539.1/18 К 604 Колин, Н. Г. (???? 1). Ядерное легирование и радиционное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы [Текст] / Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 48 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): наведенная радиактивность -- нейтроны реактора -- радиационные дефекты -- тепловые нейроны -- ядерное легирование Аннотация: Представлен обзор развития в стране технологий ядерного легирования и радиционного модифицирования полупроводниковых материалов. Рассматриваются преимущества ядерно-легированных и радиционно-мрдифицированных материалов по сравнению с материалами, легированными в процессе выращивания. Обсуждаются основные задачи и перспективы развития радиционных технологий в России на базе действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов типа РБМК |
537 Б 890 Брудный, В. Н. (???? 1). Закрепление уровня ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиционное модифицирование [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 43 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): пластическая деформация -- уровень Ферми -- электронный химпотенциал Аннотация: Представлены обзор современного состояния проблемы закрепления уровня Ферми в полупроводниках для различных физических явлений и результаты оригинальных экспериментальных и теоритических исследований данного вопроса для границ раздела, кластеров и радиционных дефектов в большой группе полупроводников Доп.точки доступа: Гриняев, С.Н. (???? 1); Колин, Н.Г. (???? 1) |
537.311.322 Б 890 Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): виртуальный кристалл; зарядовая нейтральность (физика); уровни нейтральной вакансии азота; энергетическое положение; радиационное воздействие; высокоэнергетическое радиационное воздействие Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
537 Б 890 Брудный, В. Н. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22. - Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): антиструктурные дефекты (физика); бинарные полупроводники; облученные полупроводники; полупроводники; уровень локальной зарядовой нейтральности; уровень Ферми; Ферми уровень Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
621.3 Б 890 Брудный, В. Н. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках [Текст] / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1031-1040 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- облученные полупроводники -- электрофизические свойства -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- тетраэдрические полупроводники -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона Аннотация: Развита модель для численного анализа электрофизических свойств и оценки стационарного (предельного) положения уровня Ферми (F[lim]) в тетраэдрических полупроводниках, облученных частицами высоких энергий. Приведены экспериментальные величины F[lim], расчетные значения. E[G]. /2 и данные по электрофизическим свойствам облученных полупроводников. Проанализированы химические тенденции в изменении величины Flim в группах полупроводников с родственным типом химической связи. Доп.точки доступа: Колин, Н. Г.; Смирнов, Л. С. |
Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): виртуальный кристалл -- зарядовая нейтральность (физика) -- уровни нейтральной вакансии азота -- энергетическое положение -- радиационное воздействие -- высокоэнергетическое радиационное воздействие Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г. |
Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. - Библиогр.: c. 31 (37 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электрический ток Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г. |
Брудный, В. Н. Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-A{III}N (BN, AlN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1312-1320 : ил. - Библиогр.: с. 1319 (45 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): уровень локальной зарядовой нейтральности -- уровень CNL -- электронные спектры -- полупроводниковые соединения -- BN -- AlN -- GaN -- InN -- нитриды -- облученные нитриды -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- высокоэнергетическое облучение -- метод DFT-LDA/GGA -- зонные спектры нитридов -- DFT-LDA/GGA Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) и метода специальных точек рассчитаны электронные спектры и энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, AlN, GaN и InN со структурой вюрцита с использованием различных эвристических моделей. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединениях wz-A{III}N имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны в соединениях BN и AlN в верхнюю половину запрещенной зоны в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AlN, n-тип проводимости GaN и n+-тип проводимости InN при насыщении нитридов wz-A{III}N собственными дефектами решетки при высокоэнергетическом облучении. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г. |
621.315.592 Э 455 Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. |
621.315.592 Э 455 Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450-456 : ил. - Библиогр.: с. 455 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение электронами -- электронное облучение -- термообработка -- термическая обработка -- электронные свойства -- нитрид галлия -- GaN -- электрофизические свойства -- глубокие ловушки (физика) -- эпитаксиальные слои -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- спектры ловушек -- электроны -- отжиг -- радиационные дефекты Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=10{16}-10{18} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000 °C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1 x 10{14}-1 x 10{16} см{-3}), промежуточно легированных (n= (1. 2-2) x 10{17} см{-3}) и сильно легированных кремнием (n= (2-3. 5) x 10{18} см{-3}) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3] с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи E[c]-0. 91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000 °C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400 °C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p450-456.pdf Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Говорков, А. В.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б. |
539.2 В 586 Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия [Текст] / В. М. Бойко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 136-142 : ил. - Библиогр.: с. 142 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронное облучение -- облучение нейтронами -- температура отжига -- флюенсы нейтронов -- реакторные нейтроны -- термообработка -- термическая обработка -- электрофизические свойства -- решетки -- эпитаксиальные слои -- подложки -- удельное сопротивление -- радиационные дефекты -- нейтроны Аннотация: Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов (Phi=1. 5 x10{17}-8 x 10{19} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000{o}C на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3]. Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1-2) x 10{18} см{-2} удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 10{10} Ом x см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2 x 10{6} Ом x см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c с ростом флюенса нейтронов до 8 x 10{19} см{-2} увеличивается на 0. 38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000{o}C не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p136-142.pdf Доп.точки доступа: Бойко, В. М.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Меркурисов, Д. И.; Поляков, А. Я.; Чевычелов, В. А. |
539.2 И 373 Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок n-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 461-467 : ил. - Библиогр.: с. 467 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- пленки -- GaN -- электронные спектры -- решетки -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- нейтронное облучение -- сапфир -- отжиг -- изохронный отжиг -- напряжения -- запрещенные зоны -- температура отжига Аннотация: Выполнены исследования зависимости структурных параметров эпитаксиальных пленок GaN на сапфире (n-GaN/Al[2]O[3] (0001) ) после облучения реакторными нейтронами интегральными потоками до 7. 25 x 10{19} бн/см{2} (varphi[бн]/varphi[тн]~1) и последующего изохронного отжига до 1000{o}C. Измерения параметров решетки a и c облученных пленок n-GaN выявили увеличение постоянной решетки c на 0. 38% при практически неизменной величине параметра a. Из теоретических оценок следует, что в облученной пленке n-GaN величина упругого напряжения растяжения вдоль оси c доходит до ~1. 5 ГПа; тогда как напряжение сжатия в базальной плоскости элементарной ячейки составляет около -0. 5 ГПа. Растяжение облученной пленки GaN вдоль гексагональной оси приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны E[g] и понижению уровня зарядовой нейтральности на 37 и 22 мэВ соответственно по отношению к их значениям в исходной пленке GaN на сапфире. Восстановление вызванного облучением реакторными нейтронами изменения параметра Delta c имеет место в температурном интервале 100-1000{o}C с основной стадией отжига вблизи 400{o}C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p461-467.pdf Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. |
539.2 Б 890 Брудный, В. Н. Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 4. - С. 633-641. - Библиогр.: с. 641 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теория функционала плотности -- вюрцит -- внешнее гидростатическое давление -- механическое напряжение Аннотация: На основе расчетов из первых принципов в рамках теории функционала плотности рассмотрены фундаментальные свойства соединений AlN и GaN со структурой вюрцита под действием внешнего гидростатического давления, одноосного механического напряжения сигма|| вдоль гексагональной оси и двухосного механического напряжения сигма нормал в плоскости основания элементарной ячейки. Получены давления фазовых переходов из структур вюрцита и сфалерита в структуру каменной соли, исследовано поведение структурных параметров, межзонных переходов и положения уровня зарядовой нейтральности. Рассчитаны коэффициенты давления ширины запрещенной зоны. Коэффициенты давления уровня зарядовой нейтральности практически во всех случаях существенно меньше соответствующих данных для Eg. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г. |
539.2 Э 455 Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / В. М. Бойко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 885-889 : ил. - Библиогр.: с. 888-889 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные свойства -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- быстрые нейтроны -- электрофизические свойства -- эпитаксиальные пленки -- легирование -- сопротивление материалов -- прыжковая проводимость -- носители заряда -- радиационные дефекты -- изохронный отжиг -- температурные зависимости Аннотация: Проанализировано влияние облучения полным спектром реакторных нейтронов и преимущественно быстрыми нейтронами реактора (до 8·10{18} см{-2}) на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок p-GaN (Mg) с различным уровнем исходного легирования (концентрация дырок p = 10{17}-10{19} см{-3}). При нейтронном облучении отмечено увеличение удельного сопротивления исходного материала до значений 10{10} Ом·см при 300 K. При больших флюенсах нейтронов обнаружено уменьшение электросопротивления материала вследствие прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям радиационных дефектов. Исследование изохронного отжига в области 100-1000°С выявило стадии отжига донорных, около 100-300, 500-700 и 750-850°С, и акцепторных, около 300-500 и 650-800°С, дефектов в облученных нейтронами образцах p-GaN (Mg). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p885-889.pdf Доп.точки доступа: Бойко, В. М.; Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Томский государственный университет; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); ОАО "Гиредмет" (Москва) |