620.1/.2 Г 635 Гольдштейн, Р. В. Об оценке собственных деформаций кислородосодержащих преципитатов [Текст] / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. 32-38
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): преципитат-дислокационные скопления -- кремниевые пластины -- термическая обработка Аннотация: Предложен способ оценки собственных деформаций преципитата из анализа преципитат-дислокационных скоплений, возникающих на поздних стадиях многоступенчатой термической обработки кремниевых пластин. Полученная оценка использована для определения количества содержащегося в преципитате вещества. Доп.точки доступа: Устинов, К. Б.; Шушпанников, П. С.; Меженный, М. В.; Мильвидский, М. Г.; Резник, В. Я. |
537.311.33 Б 825 Борисов, И. С. Прецизионное измерение удельного сопротивления кремниевых пластин [Текст] / И. С. Борисов, Б. Л. Гуськов, Ю. А. Концевой // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 4. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремниевые пластины -- удельное сопротивление -- измерение удельного сопротивления -- четырехзондовый метод -- тест-структуры -- тестовые структуры -- тест-контакты Аннотация: Описан метод прецизионного определения удельного сопротивления кремниевых пластин, основанный на применении специальных тестовых структур, изготовленных при использовании стандартных процессов планарной технологии: окисления, фотолитографии, диффузии и металлизации. Доп.точки доступа: Гуськов, Б. Л.; Концевой, Ю. А. |
621.315.592 К 265 Карпов, А. Н. Формирование SiO[x]-слоев при плазменном распылении Si- и SiO[2]-мишеней [Текст] / А. Н. Карпов, Д. В. Марин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 747-752 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аргоновая плазма -- кремниевые пластины -- плазменное распыление Аннотация: При совместном распылении в аргоновой плазме разнесенных в пространстве Si- и SiO[2]-мишеней осуществлялось осаждение слоев SiO[x] переменного состава на кремниевые пластины. Координатные зависимости толщины и показателя преломления отдельно осажденных Si- и SiO[2]-слоев, а также слоя SiO[x], полученного при совместном распылении мишеней, определялись с помощью оптических методик. Показано, что состав SiO[x]-слоя не соответствует простой сумме толщин отдельно осажденных Si- и SiO[2]-слоев. Выполнены расчеты координатных зависимостей толщины Si- и SiO[2]-слоев. Для совмещения расчетных и экспериментальных данных необходимо предположить, что при совместном распылении не менее 10% кремния превращается в диоксид. Сопоставление координатных зависимостей ИК-поглощения в SiO[2]- и SiO[x]-слоях с экспериментальными данными по эллипсометрии подтвердило наличие избыточного кислорода в SiO[x]-слое. С учетом такого частичного окисления распыляемого кремния рассчитаны кривые равного состава в плоскости подложки. После отжига SiO[x]-слоя при 1200 градусов C, в заранее рассчитанной области пластины наблюдалась фотолюминесценция, связанная с появлением квантово-размерных нанокристаллитов Si. Она была наиболее интенсивна при x=1. 78 плюс минус 0. 3, что близко к оптимальному составу при ионно-лучевом синтезе нанокристаллов. Доп.точки доступа: Марин, Д. В.; Володин, В. А.; Jedrzejewski, J.; Качурин, Г. А.; Savir, E.; Шварц, Н. Л.; Яновицкая, З. Ш.; Goldstein, Y.; Balberg, I. |
Свойства тонких пленок из политетрафторэтилена, нанесенных на твердые субстраты методом электронно-лучевой полимеризации из паровой фазы [Текст] / М. А. Брук [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 8. - С. 1566-1571. - Библиогр.: с. 1571 (9 назв. ) . - ISSN 0507-5475 Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- политетрафторэтилен -- твердые субстраты -- электронно-лучевая полимеризация -- паровые фазы -- кремниевые пластины -- термостойкость Аннотация: Приведены результаты по нанесению на кремниевые пластины тонких пленок из ПТФЭ путем полимеризации тетрафторэтилена из паровой фазы под действием пучка электронов с энергией 20-40 кэВ при варьировании плотности тока в интервале 1-10{\up 4} мкА/см{\up 2}. Доп.точки доступа: Брук, М. А.; Жихарев, Е. Н.; Волегова, И. А.; Спирин, А. В.; Телешов, Э. Н.; Кальнов, В. А. |
Об оценке собственных деформаций кислородосодержащих преципитатов [Текст] / Р. В. Гольдштейн [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 3. - С. 32-38
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): преципитат-дислокационные скопления -- кремниевые пластины -- термическая обработка Аннотация: Предложен способ оценки собственных деформаций преципитата из анализа преципитат-дислокационных скоплений, возникающих на поздних стадиях многоступенчатой термической обработки кремниевых пластин. Полученная оценка использована для определения количества содержащегося в преципитате вещества. Доп.точки доступа: Гольдштейн, Р. В.; Устинов, К. Б.; Шушпанников, П. С.; Меженный, М. В.; Мильвидский, М. Г.; Резник, В. Я. |
Максименко, О. Фигуры на атомных весах [Текст] / О. Максименко, Н. Резник // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 3. - С. 58-59 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Биология Общая биохимия Кл.слова (ненормированные): атомные весы -- молекулы белка -- белки -- атомно-силовые микроскопы -- фибриллы -- кремниевые пластины -- приборные методы Аннотация: Ученые разработали подход, который позволяет на принципиально новом уровне изучать взаимодействие молекул белка между собой и с различными поверхностями. Доп.точки доступа: Резник, Н. |
Скворцов, А. А. Исследование диффузии в многослойных тонкопленочных структурах на кремнии методом контактного плавления [Текст] / А. А. Скворцов, А. М. Орлов, В. Е. Мурадов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузия -- исследование диффузии -- тонкопленочные структуры -- многослойные тонкопленочные структуры -- кремний -- Si -- метод контактного плавления -- особенности контактного плавления -- алюминиевые пленки -- тонкопленочные системы -- алюминий -- титан -- никель -- молибден -- германий -- Al -- Ti -- Ni -- Mo -- Ge -- металлические подслои -- полупроводниковые подслои -- кремниевые пластины -- полупроводниковые пластины -- одиночные прямоугольные импульсы тока -- импульсы тока -- осциллографические методы -- время плавления -- скорости плавления -- анализ механизмов -- контактные взаимодействия -- методика оценки коэффициентов -- многофазная диффузия компонентов -- токовые импульсы Аннотация: Рассмотрены особенности контактного плавления в тонкопленочных системах Al (толщина h[1]=5 mum) -металлический (Ti, Ni, Mo) или полупроводниковый (Si, Ge) подслой (h[2]=0. 1 mum) -кремниевая пластина (h[3]=500 mum) при прохождении через алюминиевую пленку одиночных прямоугольных импульсов тока амплитудой j<9· 10{10} A/m{2} и длительностью 100-1000 mus. Осциллографическим методом определены времена и скорости контактного плавления в рассматриваемых структурах. На основе анализа механизмов контактного взаимодействия в системе Al-подслой (с учетом опытных данных по времени растворения подслоя в Al-пленке) предложена методика оценки коэффициентов многофазной диффузии компонентов в процессе прохождения токового импульса. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Мурадов, В. Е. |
Лазер на кристалле Tm{3+} : YLiF[4] с резонансным отражателем [Текст] / А. А. Андронов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 46-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- лазеры -- резонансные отражатели -- использование резонансных отражателей -- кремний -- резонаторы -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- параметры генерации -- кремниевые пластины -- кремниевые отражатели -- схемы резонаторов -- диэлектрические зеркала -- Tm{3+} : YLiF[4] Аннотация: Рассмотрена возможность использования резонансных отражателей на основе кремния в качестве зеркал резонаторов в лазерах среднего ИК-диапазона. Получена и исследована генерация в схеме Tm : YLF лазера с зеркалом резонатора на отражателе из кремниевых пластин. Проведено сравнение параметров генерации в схемах резонаторов с кремниевым отражателем и на диэлектрических зеркалах. Доп.точки доступа: Андронов, А. А.; Еремейкин, О. Н.; Савикин, А. П.; Шарков, В. В.; Яковлева, А. Г. |
Портативные влагонезависимые воздушно-водородные топливные элементы с газораспределительной пластиной на основе щелевого кремния [Текст] / Е. В. Астрова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): топливные элементы -- воздушно-водородные топливные элементы -- влагонезависимые воздушно-водородные топливные элементы -- портативные воздушно-водородные топливные элементы -- газораспределительные пластины -- кремний -- щелевой кремний -- результаты исследований -- катоды -- свободно-дышащие катоды -- кремниевые пластины -- окружающая среда -- температуры -- диапазоны температур -- относительная влажность -- воздух -- мощность Аннотация: Приведены результаты исследования характеристик портативных воздушно-водородных топливных элементов, работающих в режиме свободно-дышащего катода, с новым газораспределительным элементом на катодной стороне в виде кремниевой пластины с узкими сквозными щелями (щелевой кремний). Показано, что использование пластины щелевого кремния приводит к существенному ослаблению зависимости характеристик топливного элемента от влажности окружающей среды в широком диапазоне температур. При фиксированной температуре вариации относительной влажности окружающего воздуха в пределах от 50 до 98% приводят к изменению мощности элемента не более чем на 10%. Доп.точки доступа: Астрова, Е. В.; Андроников, Т. А.; Горохов, М. В.; Зеленина, Н. К.; Кожевин, В. М.; Теруков, Е. И.; Томасов, А. А.; Гуревич, С. А. |
Богатыренко, В. В. Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах по их тепловому излучению [Текст] / В. В. Богатыренко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 409-412 : ил. - Библиогр.: с. 412 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тепловое излучение -- ТИ -- кремниевые пластины -- поверхностная рекомбинация -- метод измерения скорости поверхностной рекомбинации -- поглощение фотонов -- длина волны -- лазерные диоды -- погрешности метода -- методическая погрешность Аннотация: Предложен бесконтактный метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах, основанный на изучении зависимости мощности теплового излучения кремния за краем собственного поглощения от длины волны возбуждающего света из области собственного поглощения. Скорость поверхностной рекомбинации при различных обработках поверхности определялась по отношению интенсивностей теплового излучения пластин в диапазоне длин волн 3-5 мкм, возникающего при возбуждении двумя лазерными диодами с длинами волн 863 и 966 нм. Измеренные значения скоростей при 230oC составили порядка 10{4} см/с после механической полировки и 10{3} см/с после травления в CP-4A. Рассмотрены вопросы применимости метода и погрешности измерения в зависимости от параметров пластин и источников света. |
[Интересные факты и цифры из жизни общества] [Текст] // Наука и жизнь. - 2010. - N 11. - С. 108-109 : 6 фот. . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Социология Социология общества Кл.слова (ненормированные): пиво -- спиртные напитки -- электроприборы -- электроника -- кремниевые пластины -- боксерские груши -- карты мира -- книжные магазины -- глобальное потепление -- радиостанции Аннотация: Интересные факты и цифры из жизни общества: в Германии начат выпуск пива крепостью 43 градуса; каждый француз за год выбрасывает в среднем 16 килограммов отслуживших электроприборов и электроники; бельгийские ученые изготовили на кремниевой пластинке самую маленькую карту мира, а также другие цифры и факты. |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1135-1139 : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. |
541.6 П 858 прямое безрезистное нанесение изображения литографической маски электронно-лучевым осаждением из паровой фазы [Текст] / М. А. Брук [и др.] // Журнал физической химии. - 2008. - Т. 82, N 10. - С. 1943-1949. - Библиогр.: c. 1949 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): микроэлектронные технологии -- резистные маски -- литография -- процессы электронно-лучевого нанесения изображения маски -- травление -- кремниевые пластины -- адсорбция -- ионы аргона -- осаждение -- метод реактивного ионно-лучевого травления Аннотация: Изучен сухой безрезистный процесс электронно-лучевого нанесения изображения маски из паров углеводородного прекурсора ундекана (C[11]H[24]) на двух субстратах: SiO[2] на кремнии и медь на кремнии. Доп.точки доступа: Брук, М. А.; Жихарев, Е. Н.; Шевчук, С. Л.; Волегова, И. А.; Спирин, А. В.; Телешов, Э. Н.; Кальнов, В. А.; Маишев, Ю. П. |
544 О-664 Орлов, Л. К. Вакуумная гидридная эпитаксия кремния: кинетика пиролиза моносилана на ростовой поверхности [Текст] / Л. К. Орлов, авт. С. В. Ивин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 566-575 : ил. - Библиогр.: с. 574-575 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): вакуумная гидридная эпитаксия -- кремний -- атомы кремния -- кристаллы -- пиролиз моносилана -- моносилан -- ростовая поверхность -- распад радикалов силана -- молекулы гидрида -- кремниевые пластины -- поверхность пластин -- температурная зависимость -- молекулы силана -- десорбция водорода -- низкотемпературная эпитаксия -- силан Аннотация: Получены аналитические выражения, связывающие скорость встраивания атомов кремния в растущий кристалл с характерной частотой пиролиза молекул силана на поверхности кремния в диапазоне ростовых температур. На основе данных выполненных на сегодняшний день экспериментов для наиболее широко используемых физико-химических моделей определена область характерных частот распада радикалов молекул гидрида, адсорбируемых поверхностью кремниевой пластины в интервале температур 450-700{o}C. Показано, что выбор наиболее вероятной модели распада молекул может быть сделан на основе экспериментального изучения характера температурной зависимости скорости распада адсорбируемых молекул гидрида. Изменение скорости пиролиза молекул силана или скорости десорбции водорода с поверхности позволяет в принципе без дополнительного нагрева подложки увеличить скорость роста слоя Si в условиях низкотемпературной эпитаксии (450-550{o}C), но не более чем в 2-3 раза в первом случае, и до двух порядков величины во втором. Проведенный анализ показывает, что более реалистичными являются физико-химические модели пиролиза, в которых захват поверхностью водорода осуществляется преимущественно на стадии процесса распада радикалов силана, адсорбированных поверхностью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p566-575.pdf Доп.точки доступа: Ивин, С. В. |
621.315.592 М 300 Марченко, И. Г. Технологические особенности электронного облучения Si p{+}-n-n{+}-диодов при повышенных температурах [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- облучение электронами -- электроны -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- температура облучения -- диоды -- силовые полупроводниковые приборы -- СПП -- радиационные центры -- легирование фосфором -- выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- ядерные реакции -- технологическое облучение -- электрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- КЭФ -- КОФ -- кремниевые пластины Аннотация: Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда tau[p], обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (E[irr]=6 МэВ) промышленных p{+}-n-n{+}-диодах при температурах облучения в интервале T[irr]=20-400°C. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений tau[p] при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины tau[p] в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при T[irr]=300°C, а в образцах на КОФ - при T[irr]=350°C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1549-1552.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
621.315.592 М 744 Моделирование оптических свойств кремниевых солнечных элементов, текстурированных V-образными проникающими канавками [Текст] / Г. Г. Унтила [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1410-1416 : ил. - Библиогр.: с. 1415 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- кремниевые солнечные элементы -- оптические свойства -- канавки (физика) -- моделирование оптических свойств -- кремниевые пластины -- коэффициент поглощения -- коэффициент пропускания -- коэффициент отражения -- длина волны -- инфракрасные фотоны -- модифицированная поверхность -- оптические коэффициенты Аннотация: Проведены расчеты коэффициентов отражения (R), пропускания (T) и поглощения (A) света для двух длин волн lambda=1000 и 1100 нм кремниевыми пластинами толщиной t=50, 100 и 200 мкм, текстурированных проникающими V-образными канавками различной геометрии: варьировали полуширину основания канавки w (10, 20, 30 мкм) и высоту канавки d (0=< d=< t). Если для lambda=1100 нм при увеличении аспектного отношения d/w кривая поглощения A (d/w) непрерывно растет с 6. 6 до 67. 6%, то для lambda=1000 нм обнаружена нетривиальная зависимость A (d/w) : коэффициент поглощения сначала растет от 54%, достигает максимума 97% при d/w=3, а затем уменьшается при d>t/2, причем для всех значений w. Этот эффект уменьшения поглощения с ростом d/w отличает текстурирование проникающими канавками от обычного поверхностного текстурирования. Получены распределения углов отклонения фотонов в плоскости дна канавок, представляющие собой набор delta-функций. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1410-1416.pdf Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Палов, А. П.; Поройков, А. Ю.; Рахимова, Т. В.; Манкелевич, Ю. А.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Дворкин, В. В. |
537.2 К 630 Комаров, С. М. Графен-генератор [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2012. - № 6. - С. 9
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): графены -- электроны -- солнечные элементы -- кремниевые пластины Аннотация: Солнечный элемент из графена поставил рекорд - 8, 5 % энергии света он превратил в электричество. |
