53 Г 80 Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диодные структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- мультистримерное переключение -- зинеровский пробой Аннотация: Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения. Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
53 Г 808 Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диодные структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- мультистримерное переключение -- зинеровский пробой Аннотация: Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения. Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |
Светоизлучающая диодная линейка (ламбда=3. 7 мкм) на основе InGaAsSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 531-536
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- флип-чип линейки -- излучатели -- высокое сопротивление -- диодные лазеры Аннотация: Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n\{+\}-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Усикова, А. А.; Черняков, А. Е. |
Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н. |
Кузнецов, В. П. Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм при 300 K [Текст] / В. П. Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 402-408 : ил. - Библиогр.: с. 408 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- Si: Er/Si -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ионная имплантация -- ИМП -- метод ионной имплантации -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- области пространственного заряда -- ОПЗ -- лавинно-пролетные диоды -- ЛПД -- длина волны -- эрбий -- кремний Аннотация: Анализируются диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения при 300 K электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Обсуждаются пути повышения интенсивности свечения. Доп.точки доступа: Кузнецов, М. В.; Красильник, З. Ф. |
Иванов, П. А. Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 902-904 : ил. - Библиогр.: с. 904 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- бистабильный примесной пробой -- низкотемпературный примесной пробой -- акцепторные атомы алюминия -- носители заряда -- подложки -- диодные структуры Аннотация: Измерены низкотемпературные (77 K) прямые вольт-амперные характеристики мезаэпитаксиальных диодных структур p{+}-p-n-n (подложка) на основе 4H-SiC. Измеренные вольт-амперные характеристики проявляют S-образный характер, который интерпретируется как бистабильный примесный пробой акцепторных атомов алюминия с вымороженными на примеси носителями заряда. Доп.точки доступа: Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
Сверхмощная пикосекундная коммутация тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур [Текст] / С. К. Любутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 962-969 : ил. - Библиогр.: с. 968-969 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхмощная пикосекундная коммутация тока -- диодные структуры -- кремниевые обострители -- импульсы напряжения -- численное моделирование -- p-n переходы -- зинеровский пробой -- технологические примеси -- ионизация технологических примесей Аннотация: Экспериментально реализован и теоретически исследован процесс сверхбыстрой коммутации тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур. На прибор, расположенный в 50-омной передающей линии и содержащий 44 последовательно соединенные диодные структуры, подавался импульс напряжения амплитудой до 180 кВ и временем нарастания 400 пс. После переключения прибора в передающей линии получены импульсы амплитудой 150 кВ с временем нарастания 100 пс. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания входного напряжения на одну структуру более 4x10{13} В/с, реализованной в эксперименте, электрическое поле у p-n-перехода достигает порога зинеровского пробоя (~10{6} В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией 10{11} см{-3}. Доп.точки доступа: Любутин, С. К.; Рукин, С. Н.; Словиковский, Б. Г.; Цыранов, С. Н. |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1533-1538 : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. |
Электролюминесценция на длине волны 1. 5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B [Текст] / В. П. Кузнецов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1645-1648 : ил. - Библиогр.: с. 1648 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- диодные структуры -- Si: Er/Si -- легированные акцепторы -- Al -- Ga -- B -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- диоды -- толстые базы -- длина волны Аннотация: Слои Si: Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0. 8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Карнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф. |
621.375 М 879 МПМ-фотодиоды на основе широкозонных гетероструктур ZnCdS/GaP [Текст] / С. В. Аверин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 11. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): МПМ-фотодиоды -- фотодиоды -- гетероструктуры -- широкозонные гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- метод MOCVD -- MOCVD метод -- фотодиодные структуры -- металл-полупроводник-металл -- диодные структуры -- темновые токи -- спектральный отклик -- фоточувствительность Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои ZnCdS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD и на их основе изготовлены и исследованы фотодиодные структуры в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Диодные структуры характеризуются низкими величинами темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Длинноволновая граница отклика ZnCdS/GaP МПМ-фотодиода может сдвигаться с 355 до 440 nm при измерении напряжения смещения с 40 до 80 V. На длине волны максимальной фоточувствительности (355 nm) ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0. 1 A/W. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/11/p49-53.pdf Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Кузнецов, П. И.; Житов, В. А.; Алкеев, Н. В.; Котов, В. М.; Захаров, Л. Ю.; Гладышева, Н. Б. |
621.375 О-754 Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодов под действием импульсов прямого тока [Текст] / М. Е. Левинштейн [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 8. - С. 7-12 : ил. - Библиогр.: с. 12 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- карбидкремниевые диоды -- деградация диодов -- особенности деградации -- импульсы тока -- прямые токи -- импульсные режимы -- токовые импульсы -- диодные структуры -- комнатные температуры -- заряды -- уменьшение деградации Аннотация: Деградация карбидкремниевых диодов под действием прямого тока впервые исследована в импульсном режиме. Показано, что при длине токовых импульсов, меньшей нескольких миллисекунд, деградация оказывается существенно меньшей, чем в режиме постоянного тока при одинаковом заряде, протекшем через диодную структуру. Впервые наблюдалось также частичное самовосстановление (уменьшение деградации со временем) при комнатной температуре. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/08/p7-12.pdf Доп.точки доступа: Левинштейн, М. Е.; Иванов, П. А.; Palmour, J. W.; Agarwal, A. K.; Das, М. К. |
621.382 М 300 Марченко, И. Г. Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 26-34 : ил. - Библиогр.: с. 33-34 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): электроны -- ускоренные электроны -- технологическое облучение -- особенности облучения -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- защитные маски -- повышенная рекомбинация -- зоны рекомбинации -- базовые области -- диоды -- кремниевые диоды -- электрофизические характеристики -- токи -- локальное облучение -- диодные структуры -- структуры большой площади -- обратное восстановление -- энергии -- температуры -- локально облученные структуры -- эксперименты Аннотация: Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p{+}-n-n{+}-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (t[rr]) и потерями энергии в проводящем состоянии (U[F]) при снижении чувствительности обратного тока (I[R]) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения t[rr], U[F] и I[R] в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p26-34.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
621.382 Г 808 Грехов, И. В. Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 17-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- кремниевые диодные структуры -- ударная ионизация -- фронты ионизации -- сверхбыстрые фронты -- распространение фронтов -- электроны -- эмиссия электронов -- термополевая эмиссия -- численное моделирование -- кремниевые структуры -- высоковольтные кремниевые структуры -- термополевая ионизация -- электрические поля -- сильные поля -- сильные электрические поля Аннотация: Проведено численное моделирование запуска и распространения сверхбыстрых фронтов ударной ионизации в высоковольтных кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах. Моделирование подтверждает гипотезу о том, что термополевая ионизация глубоких центров в сильном электрическом поле может служить механизмом, ответственным за запуск сверхбыстрого фронта. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p17-25.pdf Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
621.382 Г 524 Глазов, А. Л. Анализ процессов теплопередачи в контактах многоэлементных полупроводниковых ключей-размыкателей лазерным термоволновым методом [Текст] / А. Л. Глазов, В. А. Козлов, К. Л. Муратиков // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 24. - С. 16-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- диодные структуры -- полупроводниковые диодные структуры -- ключи-размыкатели -- импульсные ключи-размыкатели -- полупроводниковые ключи-размыкатели -- высоковольтные ключи-размыкатели -- теплопередача -- процессы теплопередачи -- анализ процессов -- теплоперенос -- процессы теплопереноса -- лазерная диагностика -- термоволновая диагностика -- методы лазерной термоволновой диагностики -- теоретические модели -- тепловые волны -- распространение волн -- технологические особенности -- полупроводниковые элементы -- сварка -- спайка -- теплофизические контакты -- термоволновые методы -- лазерные методы -- лазерные термоволновые методы -- исследования Аннотация: Методами лазерной термоволновой диагностики исследованы процессы теплопереноса в межсоединениях полупроводниковых диодных структур высоковольтных импульсных ключей-размыкателей, собранных по технологии "столбов". Предложена теоретическая модель процессов распространения тепловых волн в подобных структурах с учетом технологических особенностей подготовки поверхностей полупроводниковых элементов, слоев спайки или сварки. Показано, что лазерные термоволновые методы позволяют диагностировать качество теплофизических контактов между элементами ключей-размыкателей при различных технологиях их соединений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/24/p16-25.pdf Доп.точки доступа: Козлов, В. А.; Муратиков, К. Л. |
537.311.33 С 721 Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb [Текст] / М. В. Дорохин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 69-77 : ил. - Библиогр.: с. 77 (17 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- светоизлучающие диоды -- спиновые светоизлучающие диоды -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- диодные структуры -- ферромагнитные слои -- инжектирующие слои -- полупроводники -- электролюминесценция -- поляризация структур -- циркулярная поляризация -- магнитные поля -- температуры -- спин-поляризованные дырки -- инжекция дырок -- проводимость -- исследования Аннотация: Сформирована и исследована диодная структура с квантовой ямой InGaAs/ GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника p-типа проводимости. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0. 012 в магнитном поле 0. 37 T) практически не меняется в диапазоне температур 10-50 K. Циркулярная поляризация обусловлена инжекцией в GaAs спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p69-77.pdf Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Малышева, Е. И.; Здоровейщев, А. В.; Данилов, Ю. А. |
539.21:537 В 586 Влияние атмосферы на транспорт дырок в пленках полидифениленфталида [Текст] / А. Р. Юсупов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 18-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- полидифениленфталид -- атмосфера -- дырки -- подвижность дырок -- транспорт дырок -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- диодные структуры -- проводимость -- монополярная проводимость -- воздух -- кислород -- инертная атмосфера Аннотация: Изучено влияние окружающей атмосферы на подвижность дырок в тонких пленках полидифениленфталида. Измерения вольт-амперных характеристик образцов диодной структуры с монополярной проводимостью были выполнены на воздухе и в инертной атмосфере с контролируемой по кислороду и воде средой. Показано, что подвижность дырок, измеренная в инертной атмосфере, превышает не менее чем в 1. 5 раза подвижность, измеренную на воздухе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p18-25.pdf Доп.точки доступа: Юсупов, А. Р.; Тамеев, А. Р.; Лачинов, А. Н.; Любцов, В. С.; Ванников, А. В. |
539.1/.18 В 586 Влияние бомбардировки атомами и ионами водорода на электрические свойства структуры с диодом Шоттки на поверхности 6H-SiC [Текст] / Е. И. Недригайлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 11. - С. 1679-1682. - Библиогр.: с. 1682 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- свойства диодных структур -- карбит кремния -- барьеры Шоттки -- БШ -- бомбардировка атомами водорода -- бомбардировка ионами водорода -- изменение свойств материалов -- напыление пленок на материалы -- Шоттки барьеры Аннотация: Исследование влияния атомарного водорода тепловых энергий и низкоэнергетических ионов H{+}[2] на электрические свойства структур с барьером Шоттки, полученных напылением никелевых пленочных контактов на поверхность эпитаксионных слоев 6H-SiC p-типа. Доп.точки доступа: Недригайлов, Е. И.; Стыров, В. В.; Зеленин, В. В.; Стрельчук, А. М. |
536.22/.23 В 932 Высокотемпературный детектор водорода со структурой Pt/Pt{+}/n-6H-SiC / В. В. Зуев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 18. - С. 78-86 : ил. - Библиогр.: с. 85-86 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): водород -- газочувствительные характеристики -- высокотемпературные детекторы -- монокристаллы -- методы имплантации -- методы осаждения пленок -- лазерная плазма -- токопрохождение -- повышенные температуры -- сенсорные свойства -- диодные структуры -- функциональные характеристики Аннотация: Для формирования газочувствительных структур на монокристаллах n-6H-SiC использовался комбинированный метод имплантации Pt{+} и последующего осаждения пленки Pt из импульсной лазерной плазмы. Высокотемпературная имплантация обеспечивала формирование слоя, улучшающего сцепление пленки с подложкой, а также изменяющего параметры токопрохождения под воздействием атомарного водорода, образующегося при взаимодействии H[2] с каталитически активной Pt. Нарушение слошности пленки Pt в условиях повышенных температур функционирования датчика (приблизительно 500 °С) не оказывало явного негативного влияния на сенсорные свойства структуры Pt/Pt{+}/SiC. Аналогичные эффекты в традиционно используемой диодной структуре Pt/SiC обусловливали сильную деградацию ее функциональных характеристик. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/18/p78-86.pdf Доп.точки доступа: Зуев, В. В.; Григорьев, С. Н.; Романов, Р. И.; Фоминский, В. Ю. |
535.2/.3 О-754 Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si / А. В. Антонов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1513-1516 : ил. - Библиогр.: с. 1516 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фототоки -- спектры фототоков -- эпитаксиальные диодные структуры -- диодные структуры -- фотоотклик -- запрещенные зоны -- эрбий -- кремний -- примесные центры -- кванты -- фотопроводимость -- активные центры -- редкоземельные центры -- поглощение света Аннотация: Исследованы спектры фототока эпитаксиальных диодных структур Si: Er/Si. Показано, что характер подзонного фотоотклика определяется температурой эпитаксии слоя Si: Er и не связан с составом излучающих центров эрбия. Установлено, что поглощение света с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны кремния, определяется примесно-дефектными комплексами, возникающими в процессе роста эпитаксиального слоя и формирующими квазинепрерывный спектр состояний в запрещенной зоне кремния. Предполагается, что указанные примесные центры не связаны с оптически активными центрами эрбия и не участвуют в процессах передачи энергии возбуждения редкоземельной примеси. Photocurrent spectra of epitaxial Si: Er/Si diodes have been studied. It has 3 been shown that the magnitude of sub- band gap photo response is determined by the temperature of epitaxy and does not correlate with any particular optically active erbium sites. It has been established than absorption of photons with energy less that silicon band gap is determined by impurity- and defect-related complexes, generated during epitaxial growth and characterized by continuous density of states in silicon band gap. It is suggested that the above centers are not related to optically active erbium and do not participate in energy transfer during excitation of rare-earth ions by recombination of electron-hole pairs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1513-1516.pdf Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |