537.311.33 Б 825 Борисов, И. С. Прецизионное измерение удельного сопротивления кремниевых пластин [Текст] / И. С. Борисов, Б. Л. Гуськов, Ю. А. Концевой // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 4. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремниевые пластины -- удельное сопротивление -- измерение удельного сопротивления -- четырехзондовый метод -- тест-структуры -- тестовые структуры -- тест-контакты Аннотация: Описан метод прецизионного определения удельного сопротивления кремниевых пластин, основанный на применении специальных тестовых структур, изготовленных при использовании стандартных процессов планарной технологии: окисления, фотолитографии, диффузии и металлизации. Доп.точки доступа: Гуськов, Б. Л.; Концевой, Ю. А. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Экспериментальное исследование влияния ароматических углеводородов на удельное сопротивление селенида индия [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1214-1217 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): ароматические углеводороды -- селенид индия -- удельное сопротивление -- бензол -- нафталин Аннотация: Исследованы закономерности изменения удельного сопротивления селенида индия n- и p-типа проводимости в направлении, параллельном гексагональной оси симметрии кристаллов, во время интеркалирования молекулами ароматических углеводородов: бензола и нафталина. Впервые обнаружена возможность уменьшения удельного сопротивления n-InSe, выдержанного под давлением насыщенных паров C[10]H[8], до значений, сравнимых с таковыми в полупроводниках, используемых для изготовления высокоэффективных солнечных элементов (например, Si). Предложена качественная модель, объясняющая переход моноселенида индия n-типа проводимости из "высокоомного" состояния в "низкоомное" в процессе его интеркалирования молекулами нафталина. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.3 К 632 Комиссарова, Т. А. Особенности электрофизических свойств твердых растворов In[x]Ga[1-x]N [Текст] / Т. А. Комиссарова, Н. Н. Матросов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 558-560 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]N -- удельное сопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- температурные зависимости Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления твердых растворов In[x]Ga[1-x]N при 0? x? 1. Установлено, что при x? 0. 4 температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления имеют активационный участок. Энергия активации линейно зависит от содержания индия в твердом растворе. При x? 0. 5 активационный участок исчезает. Основной механизм рассеяния зависит от температуры, от плотности дефектов в пленке, в существенной степени определяемой используемыми промежуточными слоями GaN, и от состава твердого раствора x. Доп.точки доступа: Матросов, Н. Н.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.; Жмерик, В. Н.; Иванов, С. В. |
539.2 З-384 Захвалинский, В. С. Электропроводность и магнитные свойства керамических образцов La[1-x]Ca[x]Mn[1-y]Fe[y]O[3] (x = 0. 67, y = 0, 0. 05 [Текст] / В. С. Захвалинский, R. Laiho, Т. С. Орлова, А. В. Хохулин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 61-68. - Библиогр.: с. 67-68 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- керамические образцы -- магнитная восприимчивость -- удельное сопротивление -- прыжковая проводимость -- легирование железом -- намагничивание -- магнитная релаксация Аннотация: Приводятся результаты исследования температурных зависимостей электропроводности и магнитной восприимчивости образцов La[1-x]Ca[x]MnO[3] (LCMO) x = 0. 67 и La[1-x]Ca[x]Mn[1-y]Fe[y]O[3] (LCMFO) x = 0. 67 и y = 0. 05 в области изменения магнитного поля B = 50-10{5} G и температурном диапазоне T = 4. 2 - 400 K. Основное внимание уделено рассмотрению необратимого магнитного поведения и электропроводности исследованных составов в температурной области T < T[CO]. Доп.точки доступа: Laiho, R.; Орлова, Т. С.; Хохулин, А. В. |
Синтез, структура и некоторые электрофизические свойства монокристаллов твердых растворов CdGeAs[2]: Mn (x) и Cd[0. 964]Zn[0. 036]GeAs[2]: Mn (x) [Текст] / С. Г. Михайлов [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 11. - С. 1879-1884 : ил. - Библиогр.: с. 1884 (10 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): трансформации -- структуры -- междоузлия -- удельное сопротивление -- магнитные свойства -- метод Бриджмена Аннотация: Монокристаллы твердых растворов выращены методом Бриджмена (вертикальный вариант). Представлены некоторые электрические и магнитные свойства монокристалла и дана характеристика его кристаллической решетки. Доп.точки доступа: Михайлов, С. Г.; Палкина, К. К.; Молчанов, А. В.; Маренкин, С. Ф.; Филиппова, Т. В.; Очертянова, Л. И.; Захаров, И. С.; Кочура, А. В.; Laiho, R.; Lahderanta, E.; Lashkul, A.; Шахов, М. А. |
Особенности синтеза, химический состав и термическая устойчивость анодных боросиликатных покрытий на кремнии [Текст] / И. Л. Баранов [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 9. - С. 1473-1478. - Библиогр.: c. 1477-1478 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): борная кислота -- боросиликатные покрытия -- кремний -- наноэлектроника -- потенциалы формовки -- синтез -- термическая устойчивость -- удельное сопротивление -- химические составы -- этиленгликолевые растворы Аннотация: На основании данных о термической устойчивости химического состава покрытий предложен способ их синтеза для использования в наноэлектронике. Доп.точки доступа: Баранов, И. Л.; Табулина, Л. В.; Становая, Л. С.; Русальская, Т. Г.; Шостак, Ю. А. |
Швец, В. Т. Степень металлизации водорода при давлении 1. 4 Мбар и температуре 3000 К [Текст] / В. Т. Швец, А. С. Власенко, А. Д. Буханенко // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 8. - С. 625-629 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): металлизация водорода -- водород -- давление (физика) -- температура (физика) -- жидкий металлический водород -- удельное сопротивление Аннотация: Рассчитанo удельное сопротивление жидкого металлического водорода при температуре 3000 К и плотности 0. 35 моль/см\{3\}. Водород рассматривается как трехкомпонентная система, состоящая из электронов, протонов и нейтральных атомов водорода. Для обратного времени релаксации для электропроводности использован второй порядок теории возмущений по электрон-протонному и электрон-атомному взаимодействиям. Кулоновское электрон-электронное взаимодействие учтено в приближении случайных фаз, а обменное взаимодействие и корреляции электронов проводимости - в приближении локального поля. Для протонной и атомной подсистем использована модель твердых сфер. Концентрация электрически нейтральной атомной компоненты оказалась значительно ниже предполагавшейся авторами открытия металлического водорода. Доп.точки доступа: Власенко, А. С.; Буханенко, А. Д. |
Электрические свойства композита SiC/Si и биоморфной SiC-керамики, полученных на основе испанского бука [Текст] / В. В. Попов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 10. - С. 1748-1753. - Библиогр.: с. 1753 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композиты -- испанский бук -- удельное сопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- биоморфный карбид кремния -- карбид кремния Аннотация: Проведено исследование зависимостей удельного сопротивления и коэффициента Холла от температуры и магнитного поля в композите SiC/Si, полученном на основе испанского бука, а также в высокопористом материале - био-SiC, образованном после извлечения химическим путем кремния из этого композита. Были определены и проанализированы основные параметры переноса заряда в этих материалах. Показано, что электрический транспорт в био-SiC осуществляется носителями n-типа с большой концентрацией около 10{19} cm{-3} и малой подвижностью около 1cm{2}xV{-1}xs{-1}. Анализ полученных зависимостей проводился с использованием теории квантовых поправок к проводимости. Доп.точки доступа: Попов, В. В.; Орлова, Т. С.; Ramirez-Rico, J.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J. |
Электрохимическое поведение азотированных оснований нанокристаллических алмазных электродов [Текст] / Ю. В. Плесков [ др. ] // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 7. - С. 868-877 : 12 рис. - Библиогр.: с. 877 (25 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Экспериментальная химия Кл.слова (ненормированные): агломераты -- алмазные электроды -- электрохимическое поведение -- удельное сопротивление -- дифференциальная емкость -- потенциодинамические кривые -- рекционный газ Аннотация: Судя по ширине области идеальной поляризуемости, низкому фоновому току и стабильности характеристик, нанокристаллический алмаз - это перспективный электродный материал. Доп.точки доступа: Плесков, Ю. В.; Кротова, М. Д.; Ральченко, В. Г.; Савельев, А. В.; Божко, А. Д. |
Кинетические эффекты в n-CdAs[2], p-ZnAs[2] и твердых растворах Cd[x]Zn[1-x]As[2] [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 1. - С. 122-125 : рис. - Библиогр.: с. 125 (7 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Химическая кинетика Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- удельное сопротивление -- анизотропия -- барические зависимости -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент Аннотация: При гидростатическом давлении до 9 ГПа и квазигидростатическом давлении до 50 ГПа в указанных соединениях измерены удельное сопротивление и коэффициент Холла. Доп.точки доступа: Молаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Сайпулаева, Л. А.; Джамамедов, Р. Г.; Маренкин, С. Ф.; Бабушкин, А. Н. |
Балханов, В. К. Частотные и пространственные характеристики электрофизических параметров ствола живого дерева [Текст] / В. К. Балханов, В. Р. Адвокатов, Ю. Б. Башкуев // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 2. - С. 146-148. - Библиогр.: c. 148 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): вертикальное электрическое зондирование -- удельное сопротивление -- стволы деревьев -- фрактальная геометрия -- канторовские множества -- древесина Аннотация: Методом вертикального электрического зондирования (ВЭЗ) измерена пространственная характеристика удельного сопротивления rho ствола живой сосны на постоянном токе: rho~ L{-0. 85} и частотная характеристика сопротивления R этого же ствола сосны на переменном токе: R~ f{-0. 053}. Результаты смоделированы методами фрактальной геометрии, согласно которым rho~ L{-h+2} и R~ f{ (3) / (h) +1}, где h - размерность блуждания электрического тока в стволе дерева. Из сравнения экспериментальных и теоретических результатов следует, что h=2. 85 и фрактальная размерность D=1/h=0. 35. Поскольку D<1, то проводящие участки образуют канторовское множество. Доп.точки доступа: Адвокатов, В. Р.; Башкуев, Ю. Б. |
Метод измерения удельного электрического сопротивления высокотемпературных расплавов [Текст] / А. Н. Шатунов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 3. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Электрический ток Энергетика Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): методы измерения -- удельное сопротивление -- электрическое сопротивление -- высокотемпературные расплавы -- бесконтактное измерение сопротивления -- индукционная плавка -- тигли -- индукционные печи -- оксидные расплавы Аннотация: Описан метод бесконтактного измерения удельного сопротивления высокотемпературных расплавов, основанный на индукционной плавке в разрезном проводящем тигле и решении обратной задачи электромагнитного поля с использованием тепловых и электрических параметров индукционной системы. Доп.точки доступа: Шатунов, А. Н.; Максимов, А. И.; Печенков, А. Ю.; Позняк, И. В. |
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si[1-x]Ge[x] (0X0. 35) и исследование их свойств [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- монокристаллический кремний -- монокристаллические сплавы -- бестигельная зонная плавка -- структурные свойства -- электрофизические свойства -- твердые растворы -- Si -- Ge -- удельное сопротивление -- носители заряда Аннотация: Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si[1-x]Ge[x] диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at. %, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si[1-x]Ge[x] в зависимости от содержания Ge. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Юсупова, Ш. А. |
Влияние высокого давления с кручением на структуру, микронапряжения, ЯМР {55}Mn и магниторезистивные свойства нанопорошков La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta] [Текст] / А. В. Пащенко [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 55-62 : ил. - Библиогр.: с. 61-62 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высокое давление -- рентгеноструктурный метод -- резистивный метод -- магнитный метод -- магниторезистивный метод -- низкотемпературная адсорбция -- метод низкотемпературной адсорбции -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- влияние высокого давления -- деформация кручения -- микронапряжения -- ЯМР -- ядерно-магнитный резонанс -- магниторезистивные свойства -- нанопорошки -- структуры -- нанопорошковые прессовки -- манганитоперовскиты -- нестехиометрические лантан-стронциевые манганитоперовскиты -- барическая обработка -- марганец -- ионы марганца -- магнитные состояния -- локальные валентные состояния -- удельное сопротивление -- коэрцитивные силы -- температура Кюри -- Кюри температура -- магниторезистивный