621.3 Д 797 Дубровский, В. Г. О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 888-896 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- осаждение материала -- газофазная эпитаксия -- высоковакуумное напыление Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования влияния условий осаждения на морфологические свойства нитевидных нанокристаллов в различных ростовых технологиях. Получены зависимости длины кристаллов от их радиуса, температуры, скорости осаждения, плотности и среднего размера капель - катализаторов роста. Определены значения эффективной диффузионной длины адатома на поверхности подложки в различных режимах роста. Теоретические зависимости длины нитевидных нанокристаллов от радиуса и ростовой температуры поверхности подтверждены экспериментальными данными, полученными для кристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Сибирев, Н. В.; Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.; Tchernycheva, М.; Harmand, J. C. |
621.3 Д 797 Дубровский, В. Г. Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние на форму нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1257-1264 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): нуклеация -- нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- высоковакуумные технологии осаждения Аннотация: Предложена теоретическая модель нуклеации на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии и других высоковакуумных технологиях осаждения. Получено модельное решение, позволяющее рассчитывать форму нитевидных нанокристаллов в зависимости от значения диффузионного потока адатомов с поверхности подложки к основанию кристаллов. Теоретически исследована температурная зависимость эффекта и показано, что при понижении температуры поверхности нуклеация на боковых стенках приводит к конусообразной форме кристаллов и уменьшению их длины. Проведено качественное сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными по нитевидным нанокристаллам GaAs, выращиваемым методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au, в интервале температур 400-600\{o\}C. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.; Harmand, J. C. |
Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 12. - С. 88-94
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гексагональные структуры -- нитевидные нанокристаллы -- термодинамические модели Аннотация: Проведены экспериментальные исследования кристаллографической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и просвечивающей электронной микроскопии показано, что нитевидные нанокристаллы GaAs могут образовывать кристаллическую структуру сфалерита, вюрцита или промежуточной фазы, близкой к политипу 4H, в зависимости от условий осаждения и размера капель катализатора. Полученные результаты интерпретируются в рамках термодинамической модели. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Сибирев, Н. В.; Дубровский, В. Г.; Самсоненко, Ю. Б.; Litvinov, D.; Gerthsen, D. |
Формирование гетероструктур в нитевидных нанокристаллах по диффузионному механизму [Текст] / М. В. Назаренко [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 17. - С. 52-59 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- нитевидные нанокристаллы -- диффузия Аннотация: Рассматривается формирование осевых гетероструктур в нитевидном нанокристалле на основе диффузионной модели двухкомпонентного роста. Получено выражение для толщины гетерограницы, находящееся в согласии с экспериментальными результатами. При обычных условиях роста толщина зоны диффузионного размытия гетерограницы составляет значение порядка одного монослоя, что обеспечивает высокое качество гетерограниц в нитевидных нанокристаллах. Доп.точки доступа: Назаренко, М. В.; Сибирев, Н. В.; Цырлин, Г. Э.; Patriarche, G.; Harmand, J.- C.; Дубровский, В. Г. |
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1286-1290
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- GaAs -- рост нанокристаллов -- молекулярно-пучковая эпитаксия Аннотация: Построена обобщенная модель роста нитевидных нанокристаллов на активированных поверхностях по механизму пар-жидкость-кристалл. Проведены экспериментальные исследования зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au, от скорости осаждения GaAs. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и показано их хорошее соответствие. Показано, что зависимость высоты кристаллов от скорости осаждения имеет максимум, положение которого определяется прочими условиями осаждения и радиусом капли. В случае нитевидных нанокристаллов GaAs со средним радиусом порядка 20 нм указанный максимум соответствует скорости осаждения 0. 5-0. 6 монослоев в секунду. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Дубровский, В. Г.; Цырлин, Г. Э.; Егоров, В. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М. |
Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. Б. Самсоненко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1478-1482
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- кремний -- поверхность кремния -- молекулярно-пучковая эпитаксия Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования роста, морфологии и структуры нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния. Показано, что рост в непланарной геометрии позволяет выращивать эпитаксиальные нитевидные нанокристаллы (ННК) в системе с большим рассогласованием решеток. Проведены исследования и анализ роста на пористых подложках, влияния ориентации поверхности, высокотемпературного отжига, наличия окисного слоя и некоторых других эффектов, характерных для роста ННК A\{III\}B\{V\} на поверхности Si. Получено интенсивное излучение от массива GaAs ННК, выращенных на поверхности Si (111). Доп.точки доступа: Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Егоров, В. А.; Поляков, Н. К.; Улин, В. П.; Дубровский, В. Г. |
