621.315.592 К 729 Косяченко, Л. А. Примесная проводимость монокристаллов Hg[3]In[2]Te[6] [Текст] / Л. А. Косяченко, И. И. Герман [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 528-531 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическое волокно -- примесная проводимость -- кварцевое стекло Аннотация: Исследованы монокристаллы n-Hg[3]In[2]Te[6] с удельным сопротивлением 1-2 Ом см, используемые в фотодиодах на длину волны 1. 55 мкм. Показано, что электропроводность материала определяется донорами двух типов с энергией ионизации 0. 063 и 0. 18 эВ, а подвижность носителей - преимущественно рассеянием на заряженных центрах. Исходя из уравнения электронейтральности получено количественное описание наблюдаемой температурной зависимости концентрации электронов в интервале 100-370 K. Доп.точки доступа: Герман, И. И.; Раренко, И. М.; Захарук, З. И.; Никонюк, Е. С. |
621.315.592 Г 130 Гаджиалиев, М. М. Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями [Текст] / М. М. Гаджиалиев, И. К. Камилов, З. Ш. Пирмагомедов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 48-49 : ил. - Библиогр.: с. 49 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): большой градиент температуры -- БГТ -- примесная проводимость -- собственная проводимость -- термостимулированный переход -- переменный ток Аннотация: Показано, что вдоль длины образца дырочного германия за счет большего градиента температуры можно реализовать стационарное во времени " соседство" областей примесной (дырочной) и собственной (электронной) проводимости, так называемый термостимулированный переход, способный выпрямлять переменный ток. Рассчитан "контактный" потенциал такого перехода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p48-49.pdf Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Пирмагомедов, З. Ш. |
621.315.592 А 511 Алмасов, Н. Ж. Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As[2]Se[3]:Bi, полученных двумя различными методами [Текст] / Н. Ж. Алмасов, О. Ю. Приходько, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1319-1321 : ил. - Библиогр.: с. 1321 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примесная проводимость -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- стеклообразные пленки -- термическое травление -- метод термического травления -- вакуум -- пленочные структуры -- легирование висмутом -- висмут -- ионно-плазменное сораспыление Аннотация: Показано, что в пленках As[2]Se[3]: Bi[x], полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость p-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость n-типа. На основе этого предложен новый метод получения p-n-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1319-1321.pdf Доп.точки доступа: Приходько, О. Ю.; Цэндин, К. Д. |
539.21:537 Г 340 Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде / С. К. Любутин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 658-666 : ил. - Библиогр.: с. 665-666 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- диоды -- диффузионные свойства -- СВЧ-колебания -- генерирование -- обратный ток -- напряжение -- длительность -- частоты колебания -- пробой -- плазма -- плотность тока -- примеси -- примесная проводимость Аннотация: Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 0. 5 см{2} пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса приблизительно 200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет приблизительно 300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности p-n-перехода. Abstract Generation of powerful microwave voltage oscillations in diffused silicon diode has been studied. The reverse current of 2 kA in amplitude passed through the diode having the width of 320 ? m, p-n junction depth of 220 ? m, and surface area of 0. 5 cm{2}. At an average voltage level across the structure being around 300V and microwave voltage pulse duration of 200 ns the maximum voltage swing of the observed oscillations reaches 480V. The frequency of the oscillations is 5 to 7GHz, and the microwave power of the oscillations attains 300 kW. It is shown theoretically, that the voltage oscillations are caused by periodically repeated processes of breakdown and filling the structure with plasma, and its subsequent removing by the reverse current. The frequency and the voltage swing of the oscillations depend on the current density, and the gradient of the doping impurity concentration in the vicinity of the p-n junction. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p658-666.pdf Доп.точки доступа: Любутин, С. К.; Рукин, С. Н.; Словиковский, Б. Г.; Цыранов, С. Н. |