эффект -- циклы кручения Аннотация: Низкотемпературной адсорбцией Ar, электронной микроскопией, рентгеноструктурным, резистивным, магнитным (chi[ac], ЯМР {55}Mn) и магниторезистивным методами впервые исследовали влияние высокого давления (3 GPa) с деформацией кручения на структуру и свойства нанопорошковых прессовок нестехиометрических лантан-стронциевых манганитоперовскитов La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta]. Установлены закономерности влияния такой барической обработки на структуру, локальные валентные и магнитные состояния ионов марганца и неоднородность их окружения другими ионами и дефектами, на удельное сопротивление, микронапряжения; коэрцитивную силу, температуру Кюри и магниторезистивный эффект нанопорошковых прессовок La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta]. Впервые обнаружено положительное влияние на магниторезистивный эффект нескольких циклов кручения под давлением. Доп.точки доступа: Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Ревенко, Ю. Ф.; Спусканюк, В. З.; Касатка, Н. Г.; Турченко, В. А.; Шемяков, А. А. |
Мурзин, С. С. Сопротивление двумерных систем в магнитном поле при факторе заполнения ню=1/2 [Текст] / С. С. Мурзин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 11. - С. 860-861
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные системы -- магнитное поле -- удельное сопротивление -- гетероструктуры -- GaAs/AlGaAs Аннотация: Произведено сравнение с предсказанием теорий имеющихся в литературе экспериментальных данных для диагонального удельного сопротивления (ро [xx]) гетероструктур GaAs/AlGaAs в магнитном поле при факторе заполнения ню=1/2. Обнаружено, что экспериментальные результаты не согласуются с этим предсказанием. |
Анизотропия проводимости в легированных монокристаллах Bi[2]Te[3] [Текст] / Н. А. Абдуллаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 156-162
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- легирование -- анизотропия проводимости -- удельное сопротивление -- гальваномагнитные эффекты -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитосопротивление Аннотация: Исследованы температурные зависимости (диапазон температур T=0. 5-300 K) удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также гальваномагнитные эффекты в нелегированных и легированных монокристаллах Bi[2]Te[3] (магнитное поле H меньше 80 кЭ, T=0. 5-4. 2 K). Доп.точки доступа: Абдуллаев, Н. А.; Кахраманов, С. Ш.; Керимова, Т. Г.; Мустафаева, К. М.; Немов, С. А. |
Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М. |
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием [Текст] / А. Х. Абдуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 34-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- прозрачные проводящие пленки -- ZnO -- галлий -- легирование -- подложки -- стеклянные подложки -- магнетронное распыление -- метод магнетронного распыления -- мишени -- проводящие керамические мишени -- структурные характеристики -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- температура -- отжиг -- удельное сопротивление -- сопротивление -- осаждение -- термостабильность -- стабильность Аннотация: Прозрачные проводящие пленки ZnO, легированные галлием, получены на стеклянных подложках методом магнетронного распыления проводящих керамических мишеней. Проведены исследования зависимости структурных, электрических, оптических характеристик пленок ZnO : Ga от температуры подложки в ходе осаждения. Рассмотрена стабильность удельного сопротивления пленок при отжиге на воздухе. Обнаружено, что минимальное удельное сопротивление 3. 8 x 10{-4} Ом x см имеют пленки, осажденные при температуре подложки 250oC, а наибольшей термостабильностью обладают пленки, осажденные при 200oC. Доп.точки доступа: Абдуев, А. Х.; Ахмедов, А. К.; Асваров, А. Ш.; Абдуллаев, А. А.; Сульянов, С. Н. |
Выращивание монокристаллов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] и свойства фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 42 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x] -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- кубические решетки -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- атомы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи -- оптические излучения -- шпинели -- удельное сопротивление -- сопротивление -- температурная зависимость Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In[2]S[3]) [x] (FeIn[2]S[4]) [1-x]. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |