621.315.592 Б 907 Булатецкая, Л. В. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCd[2]GaS[4] [Текст] / Л. В. Булатецкая, В. В. Божко, Г. Е. Давидюк, О. В. Парасюк // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 522-527 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллические соединения -- сульфид кадмия -- халькогенидные соединения -- фотопроводимость Аннотация: Исследовались малоизученные монокристаллические соединения AgCd[2]GaS[4], которые кристаллизуются в ромбической структуре (пространственная группа Pmn2[1]). Нарушение стехиометрии образцов и статистическое заполнение ионами атомов Ag и Ga катионной подрешетки ведет к нарушению дальнего порядка в расположении атомов и приближает соединения AgCd[2]GaS[4] к неупорядоченным системам. При этом наблюдается размытие и смещение в длинноволновую область края полосы собственного поглощения, которая хорошо описывается правилом Урбаха, а также расширение спектров фотопроводимости и люминесценции. Рассчитана концентрация точечных заряженных дефектов, ответственных за размытие края поглощения. Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Давидюк, Г. Е.; Парасюк, О. В. |
621.315.592 Д 132 Давидюк, Г. Е. Особенности оптических и фотоэлектрических свойств специально не легированных и легированных Cu монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 399-403 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): быстрые нейтроны -- сульфид кадмия -- медь -- нейтронное облучение -- кластеры дефектов -- легирование Аннотация: Приведены экспериментальные результаты по исследованию влияния быстрых реакторных нейтронов на спектры поглощения света, фотопроводимость и люминесценцию специально не легированных и легированных медью монокристаллов сульфида кадмия. Показано, что образованные при нейтронном облучении кластеры дефектов проявляют гетерирующие свойства для легко мигрирующих оптически активных примесей в решетке кристалла. Дефекты в нейтронно-облученных образцах отжигаются в две стадии. На первой стадии (~ 100-150 градусов Цельсия) происходит отжиг точечных дефектов, на второй - (~ 250-420 градусов Цельсия) отжигаются в основном кластеры дефектов, при их распаде происходит обогащение решетки вакансиями кадмия и серы. Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Булатецкая, Л. В.; Кевшин, А. Г. |
539.2 Д 132 Давидюк, Г. Е. Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Г. Л. Мирончук, В. З. Панкевич // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки. Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З. |
Давидюк, Г. Е. Особенности влияния электронной и нейтронной радиации на фотоэлектрические свойства специально не легированных и легированных Cu монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Л. В. Булатецкая // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1263-1267
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- фотоэлектрические свойства -- CdS -- Cu -- легирование -- облучение -- электроны -- нейтроны Аннотация: Исследовались электрические, фотоэлектрические и магнитные свойства нелегированных и легированных медью монокристаллов CdS, облученных электронами и нейтронами. Показано, что ответственными за примесную фотопроводимость и парамагнитные свойства являются донорно-акцепторные пары, частности в легированных образцах - Cu[Cd]\{-\}-D\{+\}, которые разрушаются при облучении и вновь формируются с течением времени (как вторичные радиационные дефекты) в облученных образцах. Установлено, что основная доля парамагнитных центров и донорно-акцепторных пар располагается в приповерхностной области кристалла. Подтверждено, что крупные структурные дефекты, кластеры дефектов, образованные нейтронной радиацией, являются эффективными стоками для атомов меди. Изучены особенности изохронного отжига парамагнитных центров и донорно-акцепторных пар, ответственных за изменение магнитных параметров, спектров фотопроводимости облученных нелегированных и легированных Cu образцов CdS. Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Булатецкая, Л. В. |
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В. |
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. |
Влияние дефектов, образованных быстрыми реакторными нейтронами, на экситонные спектры люминесценции монокристаллов сульфида кадмия [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1189-1193 : ил. - Библиогр.: с. 1192-1193 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефекты -- быстрые реакторные нейтроны -- кластеры дефектов -- люминесценция -- экситонные спектры люминесценции -- экситонная фотолюминесценция -- ЭФЛ -- монокристаллы сульфида кадмия -- CdS-монокристаллы -- сульфид кадмия -- нейтроны -- экситонные спектры отражения -- ЭСО -- нейтронная радиация Аннотация: Изучалось влияние кластеров дефектов, образованных нейтронной радиацией в CdS-монокристаллах, на параметры спектров экситонной фотолюминесценции при T~ 4. 2 K. Экспериментально установлено, что облучение образцов быстрыми реакторными нейтронами с энергией частиц E~ 1 МэВ и дозой Phi=3 x 10{18} см{-2} ведет к уменьшению в ~50 раз интенсивности линий экситонной фотолюминесценции I[1] (lambdam=488. 7 нм), I[2] (lambdam=486. 9 нм), I[3] (lambdam=486. 3 нм) с перераспределением излучения в пользу линий I[1] и I[3], к увеличению их полуширины от 2 до 5-6 Angstrem без изменения положения максимумов в спектре излучения. Наблюдаемые экспериментальные факты объяснены на основании модели двухфазной системы, состоящей из малоповрежденной области CdS-монокристалла, в которую вкраплены кластеры дефектов (образованные нейтронной радиацией), представляющие собой наноразмерные зерна с сильно разупорядоченной структурой. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Богданюк, Н. С.; Божко, В. В.; Кевшин, А. Г.; Манжара, В. С.; Кажукаускас, В. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных дефектов технологического происхождения на оптические и фотоэлектрические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] [Текст] / А. П. Третяк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 321-326 : ил. - Библиогр.: с. 326 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): структурные дефекты -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- твердые растворы -- фотопроводимость -- ФП -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кристаллы -- запрещенные зоны Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] с изовалентным замещением из Mn в Cd. Определено положение максимумов фотопроводимости, фотолюминесценции и оценена ширина запрещенной зоны твердого раствора в зависимости от его компонентного состава. Проанализировано влияние технологических дефектов на особенности фотоэлектрических и оптических свойств твердого раствора. Установлено, что за центры, определяющие фоточувствительность кристаллов раствора, ответственны катионные вакансии. Центрами фотолюминесценции в интервале длин волн ~0. 77-0. 88 мкм (в зависимости от соотношения компонент в растворе) являются комплексы дефектов, состоящие из катионной и анионной вакансий. Предложена физически не противоречивая модель наблюдаемых явлений в растворе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p321-326.pdf Доп.точки доступа: Третяк, А. П.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Булатецкая, Л. В.; Парасюк, О. В. |
537 В 586 Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu[1-x]Zn[x]InS[2] / А. В. Новосад [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 302-307 : ил. - Библиогр.: с. 306-307 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- выращивание монокристаллов -- твердые растворы -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- халькопирит -- ячейки -- элементарные ячейки -- температурные зависимости -- электропроводность -- фотопроводность -- термостимулированные токи -- спектральное распределение Аннотация: Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов Cu[1-x]Zn[x]InS[2] (x=0-12) n-типа проводимости. Методом рентгеноструктурного анализа изучен механизм образования твердого раствора. Показано, что монокристаллы имеют структуру халькопирита, причем параметры элементарной ячейки зависят от состава раствора. Исследованы температурная зависимость электропроводимости в интервале температур T=27-300 K и спектральное распределение фотопроводимости при T~30 K. В монокристаллах CuInS[2]-ZnIn2S[4] с содержанием ~8 и ~12 мол% ZnIn[2]S[4] обнаружена индуцированная фотопроводимость и исследованы термостимулированные токи. Growth technology of Cu[1-x]Zn[x] InS[2] (x = 0-12) solid solution single crystals with n-type conductivity has been developed. To study the mechanism of formation of the solid solutions under investigation, we used the method of X-ray diffraction analysis. It is shown that the single crystals reveal chalcopyrite structure, and the cell parameters depend on the composition of the solid solution. The temperature dependences of electrical conductivity in the temperature region T = 27-300K and photoconductivity spectral distributions at T ~ 30K have been investigated. In single crystals of CuInS[2[-ZnIn[2]S[4] with ~ 8 and ~ 12mol% ZnIn[2]S[4] induced photoconductivity detected and thermally stimulated currents investigated. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p302-307.pdf Доп.точки доступа: Новосад, А. В.; Божко, В. В.; Давидюк, Г. Е.; Парасюк, О. В.; Герасимик, О. Р.; Вайнорюс, Н.; Сакавичюс, А.; Яонис, В.; Кажукаускас, В.; Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Украина); Вильнюсский университет. Институт прикладных наук; Вильнюсский университет. Институт прикладных наук; Вильнюсский университет. Институт прикладных наук; Вильнюсский университет. Институт прикладных наук |