539.2 Б 752 Боднарь, И. В. Низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов AgGaSe[2] [Текст] / И. В. Боднарь, М. В. Якушев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 57 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тройные соединения -- селеногаллат серебра -- фотолюминесценция Аннотация: На монокристаллах тройного соединения AgGaSe[2], ыращенных методом Бриджмена-Стокбаргера из нестехиометрического расплава исследованы спектры фотолюминесценции в интервале температур 8-300 K при различных уровнях возбуждения. В спектрах фотолюминесценции обнаружены полосы излучения, связанные с донорно-акцепторной рекомбинацией, связанными и свободными экситонами. Рассчитаны энергия связи экситона и ширина запрещенной зоны кристаллов AgGaSe[2]. Построены температурные зависимости изменения связанного и свободного экситонов и ширины запрещенной зоны указанных кристаллов. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-55.html.ru Доп.точки доступа: Якушев, М. В. |
658.516 Я 499 Якушев, М. В. Проблемы внутреннего аудита [Текст] / М. В. Якушев // Методы менеджмента качества. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 48 (3 назв. ) . - ISSN 0130-6898
Рубрики: Экономика--Экономический анализ Техника--Стандартизация. Контроль качества Кл.слова (ненормированные): аудит -- стандарты -- СМК -- система менеджмента качества -- внутренние аудиты СМК Аннотация: Рассматриваются проблемы, возникающие у службы качества предприятия при проведении внутренних аудитов СМК. Предлагаются решения поставленных проблем, основанные на опыте. |
539.2 Я 499 Якушев, М. В. Морфология поверхности подложки Si (310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe: I. Чистая поверхность Si (310 [Текст] / М. В. Якушев, Д. В. Брунев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 41-47 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- CdHgTe -- поверхность подложки Si (310) -- отжиг в вакууме -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и дифракции электронов высокой и низкой энергии исследовано влияние отжига в вакууме на морфологию гидрогенизированной и окисленной поверхностей Si (310). Установлено, что после десорбции пассивирующего покрытия поверхность имеет сильно развитый рельеф, образованный преимущественно ступенями высотой в два монослоя. Отжиг до температуры 900 плюс минус 15 градусов С с последующим резким остыванием приводит к фасетированию поверхности плоскостями (510). Присутствие на поверхности Si (310) ступеней высотой в два монослоя позволяет использовать кристаллы Si, ориентированные по плоскости (310), в качестве подложки для гетероэпитаксии соединений A\{2\}B\{6\}. Доп.точки доступа: Брунев, Д. В.; Романюк, К. Н.; Долбак, А. Е.; Дерябин, А. С.; Миронова, Л. В.; Сидоров, Ю. Г. |
539.2 Я 499 Якушев, М. В. Морфология поверхности подложки Si (310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe: II. Поверхность Si (310), отожженная в парах As[4] [Текст] / М. В. Якушев, Д. В. Брунев, К. Н. Романюк, Ю. Г. Сидоров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 14-20 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): подложка Si (310) -- Si (310) -- CdHgTe -- As[4] -- поверхность подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология гидрогенизированной поверхности -- отжиг в парах As[4] Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов и сканирующей туннельной микроскопии исследована морфология гидрогенизированной поверхности Si (310), отожженной в парах As[4]. Установлено, что при температуре отжига выше 700 градусов С происходит изменение морфологии поверхности с образованием фасеток (311) и ступеней высотой в несколько межплоскостных расстояний. При температуре ниже 600 градусов С фасетирование поверхности не происходит, и ступени имеют высоту в два межплоскостных расстояния. Это делает поверхность пригодной для выращивания гетероструктур на основе соединений А[2]В[6]. Доп.точки доступа: Брунев, Д. В.; Романюк, К. Н.; Сидоров, Ю. Г. |
621.315.592 М 893 Мудрый, А. В. Оптическая спектроскопия свободных экситонов в халькопиритном полупроводниковом соединении CuInS[2] [Текст] / А. В. Мудрый, А. В. Иванюкович [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 31-35
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- экситоны -- CuInS[2] -- направленная кристаллизация -- халькопиритные полупроводниковые соединения Аннотация: При 4. 2 K исследованы спектры отражения и люминесценции высококачественных монокристаллов CuInS[2], выращенных методом направленной кристаллизации. Доп.точки доступа: Иванюкович, А. В.; Якушев, М. В.; Мартин, Р.; Саад, А. |
621.315.592 В 180 Варавин, В. С. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием [Текст] / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 664-667 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- легирование индием -- фоторезисторные приемники -- фотодиодные приемники Аннотация: Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках Cd[x]Hg[1-x]Te. Пленки с x~0. 22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам. Доп.точки доступа: Дворецкий, С. А.; Икусов, Д. Г.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Сидоров, Г. Ю.; Якушев, М. В. |
Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd[1-z]Zn[z]Te методом спектральной эллипсометрии [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 62-68 : ил. - Библиогр.: с. 67 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектральная эллипсометрия -- метод спектральной эллипсометрии -- слои -- гетероэпитаксиальные слои -- твердые растворы -- Cd[1-z]Zn[z]Te -- тройное полупроводниковое соединение -- кадмий–ртуть–теллур -- КРТ -- CdHgTe -- кадмий-цинк-теллур -- КЦТ -- CdZnTe -- эллипсометрические параметры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- спектры эллипсометрических параметров -- температура роста -- стабильная температура Аннотация: Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd[1-z]Zn[z]Te при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1. 2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Швец, В. А.; Азаров, И. А.; Рыхлицкий, С. В.; Сидоров, Ю. Г.; Спесивцев, Е. В.; Шамирзаев, Т. С. |
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. - Библиогр.: c. 45 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Электротехника в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В. |
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 39-46 : ил. - Библиогр.: с. 46 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- эпитаксиальные слои -- CdHgTe -- подложки (физика) -- Si -- кремний -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- GaAs -- арсенид галлия -- спектры люминесценции -- экситоны -- рекомбинация экситона -- донорно-акцепторная рекомбинация -- примеси (физика) Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Показано, что разупорядочение твердого раствора в данных слоях не превышает разупорядочения в слоях, выращенных этим же методом на подложках из GaAs. В спектрах люминесценции слоев CdHgTe на подложках из Si наблюдались линии, свойственные структурно-совершенному материалу, в частности, полосы донорно-акцепторной рекомбинации и рекомбинации экситона, связанного на примеси. Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Смирнов, В. А.; Якушев, М. В.; Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г. |
621.375 С 890 Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si (310) [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 4. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): фотоприемные модули -- субматричные фотоприемные модули -- гетероструктуры -- HgCdTe/Si (310) -- фотоприемники -- инфракрасные фотоприемники -- линейчатые инфракрасные фотоприемники -- длинноволновые области -- инфракрасные спектры Аннотация: Впервые продемонстрирована возможность изготовления на основе гетероструктуры Cd[x]Hg[1-x]Te/Si (310) линейчатого инфракрасного фотоприемника формата 288x 4 для длинноволновой (8-12 mum) области инфракрасного спектра. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/04/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В.; Сусляков, А. О. |
621.315.592 Г 441 Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402 : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p396-402.pdf Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. |
621.315.592 Э 454 Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1363-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- оптические свойства -- эпитаксиальные пленки -- кремниевые подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- фотолюминесценция -- эффект Холла -- Холла эффект -- низкоэнергетическая ионная обработка -- НИО -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- CdHgTe -- структурные дефекты -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данные измерений фотолюминесценции указывают на высокое структурное совершенство пленок, а данные исследования эффекта Холла в сочетании с низкоэнергетической ионной обработкой - на низкую концентрацию остаточных доноров (~ 5 x 10{14} см{-3}). В пленках выявлено наличие акцепторных состояний, предположительно связанных с захватом примесей на структурные дефекты, типичные для сильно рассогласованных гетероэпитаксиальных структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1363-1367.pdf Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Мынбаев, К. Д.; Якушев, М. В.; Ижнин, А. И.; Фицыч, Е. И.; Баженов, Н. Л.; Шиляев, А. В.; Савицкий, Г. В.; Jakiela, R.; Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А. |
621.315.592 И 889 Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника [Текст] / А. В. Сорочкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 551-557 : ил. - Библиогр.: с. 556 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические характеристики -- диоды -- тестовые фотодиоды -- фотодиоды -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- экспериментальные результаты -- теоретические расчеты -- фототок -- мезаструктуры -- макетные фоточувствительные пиксели -- фоточувствительные пиксели -- фотоприемники -- инфракрасные фотоприемники -- ИК фотоприемники -- матричные фотоприемники Аннотация: Изготовлены тестовые фотодиоды, сформированные в виде разноплощадных мезаструктур размером от 30x 30 до 100x 100 мкм на основе структуры Cd[x]Hg[1-x]Te/Si при x=0. 235, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Измерены вольт-амперные характеристики диодов в темновом режиме и при засветке фоном. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами. Установлено, что зависимость фототока и темнового тока фотодиода от размера мезаструктуры проявляется в диапазоне размеров мез от 30x30 до 80x 80 мкм. При увеличении размера происходит уменьшение темнового тока и увеличение фототока. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение вольт-амперных характеристик. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p551-557.pdf Доп.точки доступа: Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Якушев, М. В. |
535.37 Ф 815 Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 900-907 : ил. - Библиогр.: с. 906 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- подложки -- твердые растворы -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- кристаллические решетки -- термический отжиг -- эпитаксиальные слои -- потенциальные ямы -- квантовые ямы -- квантование -- низкие температуры -- рекомбинация экситона -- запрещенные зоны -- носители заряда -- квантово-размерные структуры -- уровни квантования -- энергия фотона Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур на основе Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs и Si. Установлено, что для подобных структур характерно существенное нарушение дальнего порядка в кристаллической решетке. Показано, что наблюдаемое разупорядочение в основном обусловлено неравновесным характером МЛЭ и может быть частично снято постростовым термическим отжигом. В спектрах эпитаксиальных слоев и в структурах с потенциальными ямами без эффекта размерного квантования при низких температурах доминирует пик рекомбинации экситона, локализованного в хвостах плотности состояний, энергия которого существенно меньше ширины запрещенной зоны. В квантово-размерных структурах при низких температурах основной пик ФЛ обусловлен рекомбинацией носителей заряда между уровнями квантования, и энергия излучаемого фотона строго определяется эффективной (с учетом энергии уровней квантования) шириной запрещенной зоны. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p900-907.pdf Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Сорочкин, А. В.; Ремесник, В. Г.; Дворецкий, С. А.; Варавин, В. С.; Сидоров, Ю. Г. |
539.2 Д 390 Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных на подложках из Si (310) [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 956-964 : ил. - Библиогр.: с. 963-964 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефекты упаковки -- кристаллические структуры -- подложки -- кремниевые подложки -- слои -- GdHgTe -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- селективное травление -- гетероструктуры -- антифазные домены -- поликристаллы -- адсорбция цинка -- температура роста -- давление паров -- границы раздела -- анизотропное распределение Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и селективного травления исследована микроструктура слоев CdTe (310) и CdHgTe (310), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Установлено, что в гетероструктурах CdHgTe/CdTe/ZnTe/Si (310) образование антифазных доменов определяется условиями формирования интерфейса ZnTe/Si. Создав условия, облегчающие адсорбцию цинка, возможно получение монодоменных слоев. Повышение температуры роста и давления паров Te2 вызывает появление антифазных доменов и увеличение их плотности вплоть до роста поликристалла. Обнаружено, что в гетероструктуре CdHgTe/Si (310) присутствуют дефекты упаковки, анизотропно распределенные в объеме выращенных слоев. Дефекты упаковки преимущественно лежат в одной плоскости (111), пересекающей поверхность (310) под углом 68{o}. Зарождение дефектов упаковки происходит на границе раздела ZnTe/Si (310). Обсуждаются причины образования дефектов упаковки и их анизотропного распределения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p956-964.pdf Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Гутаковский, А. К.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г. |
539.2 А 640 Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С. |
621.3 Ф 815 Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В. |
538.9 Д 251 Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры Cd[x]Hg[1-x]Te на длинах волн 2 и 3 мкм / Ю. Н. Ноздрин [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 6. - С. 404-408
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- двухслойные гетероструктуры -- двухчастотное стимулированное излучение -- импульсные лазеры Аннотация: Приводятся результаты наблюдения двухчастотного стимулированного излучения из двухслойной гетероструктуры на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при оптической накачке с помощью импульсного Nd: YAG лазера при температурах T = (77-150) K. Спектральные линии излучения наблюдались на длинах волн ~2 и 3 мкм. Приводятся экспериментально измеренные при различной температуре спектры излучения. Доп.точки доступа: Ноздрин, Ю. Н.; Окомельков, А. В.; Варавин, В. С.; Якушев, М. В.; Дворецкий, С. А.; Институт физики микроструктур РАН; Институт физики микроструктур РАН; Институт физики полупроводников СО РАН; Институт физики полупроводников СО РАН; Институт физики микроструктур РАН |
539.21:535 В 932 Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией / К. Д. Мынбаев [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 10. - С. 147-150. - Библиогр.: c. 150 ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- твердые растворы -- нитриды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- фотолюминесценция -- высокотемпературная фотолюминесценция -- гетероэпитаксиальные структуры -- узкощелевые полупроводники -- разупорядочение растворов -- теллурид кадмия-ртути Аннотация: Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн lambda=1. 5-4. 3 mum. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/10/p147-150.pdf Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Шиляев, А. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Ремесник, В. Г.; Варавин, В. С. |
539.21:537 Д 390 Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных p{+}-n-фотодиодных структур / К. Д. Мынбаев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 16. - С. 65-72 : ил. - Библиогр.: с. 71-72 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): дефекты -- гетероэпитаксиальные слои -- фотолюминесценция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- легирование -- фотодиоды -- инфракрасная фотоэлектроника Аннотация: Методом фотолюминесценции исследована дефектно-примесная структура гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe/Si (0. 35 меньше чем X меньше чем 0. 39), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией для создания p{+}-n-переходов ионной имплантацией мышьяка. Показано, что полной реализации возможностей фотодиодных структур "p{+}-на-n" на основе CdHgTe/Si препятствует неконтролируемое легирование материала, приводящее к формированию как мелких (с энергией залегания приблизительно 10 meV), так и глубоких (приблизительно 50 meV) акцепторных уровней. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/16/p65-72.pdf Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Якушев, М. В.; Марин, Д. В.; Варавин, В. С.; Сидоров, Ю. Г.; Дворецкий, С. А. |