621.3 П 189 Парчинский, П. Б. Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / П. Б. Парчинский, А. Ю. Бобылев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1163-1167 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводниковые соединения -- спектры люминесценции -- экситонная люминесценция -- спинтроника -- GaMnAs Аннотация: В температурном интервале 4-150 K исследованы спектры люминесценции слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах слоев GaMnAs, содержащих кластеры MnAs, обнаружены локальные максимумы при энергиях 1. 36 и 1. 33 эВ. Показано, что величина красного сдвига линии экситонной люминесценции зависит от содержания Mn в полупроводниковой матрице. Доп.точки доступа: Бобылев, А. Ю.; Власов, С. И.; Фу Чен Ю; Дожин Ким |
621.382 З-135 Зависимость скорости поверхностной генерации на границе раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло от условий формирования области неравновесного обеднения [Текст] / П. Б. Парчинский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 15. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 6-7 (16 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремний-свинцово-боросиликатное стекло -- кремний -- свинец -- боросиликатные стекла -- поверхностная генерация -- скорость генерации -- условия формирования -- приповерхностные области -- области неравновесного обеднения -- изотермическая релаксация -- метод изотермической релаксации -- МДП-структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- границы раздела -- генерационные характеристики -- инверсионное напряжение -- импульсы напряжения -- состояние равновесия -- носители заряда -- ловушечные центры -- инжекция носителей Аннотация: Методом изотермической релаксации емкости МДП-структуры исследованы генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. Обнаружено, что эффективная скорость поверхностной генерации зависит от амплитуды импульса инверсионного напряжения, выводящего структуру из состояния равновесия. Показано, что обнаруженная зависимость может быть обусловлена инжекцией носителей заряда через границу раздела кремний-стекло с их последующей локализацией на ловушечных центрах в приповерхностной области стекла. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/15/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Парчинский, П. Б.; Насиров, А. А.; Лигай, Л. Г.; Алламбергенов, М. М.; Исмайлов, К. А. |