О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs (111) и GaAs (111) [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 4. - С. 142-145. - Библиогр.: c. 145 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): галлий -- адатомы -- эффективная диффузионная длина -- нанокристаллы -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- нитевидные нанокристаллы Аннотация: Получено уравнение, позволяющее рассчитывать эффективную диффузионную длину по измеренным значениям высоты и плотности нитевидных нанокристаллов в рамках диффузионной модели роста. На основе экспериментальных данных по выращиванию нитевидных нанокристаллов GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии проведена оценка диффузионных длин адатомов Ga по поверхностях GaAs (111) и AlAs (111). Показано, что при типичных условиях осаждения диффузионная длина Ga составляет величину порядка нескольких сотен нанометров. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Дубровский, В. Г.; Аршанский, Е. Б.; Цырлин, Г. Э.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М. |
Лубов, М. Н. Кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия [Текст] / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 1. - С. 85-91. - Библиогр.: c. 90-91 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- рост нанокристаллов -- арсенид галлия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- активация поверхности Аннотация: Разработана кинетическая модель роста и формирования кристаллических структур нитевидных нанокристаллов арсенида галлия при молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхностях, активированных каплями Au. Проведены расчет и сравнение с экспериментальными данными толщины чередующихся слоев кубической и гексагональной фаз, возникающих из-за флуктуаций состава раствора в капле. Доп.точки доступа: Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В. |
Лубов, М. Н. Компьютерное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs с неоднородной кристаллической структурой [Текст] / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 3. - С. 1-8
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): GaAs -- нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- рост нанокристаллов -- компьютерное моделирование Аннотация: Предложена физическая модель и проведены компьютерные расчеты роста нитевидных нанокристаллов GaAs с неоднородной кристаллической структурой при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены временные зависимости для скорости роста и высоты нитевидных нанокристаллов, рассчитаны момент времени переключения кристаллических фаз. Доп.точки доступа: Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В. |
Дубровский, В. Г. Влияние нуклеации на кристаллическую структуру полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 73-80
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- нуклеация -- активационный барьер -- кристаллическая структура Аннотация: Построена точно решаемая модель нуклеации при росте нитевидных нанокристаллов (ННК). Определен активационный барьер нуклеации зародышей в различных положениях в зависимости от химических потенциалов и поверхностных энергий. Показано, что нуклеация на тройной линии является энергетически выгодной. В широкой области параметров системы, в частности, для параметров GaAs ННК на поверхности GaAs (111) B, активированной Au, наблюдается эффект образования вюрцитной гексагональной (HEX) кристаллической фазы. Найдены зависимости вероятности формирования HEX фазы от пересыщения в капле и радиуса ННК. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В. |
Лубов, М. Н. Квазипериодические структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs, активированные каплями золота [Текст] / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 67-72
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- квазипериодические структуры Аннотация: Предложена физическая модель формирования квазипериодических структур в нитевидных нанокристаллах арсенида галлия под каплями золота. Проведены расчеты роста таких нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии с учетом флуктуаций концентрации галлия в капле-катализаторе. Получена зависимость от времени высоты нитевидного нанокристалла и рассчитаны толщины слоев кубической и гексагональной фаз, коррелирующие с экспериментом. Доп.точки доступа: Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В. |
Способ получения нитевидных нанокристаллов оксида цинка [Текст] / А. М. Багамадова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 76-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы оксида цинка -- лазерное напыление -- экситонная люминесценция -- ансамбли нанокристаллов -- ZnO -- оксид цинка Аннотация: При использовании магнетронного подслоя ZnO методом взрывного лазерного напыления на подложках сапфира с ориентацией (0001), а также на неориентирующих подложках из кварца, поликора и стекла получены игольчатые нитевидные нанокристаллы оксида цинка, ориентированные перпендикулярно поверхности подложек. Изучены особенности экситонной люминесценции и проведены рентгеноструктурные исследования ансамблей нанокристаллов. Доп.точки доступа: Багамадова, А. М.; Атаев, Б. М.; Мамедов, В. В.; Омаев, А. К.; Махмудов, С. Ш. |
Рябцев, С. В. Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза [Текст] / С. В. Рябцев, Н. М. А. Хадия, Э. П. Домашевская // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): технологические режимы -- олово -- оксид олова -- нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- газотранспортный синтез -- метод газотранспортного синтеза -- нитевидные нанокристаллы -- газ -- степень пресыщения -- рост кристаллов -- кристаллы -- фракталоподобные кристаллы -- монокристаллы -- объемные монокристаллы -- лентовидные кристаллы Аннотация: Обсуждаются технологические режимы газотранспортного синтеза нитевидных нанокристаллов оксида олова. Экспериментально установлена зависимость морфологии кристаллов SnO[2] от состава исходной шихты, состава газа-носителя и степени пресыщения парообразного материала в зоне роста кристаллов. В результате газотранспортного синтеза были получены фракталоподобные, объемные монокристаллы, лентовидные и нитевидные кристаллы с диаметром нитей от 1000 до 50 nm. Доп.точки доступа: Хадия, Н. М. А.; Домашевская, Э. П. |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |
Дубровский, В. Г. Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, М. А. Тимофеева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1267-1274 : ил. - Библиогр.: с. 1274 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нелинейные эффекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- адсорбция -- ПЖК -- диффузия -- поверхностная диффузия -- адатомы -- осаждение -- пар-жидкость-кристалл Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" за счет адсорбции из газообразной среды и поверхностной диффузии адатомов. Получено нелинейное уравнение для скорости роста нитевидного нанокристалла в стационарном режиме с учетом эффекта Гиббса-Томсона в капле. Показано, что в зависимости от условий процесса осаждения, радиуса кристалла и его начальной длины возможны шесть принципиально различных режимов роста, что связано с квадратичной нелинейностью уравнения роста. При заданных условиях осаждения длина нитевидного нанокристалла либо неограниченно увеличивается, либо стремится к некоторому конечному (в некоторых случаях нулевому) пределу. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А. |
Дубровский, В. Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии. Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М. |
Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 114-117 : ил. - Библиогр.: с. 117 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- рост нанокристаллов -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксиальные слои -- двумерные слои -- GaAs -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- подложки -- Au -- золото Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован вопрос о начальном этапе образования полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл". Показано, что капли малого размера либо зарастают, либо "всплывают" вместе с поверхностью двумерного эпитаксиального слоя. Рассчитана геометрическая форма нитевидных нанокристаллов на начальном этапе роста. Приведены экспериментальные данные по образованию GaAs-нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (111) B, активированных Au. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Назаренко, М. В.; Цырлин, Г. Э.; Самсоненко, Ю. Б.; Дубровский, В. Г. |
Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si). Доп.точки доступа: Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н. |
Поверхностная энергия и кристаллическая структура нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1428-1434. - Библиогр.: с. 1434 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностная энергия -- кристаллические структуры -- нанокристаллы -- полупроводниковые соединения -- нитевидные нанокристаллы Аннотация: Предложена теоретическая модель расчета поверхностной энергии кристаллов в приближении ближайших соседей. Рассчитана поверхностная энергия для различных граней кристаллов полупроводников III-V с кубической и гексагональной структурами. На основе полученных данных рассмотрен эффект образования гексагональной вюрцитной фазы в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений III-V. Приведены оценки для критического радиуса фазового перехода в нитевидных нанокристаллах III-V. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А.; Большаков, А. Д.; Назаренко, М. В.; Дубровский, В. Г. |
536.42 Н 191 Назаренко, М. В. Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов [Текст] / М. В. Назаренко, Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 2. - С. 153-156. - Библиогр.: c. 156 (31 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- диффузия адатомов -- чужеродные атомы -- самосогласованная модель роста кристаллов -- рост нанокристаллов -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- газофазная эпитаксия Аннотация: Предложена самосогласованная модель роста и структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК). Исследуется вопрос о кристаллической фазе ННК полупроводниковых соединений III-V. Рассчитан критический радиус перехода от гексагональной вюрцитной (WZ) структуры к кубической структуре типа цинковой обманки (ZB) в зависимости от параметров системы материалов и пересыщения газообразной среды. Представленная модель применима как для газофазной, так и для молекулярно-пучковой эпитаксии и позволяет рассчитывать вероятности образования фаз WZ и ZB при различных условиях осаждения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/02/p153-156.pdf Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Дубровский, В. Г. |