539.2 Д 726 Драпак, С. И. Оптические и электрические свойства пленок прополиса [Текст] / С. И. Драпак, И. Т. Драпак, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 137 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): биологически активные соединения -- органические полупроводники -- прополис -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы основные оптические и электрические свойства пленок биологически активного органического соединения природного происхождения прополиса. Установлено наличие фотолюминесценции при комнатной температуре с максимумом излучения при 434 nm. Температурная энергия активации проводимости в диапазоне температур 283-300 K составляет 2. 9 eV и находится в коррреляции с оптической шириной запрещенной зоны. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-136.html.ru Доп.точки доступа: Драпак, И. Т.; Ковалюк, З. Д. |
539.2 Д 72 Драпак, С. И. Оптические и электрические свойства пленок терпентина [] / С. И. Драпак, И. Т. Драпак, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 6. - С. 114-116. - Библиогр.: c. 115-116 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): спектры пропускания; терпентин; фотолюминесценция; электропроводность Аннотация: Исследованы основные оптические и электрические свойства пленок биологически активного органического соединения природного происхождения терпентина. Установлено наличие ряда максимумов в диапазоне длин волн 350-550 nm в спектре фотолюминесценции при комнатной температуре. Температурная энергия активации проводимости в диапазоне температур 280-300 K составляет 0. 53 eV, что значительно меньше оптической ширины запрещенной зоны и свидетельствует о прыжковом характере переноса носителей заряда с переменной длинной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/06/page-114.html.ru Доп.точки доступа: Драпак, И. Т.; Ковалюк, З. Д. |
539.2 Д 72 Драпак, С. И. Рентгеновские исследования структуры пленок прополиса [Текст] / С. И. Драпак, А. П. Бахтинов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1515-1517. - Библиогр.: с. 1517 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): неорганические подложки; органические соединения; пленки прополиса; полупроводниковые подложки; прополис; структура пленок прополиса Аннотация: Впервые исследована структура пленок органического вещества биологической природы - прополиса - на неорганических подложках. Обнаружено, что несмотря на сложный химический состав (в состав входит более 300 различных компонентов) , пленкам прополиса, полученным из спиртового раствора на аморфных стеклянных подложках и на полупроводниковых подложках с низким числом оборванных связей, свойственна кристаллическая структура. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Гаврилюк, С. В.; Прилуцкий, Ю. И.; Ковалюк, З. Д. |
535 Д 726 Драпак, С. И. Спектрально-люминесцентные свойства пчелиного клея [Текст] / С. И. Драпак // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 8. - С. 74-78. - Библиогр.: c. 77-78 (31 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): прополис; пчелиный клей; спиртовые растворы; твердотельные пленки; фотолюминесценция Аннотация: Исследована концентрационная зависимость интенсивности фотолюминесценции спиртового раствора прополиса при комнатной температуре. Установлено, что в отличие от преобладающего большинства органических соединений и сложных смесей (включая и натуральный пчелинный мед), для которых максимальная интенсивность фотолюминесценции наблюдается при определенном соотношении вещество-растворитель, интенсивность фотолюминесценции возрастает с увеличением концентрации прополиса и максимальна для эластичных твердотельных пленок. Воздействие температуры (T~520-570 K) на пленки прополиса не приводит ни к смещению края фундаментального поглощения, ни к изменению вида спектрального распределения фотолюминесценции (E[max]=2. 9 eV при T=300 K), однако приводит к уменьшению интенсивности излучения, что может быть обусловлено нарушением структурной молекулярной упорядоченности исследуемых пленок. Сделан вывод о перспективности использования прополиса для создания различного типа оптоэлектронных устройств. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/08/p74-78.pdf |
539.2 Д 726 Драпак, С. И. Фоточувствительность гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (A{3}B{6}) -камедь [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 9. - С. 76-80. - Библиогр.: c. 80 (28 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероконтакты; камедь; квантовая эффективность; слоистые полупроводники; фотовольтаический эффект; фоточувствительность Аннотация: Расширен диапазон материалов, которые могут использоваться в фоточувствительных структурах за счет привлечения органического вещества биологической природы - камеди. Исследованы вольт-амперные характеристики гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (InSe, GaSe) -камедь. Предпринята попытка связать особенности спектрального распределения относительной квантовой эффективности исследуемых структур (возникновение фоточувствительности за краем собственного поглощения полупроводниковых подложек) с деформационным взаимодействием между конденсированными слоями камеди и поверхностью слоистых полупроводников A{3}B{6}. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/09/p76-80.pdf Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Экспериментальное исследование влияния ароматических углеводородов на удельное сопротивление селенида индия [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1214-1217 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): ароматические углеводороды -- селенид индия -- удельное сопротивление -- бензол -- нафталин Аннотация: Исследованы закономерности изменения удельного сопротивления селенида индия n- и p-типа проводимости в направлении, параллельном гексагональной оси симметрии кристаллов, во время интеркалирования молекулами ароматических углеводородов: бензола и нафталина. Впервые обнаружена возможность уменьшения удельного сопротивления n-InSe, выдержанного под давлением насыщенных паров C[10]H[8], до значений, сравнимых с таковыми в полупроводниках, используемых для изготовления высокоэффективных солнечных элементов (например, Si). Предложена качественная модель, объясняющая переход моноселенида индия n-типа проводимости из "высокоомного" состояния в "низкоомное" в процессе его интеркалирования молекулами нафталина. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 312-317 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- селенид галлия -- оксиды -- буферный слой -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- излучательные свойства -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga[2]O[3] толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода V[oc] более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда V[oc] значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga[2]O[3] специально не выращивался. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.315.592 Д 726 Драпак, С. И. Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения [Текст] / С. И. Драпак, С. В. Гаврилюк, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 423-430 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид галлия -- поверхность скола -- собственные окислы -- токовая неустойчивость -- слоистые соединения Аннотация: Исследована кристаллическая структура и морфология поверхности собственного окисла, возникающего на поверхности скола (0001) нелегированных и легированных Cd или Dy монокристаллов слоистого GaSe в результате длительного хранения в воздушной атмосфере. Проанализированы причины, которые приводят к различию внешнего вида окисных пленок на поверхности нелегированных (матовая поверхность) и легированных образцов (прозрачные пленки). Представлены результаты исследования электрических свойств систем (селенид галлия) - (собственный окисел). Показано, что для пленок собственного окисла на поверхности GaSe характерна токовая неустойчивость с N-образной вольт-амперной характеристикой. Рассмотрено влияние относительной влажности воздуха на емкость и удельное поверхностное сопротивление собственного окисла. Обращено внимание на низкие значения эффективной диэлектрической постоянной собственного окисла. Доп.точки доступа: Гаврилюк, С. В.; Ковалюк, З. Д.; Литвин, О. С. |
Рентгеновские исследования молекулярных пленок прополиса, сформированных из спиртового раствора, на поверхности скола слоистых соединений A{5}[2]B{6}[3] [Текст] / С. И. Драпак [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 9. - С. 112-119. - Библиогр.: c. 118-119 (42 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): прополис -- слоистые соединения -- рентгеновский анализ -- молекулярные пленки -- селенид висмута -- теллурид висмута -- органично-неорганические структуры -- сэндвич-структуры Аннотация: Представлены результаты рентгеновского исследования структуры молекулярных пленок прополиса, полученных из раствора, на поверхности скола слоистых селенида и теллурида висмута (0001). Показано, что несмотря на химическое взаимодействие между полупроводниковыми подложками и компонентами органического вещества молекулярная структурная упорядоченность пленок прополиса является идентичной для пленок этого вещества, полученных на поверхности аморфных стеклянных подложек. Обнаружено, что результатом химического и деформационного взаимодействия между органическим веществом и слоистым соединением A{5}[2]B{6}[3] является образование наноразмерной органично-неорганической сэндвич-структуры на расстоянии ~0. 3 mum от границы раздела слоистый кристалл-прополис. Доп.точки доступа: Драпак, С. И.; Гаврилюк, С. В.; Каминский, В. М.; Ковалюк, З. Д. |
Драпак, С. И. Электрические свойства и фоточувствительность гетероструктур, полученных термическим разложением водного раствора нитрата галлия на поверхности скола селенида индия (0001) [Текст] / С. И. Драпак, Н. С. Юрценюк, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 71-75. - Библиогр.: c. 75 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фоточувствительность -- термическое разложение -- нитрат галлия -- селенид индия -- легирующие примеси -- токовая нестабильность -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Показана принципиальная возможность использования метода термического разложения водного раствора нитрата галлия в воздушной атмосфере на поверхности полупроводниковой подложки для изготовления структур, чувствительных в ближней УФ-области спектрального дипазаона. Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Ga[2]O[3]-n- (p-) InSe. Обнаружено, что возникновение высокоомного слоя на границе раздела InSe-Ga[2]O[3] оказывает влияние не только на электрические свойства, но и на спектральное распределение фоточувствительности исследуемых гетероструктур. Сделано предположение о том, что токовая нестабильность с Z- и N-образными обратными ветвями вольт-амперных характеристик структур Ga[2]O[3]-p-InSe является следствием неоднородности распределения легирующей примеси в объеме квазидвумерного селенида индия p-типа проводимости. Доп.точки доступа: Юрценюк, Н. С.; Ковалюк, З. Д. |
Драпак, С. И. Токовая неустойчивость с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой в неоднородных кристаллах In[2]Se[3] [Текст] / С. И. Драпак, С. В. Гаврилюк, З. Д. Ковалюк // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 66-73 : ил. - Библиогр.: с. 72-73 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): токовая неустойчивость -- кристаллы -- слоистые кристаллы -- неоднородные кристаллы -- In[2]Se[3] -- вольт-амперные характеристики -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- стехиометрические расплавы -- расплавы -- сверхрешетки -- потенциальные ямы -- структуры -- ток -- напряжение -- наноразмерные включения -- матрицы -- широкозонные матрицы -- модификации -- alpha-модификации -- Z-образные вольт-амперные характеристики -- N-образные вольт-амперные характеристики Аннотация: Показано, что слоистые кристаллы дефектного In[2]Se[3], выращенные методом Бриджмена из стехиометрического расплава, характеризуются типичной для сверхрешеток и структур с многочисленными потенциальными ямами токовой неустойчивостью с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой. Обнаружено, что причиной реализации такой зависимости тока от напряжения является наличие наноразмерных включений In[6]Se[7] в более широкозонной матрице In[2]Se[3] alpha-модификации. Доп.точки доступа: Гаврилюк, С. В.; Ковалюк, З. Д. |