Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |
Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 59-68 : ил. - Библиогр.: с. 67-68 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные состояния -- ПС -- диэлектрик-полупроводник -- электролюминесцентные излучатели -- моделирование распределения плотности -- тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- релаксация электронов -- фазовые переходы -- экспериментальные данные Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |