621.3 Н 69 Нифтиев, Н. Н. Термополевой эффект Френкеля в слоистых монокристаллах MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, авт. О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 17-19 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): эффект Френкеля -- вольт-амперные характеристики -- монокристаллы MnGalnS[4] -- теория Френкеля Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики в области сильных электрических полей в монокристаллах MnGaInS[4]. Показано, что ток в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен термопо-левым эффектом Френкеля. Определены диэлектрическая проницаемость, концентрация ловушек, а также форма потенциальной ямы. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. |
621.315.592 Н 698 Нифтиев, Н. Н. Электрические свойства слоистых монокристаллов FeIn[2]Se[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев, М. Б. Мурадов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 268-270 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слоистые монокристаллы -- переменный ток -- диэлектрическая проницаемость -- активационный механизм проводимости Аннотация: Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и проводимости слоистых монокристаллов FeIn[2]Se[4] на переменном токе. Определены диэлектрическая проницаемость монокристаллов и энергии активации носителей тока. В исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом проводимости. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б. |
Электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 22. - С. 79-83 : ил. - Библиогр.: с. 83 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- электропроводность -- монокристаллы -- MnGa[2]S[4] -- переменный ток -- интервалы частот -- резонансные явления -- энергия активации -- частотная зависимость -- температурная зависимость -- релаксация (физика) -- время релаксации -- слои (физика) -- увеличение частоты Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnGa[2]S[4] на переменном токе. С ростом частоты электропроводность увеличивается, и в интервале частот 435-500 kHz наблюдается резонансное явление. Определены энергии активации носителей тока. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М.; Казымова, Ф. А. |
Нифтиев, Н. Н. Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[2], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1172-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- монокристаллы -- MnGa[2]S[2] -- MnIn[2]S[4] -- MnGaInS[4] -- электропроводность -- электрические поля -- сильные электрические поля -- потенциальные ямы -- энергия активации Аннотация: Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[4], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4]. Определены энергии активации в сильном и слабом электрических полях. Установлено, что уменьшение энергии активации с ростом внешнего напряжения связано с уменьшением высоты потенциальной ямы, в которой электрон находится. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. |
Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1447-1449 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- слоистые монокристаллы -- FeGaInS[4] -- температурная зависимость -- частотная зависимость -- проницаемость -- диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- энергия активации -- электропроводность -- электрический ток -- переменный электрический ток -- время релаксации (физика) Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и проводимости монокристаллов FeGaInS[4] на переменном электрическом токе. Определены диэлектрические проницаемости монокристаллов и энергии активации диэлектрической проницаемости и проводимости. Установлено, что в исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М. |
537.311.33 Э 454 Электрические свойства FeIn[2]S[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 4. - С. 147-149. - Библиогр.: c. 148-149 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- тройные соединения -- кристаллы -- индит -- запирающие слои -- время релаксации -- емкость -- сопротивление -- резонансные явления -- диэлектрическая проницаемость -- энергия активации -- электропроводность Аннотация: Приведены результаты исследования частотных и температурных зависимостей емкости и сопротивления полупроводников FeIn[2]S[4] на переменном токе. При определенных температурах в интервале частот 2. 5*10{5}-5*10{5} Hz наблюдаются резонансные явления. Определены диэлектрические проницаемости кристаллов и энергии активации носителей тока. Установлено, что в исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/04/p147-149.pdf Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М. |
537 Д 508 Диэлектрические свойства монокристаллов MnGa[2]S[4] в переменном электрическом поле / Н. Н. Нифтиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 217-219 : ил. - Библиогр.: с. 219 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- частотные зависимости -- температурные зависимости -- диэлектрические свойства -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- монокристаллы -- переменные электрические поля -- электрические поля -- дефекты Аннотация: Представлены результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь монокристаллов MnGa[2]S[4] в переменном электрическом поле. Определены экспериментальные их значения. Возрастание диэлектрической проницаемости связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. При исследуемых температурах в области частот 435-500 кГц для epsilon и tgdelta наблюдается резонансный пик. Установлено, что в частотном интервале 25-2 x 10{5} Гц тангенс угла диэлектрических потерь уменьшается обратно пропорционально с частотой (~ 1/omega). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p217-219.pdf Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М.; Азербайджанский государственный педагогический университет; Институт физики Национальной академии наук Азербайджана; Бакинский государственный университет; Азербайджанский государственный педагогический университет |