+ Г 952 Гурин, Н. Т. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.82-83 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сульфид цинка -- тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- яркость свечения Аннотация: Представлены результаты исследования кинетики мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых знакопеременным напряжением треугольной формы частотой 0.1-2 Hz. Обнаружены два участка нарастания во времени мгновенной яркости и тока, "быстрый" и "медленный", которым соответствуют разные области на полевых, зарядовых зависимостях мгновенной яркости и на других электрофизических характеристиках. На основании решения кинетического уравнения получены зависимости мгновенной яркости и внутреннего квантового выхода от времени. Результаты объясняются образованием объемных зарядов в слое люминофора, сопровождающем уменьшением эффективной толщины этого слоя, и изменением механизма возбуждения центров свечения Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
+ Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. В. Шляпин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 58 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- сульфид цинка -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- глубокие центры Аннотация: Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS:Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора Доп.точки доступа: Сабитов, О.Ю.; Шляпин, А.В. |