621.3 П 126 Пагава, Т. А. Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si [Текст] / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 651-653 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг радиационных дефектов -- кристаллы p-Si -- облученные кристаллы -- монокристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: Исследовались монокристаллы p-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок p=6 10\{13\} см\{-3\}. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур T[ann]=100-500/{o}C. Исследования проводились методом Холла в интервале 77-300 K. |
Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1198-1205
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антимонид галлия -- эпитаксия -- легирование -- теллур -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Власов, А. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 950-954 : ил. - Библиогр.: с. 954 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HEMT-гетероструктуры -- InGaAs/AlGaAs/GaAs -- импульсное легирование -- двухканальные псевдоморфные гетероструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- метод Холла -- Холла метод -- комнатная температура -- электроны -- многоподложечная промышленная установка -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электрофизические свойства Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием (delta-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см{2}/Bxс при концентрации электронов в канале 3. 00x10{12} и 3. 36x10{12} см{-2} соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76. 2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу. Доп.точки доступа: Егоров, А. Ю.; Гладышев, А. Г.; Никитина, Е. В.; Денисов, Д. В.; Поляков, Н. К.; Пирогов, Е. В.; Горбацевич, А. А. |
539.2 П 126 Пагава, Т. А. Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 582-586 : ил. - Библиогр.: с. 586 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение протонов -- протонное облучение -- высокоэнергетические протоны -- кристаллы -- n-Si -- зонная плавка -- метод зонной плавки -- метод Холла -- Холла метод -- фононновое рассеяние электронов -- электроны -- время старения (физика) -- температура измерения -- металлические включения -- отжиг -- изохронный отжиг -- кластеры -- разупорядоченные области -- РО -- холловская подвижность электронов Аннотация: Исследовались монокристаллы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6 x 10{13} см{-3}. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1. 8-8. 1) x 10{12} см{-2}. Измерения проводились методом Холла в интервале температур T=77-300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности mu[eff] или же наличие глубокого минимума на кривых mu[eff] (T) в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах n-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p582-586.pdf Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И.; Беридзе, М. Г. |
621.315.592 Э 454 Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия / Н. А. Соболев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 255-257 : ил. - Библиогр.: с. 257 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): активные центры -- электрически активные центры -- высокотемпературная диффузия -- диффузия -- бор -- алюминий -- кремний -- метод Холла -- Холла метод -- емкостная спектроскопия -- удельное сопротивление -- p-n переходы -- донорные центры Аннотация: Параметры электрически активных центров, образующихся в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия в кремний в разных средах, исследовались методами Холла и емкостной спектроскопии. Установлено, что изменение удельного сопротивления в n-базе изготовленных структур с p-n-переходами контролируется образованием трех донорных уровней Q1, E4, Q3 с энергиями E[c]-0. 31, E[c]-0. 27 и E[c]-0. 16 эВ. После диффузии в хлорсодержащей атмосфере вводится только один уровень E4, но его концентрация меньше в 2. 5 раза по сравнению с диффузией на воздухе. Значения энергии ионизации уровня Q3, измеренные в равновесных (эффект Холла) и неравновесных (емкостная спектроскопия) условиях, практически совпадают. Наиболее глубокий уровень E1 с энергией Ec-0. 54 эВ, образующийся после диффузии в обеих средах, не оказывает влияния на значение удельного сопротивления в n-базе структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p255-257.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Лошаченко, А. С.; Полоскин, Д. С.; Шек, Е. И.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |