Зейналов, Э. Б. Нефтяные кислоты и коррозия (обзор) [Текст] / Э. Б. Зейналов, В. М. Аббасов, Л. И. Алиева // Нефтехимия. - 2009. - Т. 49, N 3. - С. 203-210. - Библиогр.: с. 209-210 (72 назв. ) . - ISSN 0028-2421
Рубрики: Химическая технология Технология переработки нефти и газа Машиностроение Коррозия металлов. Защита металлов от коррозии Кл.слова (ненормированные): антикоррозионные добавки -- ингибиторы коррозии -- коррозия металлов -- коррозия оборудования -- нафтеновые кислоты -- нефтекислотная коррозия -- нефтяные кислоты -- нефтяные нафтеновые кислоты -- НКК -- ННК Аннотация: Рассмотрено современное состояние исследований по нефтекислотной коррозии металлов. Показано, что коррозия оборудования НПЗ, вызываемая нефтяными нафтеновыми кислотами, является многофакторным процессом. Общие показатели содержания кислот в нефтях и кислотного числа приводят к весьма приблизительной оценке коррозионной агрессивности нефтей, тогда как определяющими для оценки являются тип, структура и функциональность нефтяных кислот. Эффективные пути предотвращения нефтекислотной коррозии металлов включают методы деминерализации и тщательной щелочной обработки нефти, использование органических ингибиторов коррозии, улучшение качества металла за счет антикоррозионных легирующих добавок. Существенное значение приобретают методы моделирования процессов нефтекислотной коррозии металлов. Доп.точки доступа: Аббасов, В. М.; Алиева, Л. И. |
Этерификация ацетиленовыми спиртами нефтяных нафтеновых кислот [Текст] / М. Г. Велиев [и др. ] // Нефтехимия. - 2009. - Т. 49, N 3. - С. 247-252. - Библиогр.: с. 252 (19 назв. ) . - ISSN 0028-2421
Рубрики: Химическая технология Технология переработки нефти и газа Химия Органические соединения Кл.слова (ненормированные): ацетиленовые спирты -- кислотные катализаторы -- нафтеновые кислоты -- нефтяные нафтеновые кислоты -- ННК -- пропаргиловый спирт -- сложные эфиры -- этерификация -- эфиры Аннотация: Исследована обратимая реакция этерификации нефтяных нафтеновых кислот ацетиленовыми спиртами с применением гомогенных и гетерогенных кислотных катализаторов. Найдены оптимальные параметры и изучены кинетические закономерности процесса. Установлено, что пропаргиловый спитр является более реакционноспособным, чем его диметилпроизводный аналог. Показано, что пропаргиловые эфиры нефтяных нафтеновых кислот могут быть использованы в качестве антикоррозионных присадок к моторным маслам. Доп.точки доступа: Велиев, М. Г.; Садыгов, О. А.; Мамедова, Н. А.; Мустафаев, С. А. |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |
Дубровский, В. Г. Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, М. А. Тимофеева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1267-1274 : ил. - Библиогр.: с. 1274 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нелинейные эффекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- адсорбция -- ПЖК -- диффузия -- поверхностная диффузия -- адатомы -- осаждение -- пар-жидкость-кристалл Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" за счет адсорбции из газообразной среды и поверхностной диффузии адатомов. Получено нелинейное уравнение для скорости роста нитевидного нанокристалла в стационарном режиме с учетом эффекта Гиббса-Томсона в капле. Показано, что в зависимости от условий процесса осаждения, радиуса кристалла и его начальной длины возможны шесть принципиально различных режимов роста, что связано с квадратичной нелинейностью уравнения роста. При заданных условиях осаждения длина нитевидного нанокристалла либо неограниченно увеличивается, либо стремится к некоторому конечному (в некоторых случаях нулевому) пределу. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А. |
Дубровский, В. Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии. Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М. |
Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 114-117 : ил. - Библиогр.: с. 117 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- рост нанокристаллов -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксиальные слои -- двумерные слои -- GaAs -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- подложки -- Au -- золото Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован вопрос о начальном этапе образования полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл". Показано, что капли малого размера либо зарастают, либо "всплывают" вместе с поверхностью двумерного эпитаксиального слоя. Рассчитана геометрическая форма нитевидных нанокристаллов на начальном этапе роста. Приведены экспериментальные данные по образованию GaAs-нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (111) B, активированных Au. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Назаренко, М. В.; Цырлин, Г. Э.; Самсоненко, Ю. Б.; Дубровский, В. Г. |
Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si). Доп.точки доступа: Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н. |
530.1 Д 797 Дубровский, В. Г. Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии [Текст] / В. Г. Дубровский // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 2. - С. 1-11 : ил. - Библиогр.: с. 10-11 (25 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нанокристаллы -- теоретические модели -- стационарный рост нанокристаллов -- кристаллические структуры -- физические следствия -- механизм Небольсина - Щетинина -- Небольсина - Щетинина механизм -- пар-жидкость-кристалл -- боковые поверхности -- условие Гласа -- Гласа условие -- нуклеация -- поверхностные энергии -- активационные барьеры -- зародыши (физика) -- катализаторы -- кубические фазы Аннотация: Предложена новая теоретическая модель стационарного роста и кристаллической структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) и исследованы ее физические следствия. Показано, что условие стационарного роста ННК по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК) Небольсина-Щетинина, требующее несмачивания каплей боковой поверхности ННК, эквивалентно условию Гласа нуклеации на тройной линии при моноцентрическом росте ННК. Получен энергетический критерий стационарного роста ННК в общем случае фасетированной боковой поверхности. Определены эффективные поверхностные энергии, определяющие активационный барьер нуклеации зародышей на вершине ННК. На основе предложенной модели исследован вопрос о кристаллической структуре III-V ННК (кубическая фаза типа цинковой обманки или гексагональная вюрцитная). В частности, показано, что уменьшение поверхностной энергии катализатора должно приводить к преимущественному формированию кубической фазы, что подтверждается экспериментами по ПЖК-росту GaAs-ННК с катализаторами Au и Ga. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/02/p1-11.pdf |
53:51 Д 797 Дубровский, В. Г. Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах [Текст] / В. Г. Дубровский, авт. М. В. Назаренко // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 18-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (20 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нанокристаллы -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- рост нанокристаллов -- диффузионные длины -- адатомы -- универсальная асимптотика -- подложки (физика) -- стадии роста -- эпитаксиальный рост -- экспоненциальный рост -- ограниченный рост -- асимпотические режимы роста -- диффузионные потоки -- боковые поверхности Аннотация: Найдена универсальная асимптотика для закона роста нитевидного нанокристалла (ННК) в случае, когда диффузионная длина адатомов на поверхности подложки много больше радиуса ННК, а диффузионная длина на боковой поверхности много больше длины ННК. Определены основные стадии роста, характеризующиеся различными зависимостями длины ННК от радиуса и времени осаждения. Рассмотрены возможные асимпотические режимы эпитаксиального роста ННК: экспоненциальный рост и ограниченный рост до некоторой критической толщины, зависящие от направления диффузионного потока на боковой поверхности ННК. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p18-25.pdf Доп.точки доступа: Назаренко, М. В. |
53:51 С 341 Сибирев, Н. В. Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли [Текст] / Н. В. Сибирев, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 5. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 47-48 (20 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нанокристаллы -- рост нанокристаллов -- режимы роста -- теоретические исследования -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- капли (физика) -- поверхностные энергии -- поверхностные силы -- механический баланс -- форма капли -- устойчивость капли -- смачивающий режим -- несмачивающий режим -- кристаллические структуры Аннотация: Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий - для больших начальных объемов капли. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/05/p41-48.pdf Доп.точки доступа: Назаренко, М. В.; Дубровский, В. Г. |
536.42 Б 912 Буравлев, А. Д. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100) [Текст] / А. Д. Буравлев, Г. О. Абдрашитов, Г. Э. Цырлин // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 78-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- нитевидные кристаллы -- наноструктуры -- ННК -- рост кристаллов -- подложки -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- массивы кристаллов -- температура роста -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- кристаллографические фазы -- кубические фазы Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga, Mn) As на подложке GaAs (100) при температуре роста 485 °C. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p78-83.pdf Доп.точки доступа: Абдрашитов, Г. О.; Цырлин, Г. Э. |
621.315.592 В 586 Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов [Текст] / Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 184-187 : ил. - Библиогр.: с. 187 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- термическая обработка -- термообработка -- отжиг -- гетероструктуры -- InP/InAsP/InP -- структурные свойства -- оптические свойства -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- структурные дефекты Аннотация: Рассмотрено влияние послеростового отжига гетероструктурных InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на их структурные и оптические свойства. Показано, что процедура кратковременного отжига (1 мин) в атмосфере аргона позволяет повысить интенсивность излучения от InAsP-квантовых точек, подавить излучение от InAsP-квантовых ям, образованных вследствие латерального роста и существенно понизить плотность структурных дефектов в нитевидных нанокристаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p184-187.pdf Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Tchernycheva, M.; Patriarche, G.; Harmand, J. -C. |
621.315.592 Ф 796 Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств [Текст] / А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 188-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- магнитные свойства -- пар-жидкость-кристалл -- температурные зависимости -- полевые зависимости -- статическая магнитная восприимчивость Аннотация: Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs (111) B в диапазоне ростовых температур 480-680 °C. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма "пар-жидкость-кристалл". Показано, что рост (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660 °C, демонстрируют парамагнитное поведение. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p188-193.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Цырлин, Г. Э.; Романов, В. В.; Баграев, Н. Т.; Брилинская, Е. С.; Лебедева, Н. А.; Новиков, С. В.; Lipsanen, H.; Дубровский, В. Г. |
539.2 И 889 Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si (111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. Б. Самсоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 441-445 : ил. - Библиогр.: с. 445 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- модифицированные поверхности -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- температура подложки -- температурная зависимость -- кристаллические структуры -- нанокристаллы -- GaAs Аннотация: Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si (111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610-630 {o} С имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610 {o} C. Повышение температуры до 640 {o} C приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p441-445.pdf Доп.точки доступа: Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Хребтов, А. И.; Буравлев, А. Д.; Поляков, Н. К.; Улин, В. П.; Дубровский, В. Г.; Werner, P. |
621.315.592 В 586 Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN [Текст] / Н. В. Сибирев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 857-860 : ил. - Библиогр.: с. 860 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): результаты экспериментов -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- диффузия -- GAN -- нитрид галлия -- кинетика процессов -- рост нанокристаллов Аннотация: Проведены экспериментальные и теоретические исследования кинетики роста нитевидных нанокристаллов GaN на поверхности Si (111) в отсутствие катализатора. Безкаталитические нитевидные нанокристаллы GaN были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с AlN-вставками, что позволяет определить их вертикальную скорость роста. Развита модель формирования нитевидных нанокристаллов GaN и получено выражение для скорости роста. Показано, что зависимость скорости роста от диаметра в общем случае имеет минимум. Значение диаметра, при котором наблюдается минимум скорости роста, монотонно возрастает с увеличением диффузионного потока Ga с боковой поверхности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p857-860.pdf Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Tchernycheva, M.; Цырлин, Г. Э.; Patriarche, G.; Harmand, J. C.; Дубровский, В. Г. |
621.315.592 Ф 796 Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик [Текст] / А. О. Голубок [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1079-1083 : ил. - Библиогр.: с. 1082-1083 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Приборостроение Приборостроение в целом Кл.слова (ненормированные): нитевые нанокристаллы -- ННК -- нановискеры -- GaAs-нановискеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- фокусированный ионный пучок -- ФИП -- электронные свойства -- туннельная спектроскопия -- сверхвысокий вакуум -- СВВ -- вольт-амперные характеристики -- запрещенные зоны -- легирование структуры -- плотность электронных состояний -- ПЭС Аннотация: Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1079-1083.pdf Доп.точки доступа: Голубок, А. О.; Самсоненко, Ю. Б.; Мухин, И. С.; Буравлев, А. Д.; Цырлин, Г. Э. |
621.315.592 П 960 Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1114-1116 : ил. - Библиогр.: с. 1116 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пьезоэффект -- структуры -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- кристаллические структуры -- вюрцит -- контактные слои -- пьезоэлектрические преобразования Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d[33]~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1114-1116.pdf Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Петров, В. А.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А.; Танклевская, Е. М.; Селезнев, И. А. |
621.315.592 Ф 796 Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 840-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (39 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- квантовые точки -- КТ -- подложки -- электронная литография -- метод электронной литографии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- электронные пучки -- экспериментальные исследования Аннотация: Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs (111) B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после "взрывного" (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p840-846.pdf Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Цырлин, Г. Э.; Петров, В. А.; Танклевская, Е. М.; Самсоненко, Ю. Б.; Буравлев, А. Д.; Хребтов, А. И.; Устинов, В. М. |
621.315.592 И 889 Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be / А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 797-801 : ил. - Библиогр.: с. 800-801 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- фотолитография -- травление фотопреобразователей -- металлизация фотопреобразователей -- фотопреобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- фотоэлектрические свойства -- эмуляторы -- солнечное излучение -- солнечная энергия -- поверхность подложки -- выращивание нанокристаллов Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (111) B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs: Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0. 1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом p-типа на поверхности подложки GaAs n-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1. 1%. Arrays of GaAs: Be nanowires were synthesized by molecular beam epitaxy on the GaAs (111) B substrate. Prototypes of photovoltaic converters using the nanowires as an active medium were fabricated by means of photolithography, etching and metallization. The study of photovoltaic properties under illumination with a solar simulator (AM1. 5G spectrum) demonstrated that the efficiency of solar energy conversion was about 0. 1%. The recalculated value of the efficiency, taking into account the square occupied by p-type nanowires on the n-type GaAs substrate surface, is equal to 1. 1%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p797-801.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Безнасюк, Д. В.; Гильштейн, Е. П.; Tchernycheva, M.; De Luna Bugallo, A.; Rigutti, L.; Yu, L.; Proskuryakov, Yu.; Шторм, И. В.; Тимофеева, М. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А. И.; Цырлин, А. И. |
539.2 К 637 Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs / А. И. Хребтов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1356-1360 : ил. - Библиогр.: с. 1359-1360 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- CdSe/ZnS -- коллоидные квантовые точки -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нанокристаллы -- GaAs -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая микроскопия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой микроскопии -- фотолюминесценция -- спектроскопия фотолюминесценции -- структурные свойства -- излучательные свойства -- излучательная рекомбинация -- экситонные состояния -- поверхностные состояния Аннотация: Показана возможность создания композитной системы на основе коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs. С помощью методов электронной микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции исследованы ее структурные и излучательные свойства. Хорошая смачиваемость и развитая поверхность массива ННК приводят к росту числа КТ на единицу площади и, как следствие, к увеличению светимости системы в области 600 нм. Обнаружена хорошая температурная стабильность спектра фотолюминесценции квантовых точек в диапазоне 10-295 K. Обсуждается вклад поверхностных состояний в релаксацию энергии и роль экситонных состояний в излучательной рекомбинации квантовых точек. We have demonstrated the possibility to create a composite system based on CdSe/ZnS colloidal quantum dots (QD) and GaAs nanowires (NW). The developed surface of NW array promote to retention of QD and increasing of their surface the density. This combined system is investigated by means different microscopy techniques (structural properties) and optical spectroscopy (emission properties). The temperature quenching of PL from QDs was negligible. in the whole temperature range 10-295K. Impact of the surface states in the energy relaxation and the role exciton states in the radiative recombination in QDs is discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1356-1360.pdf Доп.точки доступа: Хребтов, А. И.; Талалаев, В. Г.; Werner, P.; Данилов, В. В.; Артемьев, М. В.; Новиков, Б. В.; Штром, И. В.; Панфутова, А. С.; Цырлин, Г. Э.; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano (Germany); ОАО "ГОИ им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург); Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik (Germany); Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik (Germany); ОАО "ГОИ им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург); Петербургский государственный университет путей сообщения; ОАО "ГОИ им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург); Институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университетаMartin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano (Germany); Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета; ОАО "ГОИ им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург) |