Данильченко, В. Г. Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур [Текст] / В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Ф. Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1093-1095 : ил. - Библиогр.: с. 1095 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- импульсные диоды -- арсенидгаллиевые диоды -- быстродействующие диоды -- гетероструктуры -- p-n переходы -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- диоды с накоплением заряда -- ДНЗ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- инжектированные носители Аннотация: Приведены результаты исследования переключающих свойств арсенидгаллиевых диодов на основе гетероструктур. Показано, что использование в базовой области градиента запрещенной зоны или широкозонной "стенки" (резкий гетеропереход) позволяет управлять характером распределения инжектированных носителей и осуществлять их накопление вблизи p-n-перехода, что приводит к более быстрому этапу восстановления обратного напряжения (60-70 пс). Для повышения рабочих напряжений рассмотрены структуры, в которых наряду с градиентом ширины запрещенной зоны использовался градиент примеси. Доп.точки доступа: Корольков, В. И.; Солдатенков, Ф. Ю. |
Возможность получения пленок (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ш. Н. Усмонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1131-1136 : ил. - Библиогр.: с. 1135-1136 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): растворы -- твердые растворы -- непрерывные твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- антимонид галлия -- GaSb -- пленки -- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- кремниевые подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- рентгенограммы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные характеристики -- фоточувствительность структур -- p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- инжекционное обеднение Аннотация: Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] (x = 0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] в интервале температур 20-200°С. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V exp (JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения. Доп.точки доступа: Усмонов, Ш. Н.; Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Сапаров, Д.; Холиков, К. Т. |
Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GalnP: Dy/por-GaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1137-1141 : ил. - Библиогр.: с. 1140 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слои -- пористые слои -- буферные слои -- кристаллические решетки -- внутренние напряжения -- легирование -- диспрозия -- гетероструктуры -- GalnP/GaAs -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ Аннотация: В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GalnP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка-подложка оказывает легирование эпитаксиального слоя диспрозием. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Гордиенко, Н. Н.; Глотов, А. В.; Журбина, И. А.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Шишков, М. В. |
Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1142-1150 : ил. - Библиогр.: с. 1149-1150 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- InSb -- узкозонные квантовые точки -- подложки -- InAs -- антимонид индия -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- муаровые узоры -- эпитаксильный рост Аннотация: В интервале температур Т = 420-450°С методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0. 9-2) x 10[10]см[-2], размеры которых составляли З нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3. 5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Пархоменко, Я. А.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Михайлова, М. П.; Берт, Н. А.; Яковлев, Ю. П. |
Соболев, Н. А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией [Текст] : обзор / Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 3-25 : ил. - Библиогр.: с. 23-25 (94 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионная имплантация -- светоизлучающие структуры -- СИС -- кремниевые светоизлучающие структуры -- люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- длина волны -- инженерия дефектов -- образование дефектов -- спектры -- полупроводниковые приборы -- имплантация ионов -- Er -- эрбий -- Dy -- диспрозий -- Ho -- гольмий -- O -- кислород -- Si -- кремний -- светодиды -- СД -- кремниевые светодиоды -- собственные точечные дефекты -- СТД -- протяженные структурные дефекты -- петли Франка -- Франка петли -- отжиг -- люминесцентные центры -- температура -- хлорсодержащая атмосфера -- ХСА -- твердофазная эпитаксия -- ТФЭ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- обзоры Аннотация: Обобщаются результаты по развитию физических основ технологии, основанной на ионной имплантации, для разработки кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией на область длин волн вблизи ~1. 6 мкм. Развитие концепции инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов позволило установить закономерности процесса образования дефектов и выявить особенности, возникающие в спектрах излучения при изменении условий имплантации ионов Er, Dy, Ho, O, Si и последующего отжига, и создавать светоизлучающие структуры с желательным спектром люминесцентных центров и протяженных структурных дефектов. Найдены технологические условия, при которых в светоизлучающем слое вводится только один тип протяженных структурных дефектов (петли Франка, совершенные призматические петли или чисто краевые дислокации), что позволило исследовать корреляцию между концентрацией протяженных дефектов определенного типа и интенсивностью линий дислокационной люминесценции. Выявлена определяющая роль собственных точечных решеточных дефектов в зарождении и трансформации протяженных структурных дефектов и люминесцентных центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. Установлено, что эффективность возбуждения люминесценции представляющих наибольший интерес для практического применения так называемых центров D1 изменяется более чем на 2 порядка в структурах, приготовленных разными технологическими методами. Изготовлены высокоэффективные кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 970-977 : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П. |
541.1 М 822 Москвин, П. П. Диффузионная кинетика изотермической эпитаксии твердых растворов Сd[x]Hg[1-x]Te из неограниченного объема жидкой фазы [Текст] / П. П. Москвин, авт. В. В. Ходаковский // Журнал физической химии. - 2007. - Т. 81, N 11. - С. 2057-2062. - Библиогр.: c. 2062 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): ассоциаты -- гетероструктуры -- диффузионная кинетика -- ЖФЭ -- изотермическая эпитаксия -- кинетические параметры -- кристаллизация -- массоперенос -- пленки -- полиассоциированные растворы -- полупроводники -- приемники ИК-излучения -- твердые растворы -- термодинамические функции -- фазовые равновесия Аннотация: В рамках представлений о диффузионно ограниченной кристаллизации выполнен кинетический анализ процесса жидкофазной эпитаксии твердых растворов Cd[x]Hg[1-x]Te. Доп.точки доступа: Ходаковский, В. В. |
539.2 И 889 Исследование структуры дефектов в пленках Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1166-1170 : ил. - Библиогр.: с. 1169-1170 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкоэнергетическая ионная обработка -- НИО -- структура дефектов -- дефекты -- твердые растворы -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- пленки твердых растворов -- нейтральные дефекты -- ионная обработка -- обработка ионами -- донорные центры (физика) -- высокая концентрация -- комнатная температура -- время старения (физика) -- остаточные доноры Аннотация: С использованием низкоэнергетической ионной обработки и измерения электрических параметров образцов исследована структура дефектов пленок Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных жидкофазной эпитаксией. В пленках обнаружены нейтральные дефекты, предположительно связанные с нановключениями теллура. Ионная обработка электрически активирует эти дефекты, создавая в пленках высокую концентрацию донорных центров (~10{17} см{-3}), распадающихся в течение ~10{3} мин старения при комнатной температуре. После этого свойства материала определяются концентрацией остаточных доноров, которая для исследованных пленок оказалась очень низкой (вплоть до ~10{14} см{-3}). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1166-1170.pdf Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Фицыч, Е. И.; Смирнова, Н. А.; Денисов, И. А.; Поцяск, М.; Мынбаев, К. Д. |
535.2/.3 В 932 Высокоэффективный (eta=39. 6%, AM 1. 5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения [Текст] / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 810-815 : ил. - Библиогр.: с. 814-815 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- солнечное излучение -- расщепление сета -- спектральное расщепление -- линза Френеля -- Френеля линза -- фильтры -- солнечные элементы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- диффузия цинка -- цинк -- газовые фазы -- эпитаксиальные слои -- подложки Аннотация: Представлена концентраторная фотоэлектрическая система со спектральным расщеплением потока солнечного излучения на основе линзы Френеля и двух дихроичных фильтров. Солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs выращены методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. GaSb-фотопреобразователи получены диффузией цинка из газовой фазы в эпитаксиaльный базовый слой или в подложку GaSb n-типа проводимости. Суммарная эффективность трех солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 39. 6% (спектр AM 1. 5D). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p810-815.pdf Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Власов, А. С.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |