621.315.592 А 910 Астахова, А. П. Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры [Текст] / А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 228-232 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диодные лазеры -- излучательные характеристики -- люминесценция -- квантовый выход люминесценции Аннотация: Для InAsSb/InAsSbP-диодных лазеров, генерирующих на длине волны 3. 1-3. 2 мкм, впервые определены скорости излучательной (включая переходы, индуцированные усиленной люминесценцией) и безызлучательной рекомбинации, внутренний квантовый выход люминесценции и матричный элемент для зона-зонных оптических переходов. Доп.точки доступа: Безъязычная, Т. В.; Буров, Л. И.; Горбацевич, А. С.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Яковлев, Ю. П. |
Большаков, А. А. Диагностика индуктивной плазмы методом диодной лазерной спектроскопии поглощения [Текст] / А. А. Большаков, Б. А. Круден // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 11. - С. 34-44. - Библиогр.: c. 43-44 (60 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазма -- индуктивная плазма -- диагностика плазмы -- диодная лазерная спектроскопия поглощения -- лазерная спектроскопия поглощения -- диодные лазеры -- миниатюрные сенсоры Аннотация: Диодный лазер с вертикальным резонатором (VCSEL) использовался как источник перестраиваемого излучения для измерений усредненной по радиусу температуры газа в индуктивном плазменном реакторе. Сканировалось допплеровское уширение поглощения метастабильных атомов Ar на линии 763. 51 nm в аргоновой и аргонно-азотной плазме (3, 45 и 90% N[2] в Ar) при давлении 0. 5-70 Pa и мощности 100 и 300 W. Результаты были сопоставлены с вращательной температурой азота N[2]. Разница в усредненных вращательной и допплеровской температурах связана с неоднородным распределением как температуры, так и термометрических частиц (Ar* и N*[2]) в пространстве. Расчет этих распределений произведен в рамках неравновесной гидродинамической модели плазмы. Целью работы являлась разработка методики бесконтактных измерений температуры и концентраций различных частиц в реакторе при помощи миниатюрного сенсора. Доп.точки доступа: Круден, Б. А. |
Диодно-лазерный спектрометр для измерения орто/пара-состава водяного пара [Текст] / П. О. Капралов [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 6. - С. 123-126. - Библиогр.: с. 126 (9 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): спектрометры -- диодно-лазерные спектрометры -- орто/пара состав -- водяной пар -- диодные лазеры Аннотация: Описан спектрометр на диодном лазере, предназначенный для регистрации орто/пара-состава водяного пара в газовой смеси. Доп.точки доступа: Капралов, П. О.; Артемов, В. Г.; Макуренков, А. М.; Тихонов, В. И.; Волков, А. А. |
Сверхбыстрая частотная перестройка диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3-4 мю [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 20. - С. 44-50 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): диодные лазеры -- гетероструктуры -- диоднолазерная спектроскопия Аннотация: Изучено качество частотной перестройки диодного лазера на основе двойной гетероструктуры n-InAsSbP/n-InAsSb/p-InAsSbP при питании короткими импульсами тока с наклонной вершиной положительной крутизны. Обнаружено, что монотонность увеличения частоты перестриваемой моды со временем сохраняется в течение первых 30 мю m роста тока. Далее зависимость частоты от тока ослабляется из-за появления неперестраиваемых мод. Максимальный диапазон одночастотной монотонной перестройки достигается при малой длительности импульса (меньше 30 мю s), что открывает перспективу для создания сверхбыстрой диодной лазерной спектроскопии. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Данилова, Т. Н.; Именков, А. Н.; Калинина, К. В.; Сиповская, М. А.; Яковлев, Ю. П. |
Визуальное наблюдение частотной перестройки диодного лазера на основе мод шепчущей галереи при комнатной температуре [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 24. - С. 52-58 : ил. - Библиогр.: с. 58 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- диодные лазеры -- WGM-лазеры -- полудисковые диодные лазеры -- частотная перестройка лазера -- визуальное наблюдение -- длины волн -- излучение -- ток -- импульсы тока -- моды шепчущей галереи -- резонаторы -- секторные резонаторы -- комнатная температура Аннотация: Осуществлено прямое наблюдение увеличения длины волны излучения полудискового диодного WGM-лазера в процессе импульса питающего тока. Исследована частотная перестройка WGM-лазера (2. 35 mum) с секторным резонатором. Обнаружено, что в процессе протекания импульса тока длительностью до 1. 5 mus наблюдается плавная перестройка длины волны излучения основной моды в длинноволновую сторону на 30 Angstrem при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Шерстнев, В. В.; Сиповская, М. А.; Гребенщикова, Е. А.; Монахов, А. М.; Boissier, G.; Teissier, R.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Гительсон, В. Д. Частотно-избирательная стабилизация мощности излучения диодного лазера без смещения рабочей точки [Текст] / В. Д. Гительсон, А. А. Воевода, В. А. Жмудь // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 1. - С. 135-141. - Библиогр.: с. 141 (2 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): стабилизация мощности -- частотно-избирательная стабилизация -- диодные лазеры -- полосовые шумы -- лазерные технологии -- экспериментальные установки Аннотация: Описана система подавления полосовых шумов, не смещающая рабочей точки благодаря избирательности по частотному диапазону включения отрицательной обратной связи. Доп.точки доступа: Воевода, А. А.; Жмудь, В. А. |
Светоизлучающая диодная линейка (ламбда=3. 7 мкм) на основе InGaAsSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 531-536
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- флип-чип линейки -- излучатели -- высокое сопротивление -- диодные лазеры Аннотация: Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n\{+\}-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Усикова, А. А.; Черняков, А. Е. |
Мощные диодные лазеры (lambda=1. 7-1. 8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP [Текст] / А. В. Лютецкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1646-1649 : ил. - Библиогр.: с. 1648-1649 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- диодные лазеры -- квантово-размерные двойные гетероструктуры раздельного ограничения -- КР ДГС РО -- твердые растворы -- InGaAsP/InP -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- наногетероструктуры -- оптические излучения -- длина волны -- волноводы -- расширенные волноводы -- квантово-размерные слои -- мощности -- оптические мощности -- апертура -- температура -- мощные диодные лазеры Аннотация: Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см{-1} в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1. 76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2. 5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T[0]=50-60 K. Доп.точки доступа: Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лешко, А. Ю.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Рябоштан, Ю. А.; Мармалюк, А. А.; Тарасов, И. С. |
621.371.8 П 764 Применение диодных лазеров в светокислородной терапии рака / С. Д. Захаров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 129-134 : ил. - Библиогр.: с. 134 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диодные лазеры -- лазеры -- синглетный кислород -- кислород -- молекулы кислорода -- фотодинамический эффект -- ФДЭ -- фотодинамическая терапия -- ФДТ -- светокислородная терапия -- СКТ -- рак -- низкоинтенсивная лазерная терапия -- НИЛТ -- поглощение кислорода -- внутривенное лазерное облучение крови -- ВЛОК -- фотосенсибилизаторы Аннотация: Синглетный кислород - самое низкоэнергетическое электронно-возбужденное состояние молекулы кислорода обладает способностью повреждать живые клетки, и это свойство давно используется для сенсибилизированного разрушения опухолей при фотодинамической терапии рака. Здесь продемонстрировано, что аналогичные результаты могут быть достигнуты без фотосенсибилизаторов, если использовать светокислородный эффект. Для светокислородной терапии рака наилучшим образом подходят мощные непрерывные диодные лазеры, излучающие в пределах полос поглощения растворенного молекулярного кислорода. Singlet oxygen, the lowest electronically excited state of molecular oxygen, possesses ability to damage living cells and this feature is used for a long time for sensitized destruction of tumours by the photodynamic therapy. Here it is shown that similar results can be reached without photosensitizers if to use the light-oxygen effect. High-power cw diode lasers emitting within absorption bands of the dissolved oxygen are most acceptable for the light-oxygen therapy. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p129-134.pdf Доп.точки доступа: Захаров, С. Д.; Корочкин, И. М.; Юсупов, А. С.; Безотосный, В. В.; Чешев, Е. А.; Frantzen, F.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Российский государственный медицинский университет им. И. М. Сеченова (Москва); Клиника "Лазер и здоровье" (Уфа); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Retail Design Group (Norway)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |