Богословский, Н. А. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров [Текст] / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1378-1382 : ил. - Библиогр.: с. 1382 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многофононная туннельная ионизация -- МТИ -- U-минус центры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- нелинейность -- проводимость -- электроны проводимости -- туннелирование -- изотермическая вольт-амперная характеристика Аннотация: Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |