621.315.592.546 Л 135 Лаврентьева, Л. Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.17-19 (81 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- легирующие примеси -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- мышьяк Аннотация: В статье дан обзор работ, авторы которых изучали возможность управления свойствами эпитаксиального GaAs за счет введения избыточного (сверхстехиометрического) мышьяка в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при низких температурах (LT-GaAS). Исследуется влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев LT-GaAS непосредственно после выращивания и после отжига. Рассматривается влияние легирующих примесей на захват избыточного мышьяка. Приводятся данные по влиянию избыточного мышьяка на свойства твердого раствора Ga[0,47]In[0,53]As. Обсуждаются особенности механизма захвата избыточного мышьяка в твердую фазу в условиях низкотемпературного эпитаксиального роста Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. |
621.3 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Цветовые возможности люминофоров ZnS: (CuCl, Ga) в зависимости от очередности легирования CuCl и галлием [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, авт. Н. В. Кицюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 746-750 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): люминофоры -- легирующие примеси -- люминесцентные характеристики -- термолегирование -- ZnS -- CuCl -- Ga Аннотация: Исследовано влияние очередности введения легирующих примесей CuCl и Ga при термолегировании ZnS на люминесцентные характеристики получаемого люминофора. Рассмотрены процессы диффузии Ga и CuCl в ZnS, а также роль этих примесей в формировании излучательных центров в ZnS: (CuCl, Ga). Показано, что очередность введения этих примесей позволяет варьировать значения цветовых координат (X=0. 242-0. 351, Y=0. 555-0. 551) люминофора ZnS: (CuCl, Ga) и интенсивность полосы излучения с максимумом при 404 нм. Доп.точки доступа: Кицюк, Н. В. |
530.1 Z 32 Zarechnaya, E. Y. Ground-state properties of boron-doped diamond [Текст] / E. Y. Zarechnaya, E. I. Isaev [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 4. - С. 892-899. - Библиогр.: с. 899 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): легирующие примеси -- бор -- примеси -- алмаз -- легированнный бор -- сверхпроводник изолятор-металл -- изолятор-металл Доп.точки доступа: Isaev, E. I.; Simak, S. I.; Vekilov, Y. K.; Dubrovinsky, L. S.; Dubrovinskaia, N. A.; Abricosov, I. A. |
621.315.592 Б 912 Бурдиян, И. И. Некоторые аспекты подбора примесей, улучшающих фотоэлектрические характеристики халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / И. И. Бурдиян, В. В. Косюк, Р. А. Пынзарь // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 208-210 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- легирующие примеси -- примесные атомы -- фотоэлектрические характеристики Аннотация: Рассматривается влияние малых концентраций легирующих примесей двух групп - Sn, Pb, Dy, Ho, Y и In, Cs, Al - на фотоэлектрические свойства As[2]Se[3] и (As[2]S[3]) [0. 3] (As[2]Se[3]) [0. 7]. Исследование спектральных распределений фотопроводимости и оптического поглощения показало отчетливое увеличение фотопроводимости при уровне легирования элементами первой группы до 0. 015 ат%. Элементы второй группы примесей никаких заметных действий не производили. Действие элементов первой группы объясняется замещением вакантных мест, образованных отсутствием легколетучих атомов Se и S, небольшими концентрациями атомов примеси. Наблюдаемый эффект связан со способностью замещающих атомов сохранять ковалентную связь, с малым расхождением в размерах атомов и коэффициентов электронного сродства по отношению к S и Se. Атомы второй группы примесей этими признаками не обладают. Доп.точки доступа: Косюк, В. В.; Пынзарь, Р. А. |
539.2 Г 611 Головин, Ю. И. Влияние типа и концентрации легирующей примеси на динамику бета-индуцированного изменения микротвердости кремния [Текст] / Ю. И. Головин, А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Сучкова // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): легирующие примеси -- микротвердость кремния -- кремний -- низкоинтенсивное электронное излучение -- бета-индуцированное разупрочнение Аннотация: Исследовано влияние типа и концентраций легирующей примеси (P, Sb, B) на динамику преобразования подсистемы структурных (собственных и радиационных) дефектов кремния в условиях низкоинтенсивного электронного облучения. Предложена качественная модель формирования комплексов вторичных радиационных дефектов, ответственных за максимум бета-индуцированного разупорядочения монокристаллов кремния. Доп.точки доступа: Дмитриевский, А. А.; Сучкова, Н. Ю. |
Драпак, С. И. Электрические свойства и фоточувствительность гетероструктур, полученных термическим разложением водного раствора нитрата галлия на поверхности скола селенида индия (0001) [Текст] / С. И. Драпак, Н. С. Юрценюк, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 71-75. - Библиогр.: c. 75 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фоточувствительность -- термическое разложение -- нитрат галлия -- селенид индия -- легирующие примеси -- токовая нестабильность -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Показана принципиальная возможность использования метода термического разложения водного раствора нитрата галлия в воздушной атмосфере на поверхности полупроводниковой подложки для изготовления структур, чувствительных в ближней УФ-области спектрального дипазаона. Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Ga[2]O[3]-n- (p-) InSe. Обнаружено, что возникновение высокоомного слоя на границе раздела InSe-Ga[2]O[3] оказывает влияние не только на электрические свойства, но и на спектральное распределение фоточувствительности исследуемых гетероструктур. Сделано предположение о том, что токовая нестабильность с Z- и N-образными обратными ветвями вольт-амперных характеристик структур Ga[2]O[3]-p-InSe является следствием неоднородности распределения легирующей примеси в объеме квазидвумерного селенида индия p-типа проводимости. Доп.точки доступа: Юрценюк, Н. С.; Ковалюк, З. Д. |
Захаров, Б. Г. Проблемы, перспективы и альтернативы выращивания монокристаллов полупроводников в космосе [Текст] / Б. Г. Захаров, В. И. Стрелов, Ю. А. Осипьян // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 3-10
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): условия микрогравитации -- легирующие примеси -- условия диффузионного тепломассопереноса -- условия невесомости -- термогравитационная конвекция -- макронеоднородность свойств кристаллов -- микронеоднородность свойств кристаллов Аннотация: Проведен анализ результатов экспериментов по выращиванию монокристаллов полупроводников в реальных условиях микрогравитации на борту космических аппаратов. Исследованы причины возникновения в кристаллах микро- и макронеоднородностей распределения легирующей примеси. Показано, что для достижения высокой однородности свойств выращиваемых кристаллов необходимо обеспечить в расплаве условия диффузионного тепломассопереноса. Такие условия и ожидаемые предельные параметры кристаллов могут быть получены при отсутствии термогравитационной конвекции, при исключении свободной поверхности расплава, а также при минимизации внешних квазистатических воздействий на расплав. Эти причины вызывают в условиях микрогравитации вынужденные конвективные течения и, соответственно, неоднородность состава и свойств выращиваемых кристаллов из-за возрастающей гравитационной чувствительности расплавов. Доп.точки доступа: Стрелов, В. И.; Осипьян, Ю. А. |
Рентгенотопографическая характеризация структурного отклика кристаллов Ge (Ga) на изменение ориентации вектора силы тяжести в процессе кристаллизации [Текст] / И. А. Прохоров [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 11-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- микрогравитация -- космические аппараты -- конвективные течения в расплаве -- процесс кристаллизации -- легирующие примеси Аннотация: Методом плосковолновой рентгеновской топографии исследовано влияние возмущений процесса кристаллизации, связанных с изменением ориентации фронта кристаллизации относительно вектора силы тяжести (характерных для роста кристаллов в условиях микрогравитации на борту космических аппаратов), на реальную структуру кристаллов. Установлено, что такие возмущения могут приводить к локальным нарушениям в распределении примеси в виде микросегрегационных полос роста. Проведены количественные оценки амплитуды вариации состава, основанные на анализе контраста изображений полос роста, полученных методом плосковолновой рентгеновской топографии. Доп.точки доступа: Прохоров, И. А.; Захаров, Б. Г.; Сидоров, В. С.; Стрелов, В. И. |
Математическая модель роста биокристаллов под воздействием управляющего теплового поля [Текст] / В. П. Гинкин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 17-24
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание биокристаллоов белка -- кристаллы лизоцима -- конвективные течения -- трехмерные структуры молекул белка -- космический аппарат -- дифракционные размещения -- кристаллические решетки -- легирующие примеси Аннотация: Построена математическая модель и выполнены численные исследования процесса кристаллизации белка лизоцима из водного раствора под воздействием пространственного распределения концентрации осадителя (NaCl) и управляющего точечного воздействия температуры. Математическая модель описывает образование зародышей кристаллов и их рост в зависимости от локального значения пересыщения, а также тепломассоперенос во всей области раствора, включая кристаллы белка. Тепломассоперенос описывается уравнениями Навье– Стокса в приближении Буссинеска с учетом термогравитационной и концентрационной конвекции. Доп.точки доступа: Гинкин, В. П.; Ганина, С. М.; Стрелов, В. И.; Безбах, И. Ж.; Захаров, Б. Г. |
Стрелов, В. И. Влияние ориентации вектора гравитации относительно фронта кристаллизации на микро- и макрооднородность кристаллов полупроводников, выращиваемых в земных и космических условиях [Текст] / В. И. Стрелов, Б. Г. Захаров, В. К. Артемьев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 25-31
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): методы математического моделирования -- кристаллизация кристаллов гелия -- поверхность расплава -- легирующие примеси -- космические аппараты -- вектор силы тяжести -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод Аннотация: С применением методов математического моделирования исследовано влияние ориентации вектора гравитации относительно фронта кристаллизации на микро- и макрооднородность распределения легирующей примеси при выращивании методом вертикальной направленной кристаллизации кристаллов Ge, высоколегированных Ga. Установлено, что отклонение в процессе кристаллизации оси роста кристалла относительно вектора g[0], при наличии свободной поверхности расплава, может приводить к образованию полос с пониженной концентрацией легирующей примеси. Исследовано влияние в земных и космических условиях скорости кристаллизации, конвективного и диффузионного массовых потоков на макрооднородность распределения легирующей примеси. Доп.точки доступа: Захаров, Б. Г.; Артемьев, В. К. |
Возможности получения стационарных условий роста при направленной кристаллизации антимонида галлия вертикальным методом Бриджмена на установке "Полизон" [Текст] / Ю. А. Серебряков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 58-66
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические преобразователи -- узкозонные соединения -- антимонид галлия -- легирующие примеси -- кластеры примесных атомов -- полупроводниковые материалы -- микрогравитация -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод Аннотация: Исследованы возможности управления процессами тепломассопереноса для получения стационарных условий кристаллизации антимонида галлия вертикальным методом Бриджмена с подводом тепла сверху на установке “Полизон”. Реализация стационарных условий вблизи фронта кристаллизации достигается за счет исключения конвекции Марангони, ориентации оси роста вдоль вектора гравитации, минимизации радиального и оптимизации осевого температурных градиентов, кристаллизации при равномерном перемещении температурного поля вдоль ампулы с образцом без ее механического движения относительно нагревателей. Результаты экспериментальных исследований сопоставлены с численными расчетами процессов тепломассопереноса и параметров кристаллизации, в том числе для условий микрогравитации. Доп.точки доступа: Серебряков, Ю. А.; Марченко, М. П.; Прохоров, И. А.; Коробейникова, Е. Н.; Шульпина, И. Л. |
Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника n-ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 297-303
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): интерметаллические полупроводники -- легирующие примеси -- кристаллическая структура полупроводника -- примесные атомы Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного примесью Fe (концентрации N[Fe] ? 9. 5 •10\{19\}-3. 8 •10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Показано, что атомы Fe одновременно занимают кристаллографические позиции атомов Zr и Ni в разных соотношениях, являясь дефектами донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Ромака, Л. П.; Горынь, А. М.; Гореленко, Ю. К.; Доминюк, Т. И. |
Механизмы легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f - f-переходов легирующей примеси Eu в структурах с квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]N/GaN [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 467-477
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирование -- внутрицентровые переходы -- мессбауэровская спектроскопия -- квантовые ямы -- легирующие примеси -- редкоземельные элементы Аннотация: Исследовано влияние легирования европием на вид спектров излучения структур с квантовыми ямами на основе In[x]Ga[1-x]N/GaN, на механизм легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f-f-переходов Eu. По данным мессбауэровской спектроскопии, в зависимости от концентрации дефектов в структурах с квантовыми ямами легирующая примесь Eu может иметь зарядовое состояние примесного иона Eu\{2+\} и Eu\{3+\} или только Eu\{3+\}. В том случае, когда зарядовое состояние примесного иона равно Eu\{3+\}, наблюдается излучение внутрицентровых переходов \{5\}D[0]-\{7\}F[2] (ламбда=6220 Angstrem). Если примесный ион может находиться в зарядовых состояниях Eu\{2+\} и Eu\{3+\}, то не наблюдается излучения внутрицентровых переходов, характерных как для Eu\{2+\}, так и Eu\{3+\}. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Криволапчук, В. В.; Петров, В. Н.; Кожанова, Ю. В.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В. |
Кагадей, В. А. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 433-439 : ил. - Библиогр.: с. 439 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация -- GaAs -- охлаждение -- концентрационные профили -- численное моделирование -- водородные частицы -- частицы -- легирующие примеси -- водород -- электрические поля -- температурно-временной режим -- легирование -- гидрогенизированные слои -- полупроводники Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца. Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В. |
Цепелев, А. Б. Механические свойства облученного сплава V-Ga-Cr [Текст] / А. Б. Цепелев, С. И. О. Садыхов, И. В. Боровицкая // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 12-15 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Ядерные реакторы Термоядерная энергетика Кл.слова (ненормированные): сплавы церия -- сплавы ванадия -- дисковые микрообразцы -- электронное облучение -- термоядерные реакторы -- конструкционные материалы -- облученные сплавы -- легирующие примеси -- аустенитные стали -- ферритные стали -- ферритно-мартенситные стали -- малоактивируемые конструкционные материалы Аннотация: Методом вдавливания дисковых микрообразцов проведены оценки механических свойств малоактивируемых сплавов на основе V (системы V-Ga, V-Ga-Cr) с добавлением церия. Доп.точки доступа: Садыхов, С. И. О.; Боровицкая, И. В. |
539.2 С 714 Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1155-1163. - Библиогр.: с. 1163 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- легирующие примеси -- редкоземельные металлы -- кристаллические пленки Аннотация: Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Еременко, М. В.; Голубенко, С. М.; Разумов, С. Н. |
539.2 И 889 Исследование структурных и физико-химических свойств наноструктурированных кристаллов диоксида циркония с целью создания инновационного электрохирургического инструмента / С. В. Белов [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 450, № 1, май. - С. 32-35 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. : с. 35 (5 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирующие примеси -- легированные кристаллы -- двойниковые структуры -- двойниковые домены -- кристалическая наноструктура -- характеристики кристаллов -- механические свойства кристалов -- пирамидка Виккерса -- Виккерса пирамидка Аннотация: Для изготовления режущих лезвий электрохирургического инструмента одним из наиболее перспективных материалов являются легированные кристаллы частично стабилизированного диоксида циркония, обладающие высокой вязкостью разрушения и повышенными значениями прочнисти на изгиб. Доп.точки доступа: Белов, С. В.; Борик, М. А.; Вишняков, М. А.; Данилейко, Ю. К.; Кулебякин, А. В.; Ломонова, Е. Е.; Милович, Ф. О.; Мызина, В. А.; Осико, В. В.; Салюк, В. А.; Табачкова, Н. Ю. |
621.315.592 Ф 796 Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния / М. Каримов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 1. - С. 57-62 : рис., табл. - Библиогр.: c. 61-62 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диффузия -- кремний р-типа -- легированный кремний -- легирующие примеси -- медь -- преципитаты -- примеси меди -- примесно-дефектные комплексы меди -- рекомбинационные центры -- скорость охлаждения -- структурные дефекты -- удельное сопротивление -- уровень прилипания -- электрофизические свойства Аннотация: Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда, а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом "медь - кислород" [Cu-O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si-Cu. Доп.точки доступа: Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Бакиев, С. А.; Махмудов, Ш. А.; Саттиев, А. Р.; Акрамов, Ф. С. |
539.2 А 640 Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса / В. И. Зубков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 944-950 : ил. - Библиогр.: с. 949 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электростатические взаимодействия -- квантовые ямы -- спектроскопия -- легирование -- гетероструктуры -- InAs -- арсенид индия -- носители заряда -- количественные характеристики -- температурные зависимости -- легирующие примеси Аннотация: Методами адмиттансной спектроскопии и с помощью численных самосогласованных расчетов исследован эффект электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах легированной гетероструктуры. Детально изучались образцы, содержащие 3 квантовые ямы InGaAs/GaAs, толщиной 7 нм каждая, разделенные барьерами по 150 нм. Содержание InAs в ямах составляло 22, 16 и 11. 5%. Экспериментально и моделированием показано, что эффект относительного обеднения носителями заряда средней квантовой ямы возникает при смыкании локальных областей объемного заряда вокруг квантовых ям и сопровождается " выталкиванием" вверх потенциала средней ямы. Анализируются количественные характеристики этого эффекта в зависимости от температуры, толщины барьеров и концентрации в них легирующей примеси. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p944-950.pdf Доп.точки доступа: Зубков, В. И.; Яковлев, И. Н.; Литвинов, В. Г.; Ермачихин, А. В.; Кучерова, О. В.; Черкасова, В. Н.; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"; Рязанский государственный радиотехнический университет; Рязанский государственный радиотехнический университет; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" |
539.2 В 586 Влияние степени легирования на температурную бистабильность в кремниевой пластине / В. В. Овчаров [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 67-76. - Библиогр.: c. 75-76 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- легирование -- температурная бистабильность -- радиационный теплообмен -- передаточные характеристики -- гистерезис -- легирующие примеси Аннотация: Исследовано влияние степени легирования на проявление эффекта температурной бистабильности в кремниевой пластине при радиационном теплообмене пластины с элементами тепловой системы. Построены теоретические передаточные характеристики для кремниевой пластины, легированной донорной и акцепторной примесями. Проведено их сравнение с передаточными характеристиками, полученными при нагреве и охлаждении пластин дырочного (концентрация легирующей примеси 10{15}, 2*10{16}, 3*10{17} cm{-3}) и электронного (концентрация примеси 10{15} и 8*10{18} cm{-3}) типов проводимости в термическом реакторе установки быстрого термического отжига. Установлено, что ширина и высота петли гистерезиса уменьшаются с увеличением концентрации легирующей примеси и практически не зависят от типа проводимости кремниевой пластины. Обсужден механизм температурной бистабильности в кремниевой пластине при радиационном теплообмене. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p67-76.pdf Доп.точки доступа: Овчаров, В. В.; Рудаков, В. И.; Пригара, В. П.; Куреня, А. Л.; Ярославский филиал Физико-технологического института РАН; Ярославский филиал Физико-технологического института РАН; Ярославский филиал Физико-технологического института РАН; Ярославский филиал Физико-технологического института РАН |