539.2 А 724 Антонова, И. В. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках / И. В. Антонова // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, № 10. - С. 1115-1122 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1122 (44 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание графена -- графен -- кремниевые пластины -- медные подложки -- монокристаллические домены -- осаждение паров Аннотация: Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса пленки графена на диэлектрическую подложку. Доп.точки доступа: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск (Россия) |
539.2 Ф 166 Фазовые превращения при металлизации Ag-In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов / Н. П. Клочко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 845-853 : ил. - Библиогр.: с. 853 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): многопереходные кремниевые фотоэлектрические преобразователи -- МП Si-ФЭП -- ВКСИ -- фазовые превращения -- p-n переходы -- вертикальные диодные ячейки -- ВДЯ -- пленки индия -- индий -- In -- электроосаждение пленок -- трафаретная печать -- метод трафаретной печати -- пленки серебра -- серебро -- Ag -- кремниевые пластины -- электрохимическое осаждение -- структура поверхности -- морфология поверхности -- термообработка -- термическая обработка -- металлизация -- сращивание пластин -- солнечные элементы -- концентрированное освещение Аннотация: Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами с помощью припоя системы Ag-In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400 °C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1: 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg[3] (или InAg[3] с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700 °C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения. The conditions for joining silicon multifunction solar cells with vertical p-n-transitions by means of Ag-In system solder have been investigated. We studied the composition of the electrodeposited indium films on silver-plated by screen-printing silicon wafers and the silver and indium layers fabricated by serial electrochemical deposition on the surface of vacuum evaporated silver on silicon in diode vertical cells. The studies of the electrochemical deposition conditions, structure and surface morphology of the obtained layers have shown that the guaranteed matching is possible by using an 8-minute heat treatment at 400°С under the pressure of a stack of metalized silicon wafers, but the ratio of the thicknesses of indium and silver layers should not exceed 1: 3. When these requirements were fulfilled the solder after the splice of the plates has a structure InAg[3] (or InAg[3] with Ag mixture phase), because the junction melting point exceeded 700°С, which is guaranteed the operation of such solar cells under concentrated illumination. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p845-853.pdf Доп.точки доступа: Клочко, Н. П.; Хрипунов, Г. С.; Волкова, Н. Д.; Копач, В. Р.; Лобов, В. Н.; Кириченко, М. В.; Момотенко, А. В.; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А. |
535.37 И 731 Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu) / М. М. Мездрогина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1208 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кремний -- Si -- редкоземельные ионы -- РЗИ -- легирование ионами -- эрбий -- Er -- европий -- Eu -- кремниевые пластины -- экспериментальные результаты Аннотация: Исследованы cпектры фотолюминесценции и электролюминесценции структур на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием редкоземельными металлами (Er, Eu). Показано, что в структурах типа n-Si/Er/p-Si, n-Si/Eu/p-Si, изготовленных предложенным в работе методом, может быть реализовано излучение в видимой и инфракрасной областях спектра. Полученные результаты определяют перспективу использования данного метода для создания оптоэлектронных приборов. Luminescence in visible and infrared spectral regions of the structures formed via silicon direct bonding technology with simultaneous Er and Eu doping has been realized. Obtained results allowed to suppose that the developed technique would be prospective for the design of opto-electronic devices. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1204-1209.pdf Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Костина, Л. С.; Белякова, Е. И.; Кузьмин, Р. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |