Сопинский, Н. В. Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракциооных решеток [Текст] / Н. В. Сопинский, П. Ф. Романенко, И. З. Индутный // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 76 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифракционные решетки -- голограммные дифракционные решетки -- профилированные дифракционные решетки -- дифракционная эффективность -- серебро -- триселенид мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приводятся результаты исследований процесса формирования профилированных голограмммных дифракционных решеток с использованием эффекта взаимодействия пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников и серебра. С помощью атомно-силового микроскопа определена форма профиля штрихов получаемых таким образов профилированных решеток. Проведено измерение спектральных и угловых зависимостей их дифракционной эффективности, проанализирована связь этих зависимостей с формой рельефа поверхности решетки Доп.точки доступа: Романенко, П.Ф.; Индутный, И.З. |
53 Б 746 Богословский, Н. А. Динамика оптической записи информации на тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / Н. А. Богословский, авт. К. Д. Цэндин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 1-8 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- лазерная запись информации -- лазерный импульс -- лазерное излучение -- тонкие слои полупроводников -- нагрев пленки Аннотация: Исследуются временная зависимость и пространственное распределение температуры в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников при лазерной записи информации. Предлагается модель, описывающая динамику процесса нагрева пленки лазерным импульсом. Проводится анализ теоретических и экспериментальных данных. Рассматривается методика определения некоторых физических величин, характеризующих материал пленки. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
621.3 К 887 Кудоярова, В. Х. Фотолюминесценция и состав аморфных пленок As[2]Se[3], модифицированных комплексным соединением Er (thd) [3] [Текст] / В. Х. Кудоярова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, В. М. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 934-940 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): As[2]Se[3] -- аморфные пленки -- фотолюминесценция -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- редкоземельные элементы Аннотация: Проведено исследование фотолюминесценции и состава аморфных пленок As[2]Se[3], модифицированных комплексным соединением Er (thd) [3]. Обнаружена полоса фотолюминесценции при 1. 54 мкм при комнатной тепературе, характерная для фотолюминесценции Er, находящегося в аморфных материалах. Методами ядерного микроанализа - обратного резерфордовского рассеяния и ядерных резонансных реакций - исследован состав аморфных тонких пленок As[2]Se[3], модифицированных комплекным соединением Er (thd) [3]. Определены зависимости концентраций ионов Er, кислорода и углерода от условий получения пленок. Показано, что увеличение концентрации Er в тонкой пленке происходит нелинейным образом при увеличении относительной концентрации исходного комплексного соединения. Кроме того, рост содержания Er в пленке сопровождается симбатным увеличением содержания таких легких элементов, как углерод и кислород. Сравнительный анализ результатов ядерного микроанализа и ИК-спектров позволил предположить, что при данном методе модифицирования As[2]Se[3] комплексным соединением Er (thd) [3] Er частично сохраняет локальное окружение комплексного соединения. Доп.точки доступа: Козюхин, С. А.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, В. М. |
621.315.592 Б 912 Бурдиян, И. И. Некоторые аспекты подбора примесей, улучшающих фотоэлектрические характеристики халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / И. И. Бурдиян, В. В. Косюк, Р. А. Пынзарь // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 208-210 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- легирующие примеси -- примесные атомы -- фотоэлектрические характеристики Аннотация: Рассматривается влияние малых концентраций легирующих примесей двух групп - Sn, Pb, Dy, Ho, Y и In, Cs, Al - на фотоэлектрические свойства As[2]Se[3] и (As[2]S[3]) [0. 3] (As[2]Se[3]) [0. 7]. Исследование спектральных распределений фотопроводимости и оптического поглощения показало отчетливое увеличение фотопроводимости при уровне легирования элементами первой группы до 0. 015 ат%. Элементы второй группы примесей никаких заметных действий не производили. Действие элементов первой группы объясняется замещением вакантных мест, образованных отсутствием легколетучих атомов Se и S, небольшими концентрациями атомов примеси. Наблюдаемый эффект связан со способностью замещающих атомов сохранять ковалентную связь, с малым расхождением в размерах атомов и коэффициентов электронного сродства по отношению к S и Se. Атомы второй группы примесей этими признаками не обладают. Доп.точки доступа: Косюк, В. В.; Пынзарь, Р. А. |
Григорьев, В. Ф. Стабилизация заряженных и нейтральных дефектов и образование центров с отрицательной энергией корреляции в a-Se [Текст] / В. Ф. Григорьев // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 2. - С. 295-299 : рис. - Библиогр.: с. 299 (18 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- заряженные дефекты -- кластеры -- энергии Аннотация: Проведено квантово-химическое моделирование стабилизации нейтральных и заряженных дефектов в аморфном селене с учетом их взаимодействия с удаленными фрагментами непрерывной неупорядоченной сетки в рамках континуальной модели РСМ. |
Зюбин, А. С. Агрегация локальных гипервалентных дефектов в аморфном селене: кваново-химическое моделирование [Текст] / А. С. Зюбин, С. А. Дембовский // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 3. - С. 497-501 : рис. - Библиогр.: с. 500-501 (15 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): непрерывная неупорядоченная сетка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- электронная корреляция -- расчеты -- теория возмущений -- модельные кластеры -- длины связей Аннотация: В кластерном приближении с учетом электронной корреляции в рамках второго порядка теории возмущений выполнено моделирование связанных локальных диамагнитных дефектов, возникающих при трансформации непрерывной неупорядоченной сетки аморфного селена. Доп.точки доступа: Дембовский, С. А. |
Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 369-371
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- матрица стекла -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Анисимова, Н. И.; Дземидко, И. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Воронков, Э. Н. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм. Доп.точки доступа: Козюхин, С. А. |
Богословский, Н. А. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров [Текст] / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1378-1382 : ил. - Библиогр.: с. 1382 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многофононная туннельная ионизация -- МТИ -- U-минус центры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- нелинейность -- проводимость -- электроны проводимости -- туннелирование -- изотермическая вольт-амперная характеристика Аннотация: Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] в сильных электрических полях [Текст] / Э. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1383-1386 : ил. - Библиогр.: с. 1385-1386 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- слои (физика) -- Ge[2]Sb[2]Te[5] -- электрические поля -- сильные электрические поля -- проводимость -- ток -- ток ограниченный пространственными зарядами -- ТОПЗ -- напряжения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- ионизация -- локальные центры Аннотация: Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0. 5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[2]Sb[2]Te[5], который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I пропорционально U{n} с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma[0]exp (F/F[0]), где F[0]=6x104 Bxсм{-1}, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10{-3}-10{-2} см{2}/Bxc. Доп.точки доступа: Лебедев, Э. А.; Козюхин, С. А.; Константинова, Н. Н.; Казакова, Л. П. |
Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[20]As[20]S[60] [Текст] / Л. П. Казакова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 79-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- носители зарядов -- пленки -- Ge[20]As[20]S[60] -- измерение времени пролета -- метод измерения времени пролета -- инжекция -- перенос носителей зарядов -- электроны -- дырки -- дисперсионный перенос -- проводимость -- валентные зоны -- экспоненциальный закон Аннотация: Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge[20]As[20]S[60] методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температуре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge[20]As[20]S[60] близки: mu[e]~mu[h]~ 2 x 10{-3} см{2}В{-1}с{-1} при T=295 K и F=5 x 10{4} В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0. 05 эВ. Доп.точки доступа: Казакова, Л. П.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, Э. А.; Арсова, Д.; Обухова, И. А. |
Диэлектрические свойсва модифицированных слоев As[2]Se[3] (Bi) [x] [Текст] / Р. А. Кастро [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 6. - С. 1062-1064. - Библиогр.: с. 1064 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- модифицированные слои Аннотация: Приведен расчет диэлектрических параметров (диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь) для слоев As[2]Se[3] (B) [x] на основе релаксационных кривых поляризационного тока, измеренных при различных значениях напряженности приложенного электрического поля. Обнаружено значительное влияние примеси висмута на характер частотной зависимости эпсилон и tg сигма, что, вероятно, связано с существованием микронеоднородных областей с повышенной концентрацией примеси. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И. |
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1038-1041 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Доп.точки доступа: Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А. |
539.2 У 677 Управление оптическим откликом пленочных гибридных структур опал/Ge[2]Sb[2]Te[5] [Текст] / С. А. Яковлев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 78-86 : ил. - Библиогр.: с. 85-86 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптические отклики -- гибридные структуры -- пленочные структуры -- пленочные гибридные структуры -- синтезированные структуры -- кристаллы -- фотонные кристаллы -- опалы -- полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- свет -- отражение света -- дифракционные аномалии -- аномалии Вуда -- Вуда аномалии -- резонансное возгорание -- резонансные отклики -- фазовые переходы -- температурные воздействия -- аморфное кристаллическое состояние -- опаловые пленки Аннотация: Синтезированы пленочные гибридные структуры - фотонный кристалл (опал) /халькогенидный стеклообразный полупроводник (Ge[2]Sb[2]Te[5]), в которых продемонстрировано сильное изменение сигнала отражения света, обусловленное резонансным возгоранием дифракционной аномалии (аномалии Вуда). Предложен и реализован способ управления резонансным оптическим откликом гибридных структур за счет индуцированного температурным воздействием фазового перехода аморфное кристаллическое состояние в пленке Ge[2]Sb[2]Te[5]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p78-86.pdf Доп.точки доступа: Яковлев, С. А.; Певцов, А. Б.; Фомин, П. В.; Мелех, Б. Т.; Трофимова, Е. Ю.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г. |
539.21:535 О-627 Оптические свойства халькогенидных стекол с ионно-синтезированными наночастицами меди [Текст] / Т. С. Кавецкий [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 23. - С. 11-18 : ил. - Библиогр.: с. 18 (18 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): стекла -- халькогенидные стекла -- оптические свойства -- медь -- наночастицы -- ионно-синтезированные наночастицы -- ионы -- имплантация -- энергия -- облучение -- ток -- плотность тока -- ионные пучки -- подложки -- полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- композиционные слои -- анализ слоев -- оптическое пропускание -- линейное оптическое пропускание -- нелинейно-оптическое поглощение -- метод Z-сканирования -- длины волн -- импульсы -- лазерные излучения -- мощность -- облученные материалы -- спектры пропускания -- плазмонный резонанс -- оптический резонанс -- приповерхностные области -- нелинейные поглощения Аннотация: Проведена имплантация ионами Cu{+} с энергией 40 keV при дозе облучения 1. 5·10{17} ion/cm{2} и фиксированной плотности тока в ионном пучке 1 muA/cm{2} подложек халькогенидных стеклообразных полупроводников As[2]S[3] и Ge[15. 8]As[21]S[63. 2]. Анализ композиционных слоев осуществлялся измерением линейного оптического пропускания, а также регистрацией нелинейно-оптического поглощения методом Z-сканирования на длине волны 780 nm при зондирующем лазерном излучении импульсами 150 fs и мощностью от 25 до 100 mW. Для облученных материалов установлено: 1) появление в спектрах линейного пропускания характерной полосы оптического поверхностного плазмонного резонанса, указывающей на формирование в приповерхностной области наночастиц меди; 2) наличие одновременно насыщенного и двухфотонного нелинейных поглощений, последнее доминирует при повышении мощности лазерного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/23/p11-18.pdf Доп.точки доступа: Кавецкий, Т. С.; Валеев, В. Ф.; Нуждин, В. И.; Цмоць, В. М.; Степанов, А. Л. |
621.315.592 М 533 Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 3-23 : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (70 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские исследования -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- донорные центры (физика) -- халькогениды свинца -- свинец -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- корреляционная энергия -- результаты исследований -- пространственная неоднородность -- полуметаллические металлоксиды меди -- медь -- электронная плотность -- кристаллические решетки -- фазовые переходы -- металлоксиды меди -- аморфные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- олово -- мышьяк -- германий Аннотация: Обсуждаются результаты исследования донорных U{-}-центров олова и германия в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Рассмотрены литературные данные по идентификации амфотерных U{-}-центров олова в стеклообразных бинарных халькогенидах мышьяка и германия с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, а также в многокомпонентных халькогенидных стеклах с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии. Анализируются литературные данные по идентификации двухатомных U{-}-центров меди в решетках полуметаллических металлооксидов меди методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Приводятся литературные данные по обнаружению пространственной неоднородности бозе-конденсата в сверхпроводящих полупроводниковых и полуметаллических соединениях и по существованию корреляции между изменением электронной плотности в узлах кристаллической решетки и температурой сверхпроводящего перехода. Рассматриваются принципиальные возможности использования мессбауэровских U{-}-центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе в полупроводниках и полуметаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p3-23.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
621.315.592 К 125 Кавецкий, Т. С. Влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge-Sb-S [Текст] / Т. С. Кавецкий // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 506-509 : ил. - Библиогр.: с. 508-509 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- оптические эффекты -- радиационно-индуцированные эффекты -- сплавы -- химический состав -- gamma-облучение -- спектры оптического пропускания -- оптическое пропускание Аннотация: Исследовано влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на величину суммарного и статического радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках на примере сплавов системы Ge-Sb-S химического состава Ge[23. 5]Sb[11. 8]S[64. 7]. Установлено, что при сопоставимых соотношениях между дозами gamma-облучения (Phi=3. 0 и 7. 72 МГр) и толщинами образцов (d=1. 0 и 1. 7 мм) изменение дозы значительно влияет на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в данных полупроводниках. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p506-509.pdf |
621.315.592 А 511 Алмасов, Н. Ж. Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As[2]Se[3]:Bi, полученных двумя различными методами [Текст] / Н. Ж. Алмасов, О. Ю. Приходько, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1319-1321 : ил. - Библиогр.: с. 1321 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примесная проводимость -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- стеклообразные пленки -- термическое травление -- метод термического травления -- вакуум -- пленочные структуры -- легирование висмутом -- висмут -- ионно-плазменное сораспыление Аннотация: Показано, что в пленках As[2]Se[3]: Bi[x], полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость p-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость n-типа. На основе этого предложен новый метод получения p-n-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1319-1321.pdf Доп.точки доступа: Приходько, О. Ю.; Цэндин, К. Д. |
621.315.592 Э 455 Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se[95]As[5], содержащего примеси редкоземельных атомов EuF[3], в сильных электрических полях [Текст] / А. И. Исаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1138-1142 : ил. - Библиогр.: с. 1142 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электропроводность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- токопрохождение -- редкоземельные элементы -- РЗЭ -- монополярная инжекция -- токи -- электрические поля -- пространственные заряды -- термополевая ионизация -- рекомбинация -- электроны -- дырки -- носители заряда -- локальные состояния -- примеси Аннотация: Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al-Se[95]As[5] (EuF[3]) -Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика N-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 10{5} В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных U{-}-центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на U{-}-центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля-длина активации. Установлено, что примеси EuF[3] в основном влияют на концентрацию локальных состояний. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1138-1142.pdf Доп.точки доступа: Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.; Зейналов, В. З. |