621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
Орлов, Л. К. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Si[1-x]Ge[x]/Si в условиях нестационарного процесса [Текст] / Л. К. Орлов, С. В. Ивин, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 57 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидридная эпитаксия -- массоперенос -- твердые растворы -- численное моделирование -- кинетика роста слоев -- силан -- герман -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероструктуры Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si[1-x]Ge[x] как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10{-3}Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста T[gr]<600C может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры Доп.точки доступа: Ивин, С.В.; Потапов, А.В.; Ивина, Н.Л. |
Гребенщикова, Е. А. InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии [Текст] / Е. А. Гребенщикова, Н. В. Зотова [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.60 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия -- светодиоды -- гетероструктура Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 мкм. Внешний квантовый выход диодов составил 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 мкм при Т=77К Доп.точки доступа: Зотова, Н.В.; Кижаев, С.С.; Молчанов, С.С.; Яковлев, Ю.П. |
Жуков, А. Е. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током [Текст] / А. Е. Жуков, Е. С. Семенова, В. М. Устинов, E. R. Weber // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.64 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- плазменные источники -- эпитаксиальные слои -- внедрение азота -- арсенид галлия Аннотация: Серия слоев GaAsN была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием нового типа плазменного источника азота с активацией постоянным током. Эффективность встраивания азота, кристаллическое совершенство, морфология поверхности и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев исследованы по взаимосвязи с различными режимами работы источника Доп.точки доступа: Семенова, Е.С.; Устинов, В.М.; Weber, E.R. |
530.1 Р 220 Рандошкин, В. В. Определение тонкой структуры энергетических уровней редкоземельных ионов путем разложения спектров поглощения на составляющие [Текст] / В. В. Рандошкин, Н. В. Васильева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 10. - Библиогр.: с. 27 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика--Теоретическая физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): диагностика материалов -- ионы -- оптическое поглощение -- поглощение -- редкоземельные ионы -- энергетические уровни -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия Аннотация: Описывается метод определения положения энергетических уровней редкоземельных ионов в структуре граната с повышенной точностью. Доп.точки доступа: Васильева, Н. В. |
548.522:539.216.22:621.315.592 И 257 Ивонин, И. В. Исследование поверхностных процессов при газофазной эпитаксии GaAs: асимметричный захват атомов в ступень [Текст] / И. В. Ивонин, И. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьев, Л. П. Пороховниченко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.61 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- захват атомов -- поверхностный массоперенос -- эпитаксия Аннотация: Представлены экспериментальные доказательства асимметричного захвата атомов в ступени роста при газофазной эпитаксии арсенида галлия в системе GaAs-AsCl[3]-H[2]. Полученные данные подтверждают важную роль диффузионного поверхностного массопереноса при росте эпитаксиальных слоев GaAs на вициналях в окрестности (111)А. Выполнена оценка эффективной диффузионной длины Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Красильникова, И.М.; Лаврентьев, Л.Г.; Пороховниченко, Л.П. |
548.522:539.216.22:621.315.592 И 257 Ивонин, И. В. Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазной эпитаксии [Текст] / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.93 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид индия -- газофазная эпитаксия -- ростовые поверхности -- эпитаксиальные пленки Аннотация: С применением электронной микроскопии исследовано влияние концентрации ростовых компонентов в газовой фазе на структуру сингулярных, вицинальных и несингулярных ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев InAs, выращенных в системе In-AsCl[3]-H[2]. Установлено, что среднее растояние lambda между ступенями в эшелоне увеличивается при возрастании входного давления P[AsCl[3]] в диапазоне 70-700 Па с последующим выходом на постоянное значение lambda при P[AsCl[3]]>700 Па. Наблюдаемые зависимости lambda (P[AsCl[3]]) объяснены в рамках модели, предполагающей диффузионное взаимодействие ступеней Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Девятьярова, Л.Л.; Лаврентьева, Л.Г.; Александрова, Г.А. |
621.315.592.546 Л 135 Лаврентьева, Л. Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.17-19 (81 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- легирующие примеси -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- мышьяк Аннотация: В статье дан обзор работ, авторы которых изучали возможность управления свойствами эпитаксиального GaAs за счет введения избыточного (сверхстехиометрического) мышьяка в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при низких температурах (LT-GaAS). Исследуется влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев LT-GaAS непосредственно после выращивания и после отжига. Рассматривается влияние легирующих примесей на захват избыточного мышьяка. Приводятся данные по влиянию избыточного мышьяка на свойства твердого раствора Ga[0,47]In[0,53]As. Обсуждаются особенности механизма захвата избыточного мышьяка в твердую фазу в условиях низкотемпературного эпитаксиального роста Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. |
548.522:539.216.22:621.315.592 И 257 Ивонин, И. В. Влияние концентрации мышьяка на характеристики эшелона ступеней роста при газофазовой эпитаксии GaAs [Текст] / И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова, Л. Л. Девятьярова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.69 (5 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- мышьяк -- эпитаксия -- эшелоны ступеней роста Аннотация: Исследовано влияние концентрации мышьяка в газовой фазе на распределение ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных в хлоридно-гидридной газотранспортной системе на подложках ориентации 4`(111)A и (113)A. Показано, что среднее расстояние между ступенями в эшелоне зависит от концентрации мышьяка, увеличиваясь с ее ростом до некоторого постоянного значения. Предполагается, что это связано с изменением плотности изломов на ступенях Доп.точки доступа: Лаврентьева, Л.Г.; Александрова, Г.А.; Девятьярова, Л.Л. |
519.7 А 686 Аннотации статей, депонированных в ВИНИТИ [Текст] // Известия вузов. Физика. - 2003. - N2. - Опубликованны аннотации статей депоннированных в ВИНИТИ: 1.Лячин А.В. Переход от стационарного к динамическому режиму в нелинейном кольцевом интерферометре. 2.Бобровнивова И.А., Субач С.В. Равновесный примесный состав адсорбционного слоя на поверхности легированного кремнием GaAs ориентации (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии. 3. Антропова Е.В., Поплавной А.С., Силинин А.В. Термодинамические свойства нитрата натрия с учетом анармонизма . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Математика--Математическая кибернетика--Общие вопросы физики--Электротехника Кл.слова (ненормированные): анармонизм -- молеклярно-лучевая эпитаксия -- нелинейный кольцевой интерферометр -- нитрат натрия Аннотация: Представлены аннотации статей, депонированных в ВИНИТИ Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
537 Н 712 Нишизава Д, ж. -И. (???? 1). Развитие эпитаксии GaAs-от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов [Текст] / ж. -И. Нишизава Д, Т. Курабаяши // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 23 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): атомно-слоевая эпитаксия -- метод Чохральского -- молекулярно-слоевая эпитаксия -- полупроводниковые устройства Аннотация: Исследовано влияние стехиометрии на различные свойства соединений III-V. Экспериментально показано, что опимальное давление элимента V группы минимизирует отклонение состава материала от стехиометрического. Технология с использованием давления паров летучего компонента в качестве управляющего параметра преминима не только с жидкофазовой эпитаксии и выращиванию монокристалов, но также к поверхностным реакциям при молекулярно-слоевой эпитаксии.Атомные процессы, контролирующие эпитаксию этих материалов, были изучены путем исследования мезанизма поверхностных реакций. Был достигнут самолитируемый рост атомных и молекулярных слоев, при этом была разработана технология легирования путем выбора соответствующего вещества прекурсора Доп.точки доступа: Курабаяши, Т. (???? 1) |
621.31 И 257 Ивонин, И. В. (???? 1). Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитаксии полупроводниковых соединений [Текст] / И. В. Ивонин, И. А. Бобровникова // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 44 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): газофазовая эпитаксия -- диффузия адсорбированных атомов -- решетки кристаллов -- эпитаксильные слои Аннотация: В стаье дан обзор работ, выполненных в Сибирском физико-техническом институте им. В.Д.Кузнецова при Томском госуниверситете и напрвленных на получение деятельной информации лб элементарных прцессах роста, протекающих на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии пленок полупроводниковых соединений III-V. Описаны общий подход к проблеме и используемые способы ее решения. Представлены результаты исследований состава адсорбционных слоев, процессов диффузии и встраивания ростовых единиц в кристалл Доп.точки доступа: Бобровникова, И.А. (???? 1) |
535:621.315.592 Н 712 Нишизава Д, ж. -И. (???? 1). Современные достижения в области терагерцовых волн и базовых материалов [Текст] / ж. -И. Нишизава Д, К. Суто, Т. Курабаяши // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): атомные слои -- терагерцевая область частот -- терагерцевые технологии -- фотоэлектронные частоты -- эпитаксия Аннотация: Неисследованная терагерцевая (ТГц) область частот часто включает важные явления как фундаментального, так и прикладного характера.Например, сюда относятся фононные взаимодействия, вращательные переходы и межмолекулярное взаимодействие. Частотно-перестраиваемая генерация ТГц-волны высокой мощности была реализована с использованием решеточных колебаний в кристаллах. Были изготовлены полупроводниковые приборы, использующие эффект электронного туннелирования Доп.точки доступа: Суто, К. (???? 1); Курабаяши, Т. (???? 1) |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 7. - Библиогр.: с. 76-77 ( 10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- вариозные структуры КРТ -- электрофизические параметры Аннотация: В работе проведено численное моделирование влияния широкозонного и узкозонного вариозных слоев на результаты холловских измерений концентрации и подвижности носителей заряда эпитаксильных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ. Исследование зависимости относительно различия между эффективными методами значениями электрофизических параметров, полученных в эксперименте, и параметров основного "рабочего" слоя эпитаксильной пленки от характеристик вариозного слоя показало неравназначное влияние широкозонного и узкозонного слоев. Доп.точки доступа: Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П. |
537 Ш 471 Шенгуров, В. Г. Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. А. Толомасов, В. Ю. Чалков // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 160 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): нагреватели -- подложки -- вакуум -- сверхвысокий вакуум -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Описано устройство равномерного прогрева подложек для молекулярно-лучевой эпитаксии до температуры 1450 градусов С. Доп.точки доступа: Светлов, С. П.; Толомасов, В. А.; Чалков, В. Ю. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Релаксированные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 44-45. - Библиогр.: с. 46 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атмосферное давление; буферные слои; газофазная эпитаксия; германий; давление; дислокации; кремний; нанофотоника; плотность; поверхностные слои; подложки; полировка; прорастающие дислокации; релаксированные буферные слои; слои; химико-механическая полировка; шероховатость; эпитаксия Аннотация: Методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении выращены релаксированные градиентные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si (1-x) Ge (x) / Si (001) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si (001) . Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Кузнецов, О. А.; Новиков, А. В.; Перевощиков, В. А.; Шалеев, М. В. |
539.2 А 72 Антонов, А. В. Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом [] : А. В. Антонов [и др. ] / А. В. Антонов, В. Я. Алешкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 47-49. - Библиогр.: с. 49 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газы; германий; гетероструктуры; двумерный дырочный газ; дырочный газ; ИК-диапазон; кремний; легированные гетероструктуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; наноструктуры; селективно легированные гетероструктуры; сигналы; спектры; фотопроводимость; эпитаксия Аннотация: Представлены результаты исследований спектров латеральной фотопроводимости селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом. Обнаружено, что в спектрах фотопроводимости исследованных структур присутствуют два сигнала, имеющие различные знаки. Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Красильник, З. Ф; Новиков, А. В.; Ускова, Е. А.; Шалеев, М. В. |
539.2 В 15 Валах, М. Я. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражения самоорганизованных SiGe - наноостровков, сформированных при различных температурах [] / М. Я. Валах, Р. Ю. Голиней [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 54-57. - Библиогр.: с. 57 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; комбинационное рассеяние; кремниевые матрицы; кремний; матрицы; межзонные оптические переходы; молекулярно-лучевая эпитаксия; наноостровки; нанофотоника; напряжения; переходы; полупроводники; рассеяние; самоорганизованные наноостровки; свет; спектроскопия; упругие напряжения; электронные переходы; электроотражение; энергии; эпитаксия Аннотация: Исследованы SiGe - наноостровки в кремниевой матрице. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Доп.точки доступа: Голиней, Р. Ю.; Джаган, В. Н.; Красильник, З. Ф.; Литвин, О. С.; Лобанов, Д. Н.; Милехин, А. Г.; Никифоров, А. И.; Новиков, А. В.; Пчеляков, О. П.; Юхимчук, В. А. |