Делев, В. А. Эффект пространственно-временной синхронизации доменных осцилляций в системе электроконвекции нематических жидких кристаллов [Текст] / В. А. Делев, О. А. Скалдин, Ю. И. Тимиров // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 49-57 : ил. - Библиогр.: с. 56-57 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): методы оптической дифракции -- анализ Фурье -- Фурье анализ -- временной анализ интенсивности -- пространственно-временная синхронизация -- доменные осцилляции -- система электроконвекции -- НЖК -- кристаллы -- жидкие кристаллы -- нематические жидкие кристаллы -- ячейки -- динамика доменной структуры -- доменные структуры -- псевдогексагональные доменные структуры -- электроконвекция -- электрические поля -- постоянное электрическое поле -- процессы эволюции системы -- электрогидродинамическая неустойчивость -- планарные слои -- ЖК-образцы -- сверхрешетки -- фазовые волны -- источники фазовых волн Аннотация: Методами оптической дифракции и временного Фурье-анализа интенсивности прошедшего через ячейку с НЖК света изучена динамика нестационарной псевдогексагональной доменной структуры, которая возникает при электроконвекции в нематических жидких кристаллах в постоянном электрическом поле. Исследован процесс эволюции системы от невозмущенного состояния до режима развитых доменных осцилляций. Обнаружено, что выше порога, электрогидродинамической неустойчивости в планарных слоях НЖК имеет место пространственно-временная синхронизация доменных осцилляций во всем ЖК-образце с образованием сверхрешетки, узлами которой являются источники фазовых волн. Доп.точки доступа: Скалдин, О. А.; Тимиров, Ю. И. |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |