22.37 К 630 Комаров, Ф. Ф. Экспериментальная установка с одним ионным пучком и новый метод одновременного осаждения слоев металлов и имплантации [Текст] / Ф. Ф. Комаров, А. А. Комаров [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ассистируемое ионным облучением осаждение -- ионная имплантация -- осаждение атомов -- распределение атомов Аннотация: Предложен оригинальный подход и экспериментальная установка для реализации in situ ионной имплантации и осаждения слое различных материалов на металлы одним и тем же пучком. Созданная система моделирования процессов дает возмозжность описать ионно-ассистируемое осаждение, а также вычислить радиальное и глубинное распределения осажденных/имплантированных атомов. Результаты моделирования позволили сделать выводы о влиянии энергии ионного пучка, массы и флюенса ионов и особенно геометрии распыляемой мишени. Также представлены экспериментальные результаты по глубинным распределениям имплантируемых атомов и толщинам нанесенных слоев. Наблюдаемое изменение в толщине осажденных слоев, их однородность и эффективность перемешивания в системе пленка-подложка обсуждаются и интерпретируются на основе результатов моделирования и экспериментальных данных Доп.точки доступа: Комаров, А.А.; Жуковски, П.; Карват, Ч.; Селянко, Ю.; Кищак, К.; Комаров, А.Ф. |
539.2 К 630 Комаров, Ф. Ф. Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm Доп.точки доступа: Ювченко, В.Н. |
539.2 А 650 Андасбаев, Е. С. Воздействие электронного облучения на физико-химические процессы в высокотемпературной керамике YBa[2]Cu[3]O[6+x] [Текст] / Е. С. Андасбаев, Ф. Ф. Комаров [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 49-50 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокотемпературная керамика -- керамика -- электронное облучение Аннотация: Исследовалось влияние электронного излучения с энергией 2 MeV и интегральными дозами 0. 1, 0. 3, 1. 5, 3. 0 MGy на физико-химические процессы в поликристаллическом YBa[2]Cu[3]O[6+x]. Установлено, что на разных стадиях облучения проявляется одновременное протекание противоположенных процессов, затрагивающих матрицу и приграничные области этого соединения. Воздействие дозами D<1. 5 MGy вызывает усиление "слабых" связей на межгранульных прослойках, обусловленных снижением поверхностного потенциального барьера для миграции кислорода в вакантные узлы, приводящих к упорядоченности кислородной подрешетки в приграничных областях. Воздействие доз D>1. 5 MGy вызывает разрушение поверхностных слоев гранул, приводящих к росту диффузии кислорода из внутреннего объема и тем самым к деградации материала. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-47.html.ru Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Купчишин, А. И.; Мурадов, А. Д.; Поздеева, Т. В. |
669.017 К 630 Комаров, Ф. Ф. Остаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфора [Текст] / Ф. Ф. Комаров, М. Джадан [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): остаточные дефекты -- дефекты -- ионы -- бор -- фосфор -- кремний -- радиационные дефекты -- дислокационные петли -- стержнеобразные дефекты -- термообработка -- кластеризация -- исследования Аннотация: Исследовано накопление радиационных дефектов в Si, имплантированном ионами B{+} и P{+}, и образование остаточных нарушений при последующей термообработке. Доп.точки доступа: Джадан, М.; Гайдук, П. И.; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Жуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерек, П. |
539.21 А 650 Андасбаев, Е. С. Влияние электронного облучения на физико-химические процессы в высокотемпературном сверхпроводнике YBa[2]Cu[3]O[6+х] [Текст] / Е. С. Андасбаев, Ф. Ф. Комаров [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- облучение -- сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- поликристаллы -- дозы облучения -- иттриевая керамика -- керамика Аннотация: Исследовано влияние электронного облучения на физико-химические процессы в поликристаллическом высокотемпературном сверхпроводнике. Относительный вклад различных радиационно-стимулированных процессов в изменение свойств соединения зависит от дозы облучения. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Купчишин, А. И.; Мурадов, А. Д.; Поздеева, Т. В. |
541.64 Л 47 Леонтьев, А. В. Формирование диэлектрических микроволноводов в системе полимер/SiO[2]/Si с использованием ионного облучения [Текст] / А. В. Леонтьев, В. И. Ковалев, Ф. Ф. Комаров, А. В. Хомич // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 3. - С. 79-84 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Химия--Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): микроволноводы; диэлектрические микроволноводы; ионное облучение; спектральная эллипсометрия; бинарная модуляция Аннотация: Исследовано влияние ионной имплантации на оптические свойства пленок ПММА. Рассмотрены физические аспекты оптимизации процесса формирования диэлектрических микроволноводов на основе системы полимер/SiO[2]/Si при ионном облучении. Доп.точки доступа: Ковалев, В. И.; Комаров, Ф. Ф.; Хомич, А. В. |
Рентгеновский “нож” - субмикронный инструмент для исследования качества фокусирующих линз [Текст] / А. Н. Артемьев [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 69-73
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): рентгеновский нож -- субмикронный инструмент -- фокусирующие линзы -- синхротронное излучение -- гониометрический модуль Аннотация: Описывается разработанный авторами подвижный рентгеновский “нож”. Прибор предназначен для определения профиля пространственного распределения интенсивности в пучке ионизирующего излучения. Его автоматизированная система движения сочетает в себе два типа движителя. Значительные перемещения осуществляются с помощью гониометрического модуля с пьезоприводом. Угловой шаг этого модуля равен 1 угл. с, что соответствует линейному перемещению 0. 97 мкм. В качестве “тонкого” движителя применен поворотный модуль с пьезостолбом. Его линейный шаг может варьироваться от 0. 01 до 1 мкм при полном числе шагов, равном 1000. Рентгеновский “нож” экспериментально испытан в Курчатовском центре синхротронного излучения (СИ) для диагностики параметров короткофокусной рентгеновской линзы при энергии фотонов 18 кэВ. В вертикальном направлении ширина профиля распределения интенсивности в пучке, сформированном линзой, составила 2. 4 мкм. Доп.точки доступа: Артемьев, А. Н.; Маевский, А. Г.; Артемьев, Н. А.; Демкив, А. А.; Дудчик, Ю. И.; Забелин, А. В.; Кириллов, Б. Ф.; Квардаков, В. В.; Комаров, Ф. Ф.; Найда, О. В.; Порохова, А. В. |
Формирование протяженных дефектов в кремнии при высокодозной имплантации ионов водорода [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 27-30
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- оптическая электронная микроскопия -- блистеринг -- флекинг -- режим каналирования ионов -- прецизионные сколы тонких слоев Аннотация: Образцы монокристаллического кремния Si (001), выращенного по Чохральскому, после облучения протонами и термообработок были исследованы методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии, интерферометрии и резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием. Рассмотрены основные стадии образования областей блистеринга и флекинга при различных значениях энергии и дозах имплантации, температурах и временах термообработки. Вводится понятие пороговой дозы имплантации ионов водорода, при которой эффект блистеринга регистрируется оптическими методами после отжига при температуре 450°C. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пилько, В. В.; Фоков, Ю. Г. |
Камышан, А. С. Транспортировка протонов с энергией 240 КЭв через диэлектрические капилляры [Текст] / А. С. Камышан, Ф. Ф. Комаров, А. Е. Лагутин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 61-63
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): протоны -- диэлектрические капилляры -- транспортировка пучков -- ионные пучки -- заряженные частицы -- субмикронная спектрометрия Аннотация: Измерялось угловое распределение протонов с энергией 240 кэВ, прошедших через стеклянные (боросиликатные) капилляры диаметром 0. 1 и 0. 5 мм длиной 30, 65, 178 мм, в диапазоне тока пучка протонов от 10\{–12\} до 5 х 10\{–11\} А при углах влета протонов относительно оси капилляра от – 0. 20 градусов до +0. 20 градусов. Форма углового распределения протонов, прошедших через стеклянный капилляр длиной 65 мм, определяется в значительной мере однократным рассеянием заряженных частиц внутренней поверхностью капилляра. Увеличение длины капилляра до 178 мм приводит к изменению формы углового распределения, поскольку при этих размерах начинает сказываться влияние заряда внутренней поверхности капилляра. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Лагутин, А. Е. |
Cтруктурно-фазовые и физико-химические изменения в поверхностном слое альфа-железа, оплавленном плазменной струей [Текст] / А. Д. Погребняк [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 1. - С. 96-104
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): плазменные технологии -- осаждение порошка -- плазменная струя -- металлокерамические порошки -- защитные покрытия -- ионная имплантация -- ионное перемешивание -- сильнолегированные композиты Аннотация: Представлены результаты исследований, полученные на образцах железа, оплавленных импульсной плазменной струей с различным числом импульсов и легированных с помощью эродирующего электрода из WC. Показано, что происходит уменьшение износа в 1. 7–2 раза при трении цилиндра по поверхности образца по сравнению с необработанными образцами железа. Приповерхностный слой Fe легирован элементами, содержащимися в материале электрода, – W, Co, Cu. Наряду с альфа-Fe в модифицированном слое образуется мелкодисперсный карбид Fe[6]W[6]C, а также, возможно, W[6]Co[6]C. После проведения испытаний по износу в местах контакта цилиндра с образцом был обнаружен слой глубиной до 15 мкм с высокой концентрацией W (до 1. 2 aт. %). Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Кислицын, С. Б.; Комаров, Ф. Ф.; Русаков, В. С.; Братушка, С. Н.; Ердыбаева, Н. К.; Жуковский, П. |
Влияние наполнителя и облучения на механические свойства полимерного композитного материала [Текст] / А. И. Купчишин [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 6. - С. 18-22 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полимеры -- керамика -- композитные пленки -- электронное облучение -- монтмориллониты -- мелкокристаллические порошки Аннотация: Исследовано влияние облучения квантами Co и электронами с энергией 4 МэВ на полиимидные композитные пленки с различными наполнителями (монтмориллонит, мелкокристаллический порошок). Установлено, что механические свойства композитных пленок существенно зависят от состава наполнителя и условий облучения. Доп.точки доступа: Купчишин, А. И.; Комаров, Ф. Ф.; Мурадов, А. Д.; Искаков, Р. М.; Таипова, Б. Г.; Сарсембаев, Г. Б.; Поздеева, Т. В. |
539.2 М 597 Микро- и нанокомпозитные защитные покрытия на основе Ti-Al-N/Ni-Cr-B-Si-Fe, их структура и свойства [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 7. - С. 124-131. - Библиогр.: c. 131 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокомпозитные покрытия -- магнетронное распыление -- плазменно-детонационные технологии -- защитные покрытия -- коррозия -- износостойкость -- адгезия Аннотация: Получен и исследован новый тип нанокомпозитного покрытия на основе Ti-Al-N/Ni-Cr-B-Si-Fe толщиной 70-90 mum, созданный с помощью комбинации магнетронного распыления и плазменно-детонационной технологии. Обнаружено формирование фаз Ti[3]AlN + Ti[2]Al[2]N[2] и фаз, образованных в результате взаимодействия плазмы с толстым покрытием Al[3]Ti + Ni[3]Ti. Установлено, что фаза TiAlN является нанодисперсной с размерами зерен 18-24 nm, а другие фазы имеют большой размер зерен - от 35 до 90 nm. Для покрытия из Ti-Al-N значение модуля упругости составляет около E=342+1 GPa, а среднее значение твердости H=20. 8+1. 8 GPa. Скорость коррозии данного покрытия очень мала и составляет 4. 8 mug/year, т. е. примерно на 3 порядка меньше, чем для нержавеющей стали (подложки). Исследования износа по схеме цилиндр-поверхность показали высокую стойкость и высокое значение адгезии между толстым и тонким покрытиями. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/07/p124-131.pdf Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Дробышевская, А. А.; Береснев, В. М.; Кылышканов, М. К.; Кирик, Г. В.; Дуб, С. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Шипиленко, А. П.; Тулеушев, Ю. Ж. |
537.86 О-746 Ослабление электромагнитного излучения СВЧ-диапазона бумагой из углеродных нанотрубок [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 140-145. - Библиогр.: c. 145 (39 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электромагнитные колебания Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- нанотрубки -- электромагнитное излучение -- СВЧ-излучение -- бумага из углеродных нанотрубок -- ослабление электромагнитного излучения -- отражение электромагнитного излучения -- buckypaper Аннотация: Сформирован материал на основе углеродных нанотрубок, исследованы размерные и структурные характеристики исходных нанотрубок и изготовленной бумаги. Получены характеристики взаимодействия электромагнитного излучения с бумагой из углеродных нанотрубок в диапазоне от 25. 5 до 73. 3 GHz. Обнаружены сильные отражения и ослабление излучения в исследуемой области. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p140-145.pdf Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Munoz, E.; Родионова, В. Н.; Карпович, В. Б.; Кривошеев, Р. М. |
621.7 В 586 Влияние параметров осаждения на сверхтвердость и стехиометрию наноструктурных пленок Ti-Hf-Si-N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 11. - С. 38-45. - Библиогр.: c. 45 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Обработка материалов Техника Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Ti-Hf-Si-N -- коэффициент трения -- материаловедение -- модули упругости -- наноструктурные пленки Ti-Hf-Si-N -- наноструктурные покрытия -- сверхтвердые двухфазные наноструктурные покрытия -- сверхтвердые покрытия -- стехиометрия наноструктурных пленок -- твердые наноструктуры -- элементный состав Аннотация: Получены сверхтвердые наноструктурные покрытия (пленки) на основе Ti-Hf-Si-N с высокими физико-механическими свойствами. С помощью ядерных и атомно-физических методов анализа: POP, ВИМС, хромато-масс-спектрометрии, РЭМ с энергодисперсной рентгеновской спектроскопией, дифракционного рентгеновского анализа и наноиндентирования - были исследованы элементный и фазовый состав, морфология этих пленок в зависимости от подаваемого на них потенциала смещения на подложку и давления в камере. Обнаружено, что при уменьшении размера нанозерен nc- (Ti, Hf) N от 6, 7 до 5 нм и формировании a-Si[3]N[4] (аморфной или квазиаморфной фазы как прослойки между нанозернами) возрастает нанотвердость от 42, 7 до 48, 4-1, 6 ГПа, однако дальнейшее уменьшение размера кристаллитов (Ti, Hf) N до 4, 0 приводит к незначительному уменьшению твердости. Определена стехиометрия состава пленки, которая изменяется от (Ti[40]-Hf[9]-Si[7, 5]) N46 до композиции (Ti[28]-Hf[9]-Si[9]) N[45], изменяется также значение параметра решетки твердого раствора (Ti, HON. Следует отметить, что в покрытиях с высокой твердостью коэффициент трения наименьший (0, 2) и его величина не меняется при истирании всей толщины покрытия. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Береснев, В. М.; Шпак, А. П.; Конарский, П.; Комаров, Ф. Ф.; Кирик, Г. В.; Махмудов, Н. А.; Колесников, Д. А.; Углов, В. В.; Соболь, О. В.; Каверин, М. В.; Грудницкий, В. В. |
539.21:534 С 798 Стехиометрия, фазовый состав и свойства сверхтвердых наноструктурных пленок Ti-Hf-Si-N, полученные с помощью вакуумно-дугового источника в высокочастотном разряде [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 90-97 : ил. - Библиогр.: с. 96-97 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): наноструктурные покрытия -- сверхтвердые покрытия -- сверхтвердые наноструктурные покрытия -- наноструктурные пленки -- стехиометрия -- элементный состав -- фазовый состав -- физико-механические свойства -- вакуумно-дуговые источники -- высокочастотные разряды -- методы анализа -- ядерные методы -- атомно-физические методы -- наноиндентирование -- морфология пленок -- исследования -- потенциал смещения -- подложки (физика) -- давление (физика) -- нанозерна -- нанотвердость -- кристаллиты -- твердые растворы Аннотация: Получены сверхтвердые наноструктурные покрытия (пленки) на основе Ti-Hf-Si-N с высокими физико-механическими свойствами. С помощью ядерных и атомно-физических методов анализа RBS, SIMS, GT-MS, SEM с EDXS, XRD и наноиндентирования были исследованы элементный, фазовый состав и морфология этих пленок в зависимости от подаваемого на них потенциала смещения на подложку и давления в камере. Обнаружено, что при уменьшении размера нанозерен nc- (Ti, Hf) N от 6. 7 до 5 nm и формировании alpha-Si[3]N[4] (аморфной или квазиаморфной фазы как прослойки между нанозернами) возрастает нанотвердость от 42. 7 до 48. 4-1. 6 GPa, однако дальнейшее уменьшение размера кристаллитов (Ti, Hf) N до 4. 0 приводит к незначительному уменьшению твердости. Определена стехиометрия состава пленки, которая изменяется от (Ti[25]-Hf[12. 5]-Si[12. 5]) N[50] до композиции (Ti[28]-Hf[18]-Si[9]) N[45], также изменяется значение параметра решетки твердого раствора (Ti, Hf) N. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p91-97.pdf Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Шпак, А. П.; Береснев, В. М.; Кирик, Г. В.; Колесников, Д. А.; Комаров, Ф. Ф.; Конарский, П.; Махмудов, Н. А.; Каверин, М. В.; Грудницкий, В. В. |
539.21:534 В 586 Влияние массопереноса и сегрегации на формирование сверхтвердых наноструктурных покрытий Ti-Hf-N(Fe) [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 57-64 : ил. - Библиогр.: с. 64 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): наноструктурные покрытия -- сверхтвердые покрытия -- сверхтвердые наноструктурные покрытия -- формирование покрытий -- получение покрытий -- сегрегация -- массоперенос -- ионы -- микропучки ионов -- локальные области -- синтезированные покрытия -- нанотвердость -- нанозерна -- микроанализ -- XRD -- TEM -- AFM -- SEM -- PIXE -- результаты анализов Аннотация: Получены сверхтвердые наноструктурные покрытия состава Ti-Hf-N (Fe). Обнаружено с помощью mu-PIXE (микропучка ионов) формирование локальных областей из (Ti, Hf) N, FeN и Hf. Выявлено то, что синтезированные покрытия имеют нанотвердость 48±1 GPa и сформированы из нанозерен с размером от 4. 8 до 10. 6 nm, которые обволакиваются более мелкими образованиями других фаз (Ti, Fe) N и FeN. Наблюдается хорошая корреляция результатов, полученных с помощью XRD, TEM, AFM а также SEM с микроанализом, которые в свою очередь дополняются результатами анализов, полученных с помощью микропучка ионов и PIXE. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p57-64.pdf Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Пономарев, А. Г.; Колесников, Д. А.; Береснев, В. М.; Комаров, Ф. Ф.; Мельник, С. С.; Каверин, М. В. |
539.2 А 288 Адгезионная прочность и сверхтвердость, фазовый и элементный состав наноструктурных покрытий, сформированных на основе Ti-Hf-Si-N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1764-1771. - Библиогр.: с. 1771 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адгезионная прочность -- сверхтвердость -- наноструктурные покрытия -- сверхтвердые покрытия Аннотация: Получены сверхтвердые покрытия на основе Ti-Hf-Si-N c хорошими физико- механическими свойствами свойствами, на которых выполнен сравнительный анализ физических, механических и трибомеханических характеристик. Определены и рассчитаны значения твердости, модуля упругости, величины упругого восстановления, адгезионной прочности, коэффициента трения и скорости износа. Описаны особенности деформации и разрушения покрытий, осажденных на подложку из стали, при проведении адгезионных испытаний. Показано, что совокупность параметров, регистрируемых в процессе царапания, позволяет различать пороговые значения критической нагрузки, приводящие к разным типам (когезионному и адгезионному разрушения покрытий при трибологических испытаниях. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния, вторичной ионной масс- спектрометрии, энергодисперсионного микроанализа была определена стехиометрия для разных серий образцов с покрытиями Ti-Hf-Si-N. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Береснев, В. М.; Демьяненко, А. А.; Байдак, В. С.; Комаров, Ф. Ф.; Каверин, М. В.; Махмудов, Н. А.; Колесников, Д. А. |
537 Т 650 Травление ионных треков в аморфном диоксиде кремния [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 799-801. - Библиогр.: с. 801 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- ионные треки -- травление ионных треков -- расчеты образования треков -- кантовые эффекты Аннотация: Исследовно травление ионных треков в термически оксидированном кремнии, облученном быстрыми ионами. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Ювченко, В. Н.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А. |
539.19 О-754 Особенности изменений структуры поверхности в монокристаллах InP и GaAs, облученных электронами и ионами высоких энергий [Текст] / Л. А. Власукова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 8. - С. 1178-1181. - Библиогр.: с. 1181 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- изменение структуры кристаллов -- быстрые ионы -- модификация материалов -- облучение электронами кристаллов -- формирование микродефектов -- взаимодействия электронов Аннотация: Методами растровой электронной и атомной микроскопии и селективного химического травления изучены изменения структуры кристаллов InP и GaAs при воздействии быстрых ионов Kr и Bi. Доп.точки доступа: Власукова, Л. А.; Дидык, А. Ю.; Комаров, Ф. Ф.; Семина, В. К.; Чеблуков, Ю. Н.; Ювченко, В. Н. |
537.534.7 К 630 Комаров, Ф. Ф. Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВ, прошедших диэлектрические капилляры [Текст] / Ф. Ф. Комаров, А. С. Камышан, А. Е. Лагутин // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 680-682. - Библиогр.: c. 682 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): движение частиц -- заряженные частицы -- угловые распределения -- ускоренные протоны -- протоны -- поверхности -- диэлектрические капилляры -- стеклянные капилляры Аннотация: Исследованы процессы взаимодействия ускоренных протонов с поверхностью диэлектрических капилляров с целью изучения характера движения частиц при таком взаимодействии. Доп.точки доступа: Камышан, А. С.; Лагутин, А. Е. |