Гинзбург, Л. П. Обнаружение заряженных дефектов с помощью спектров люминесценции [Текст] / Л. П. Гинзбург, А. П. Жилинский // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.64 (21 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): заряженные дефекты -- кулоновские щели -- люминесценция Аннотация: Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции Доп.точки доступа: Жилинский, А.П. |
Григорьев, В. Ф. Стабилизация заряженных и нейтральных дефектов и образование центров с отрицательной энергией корреляции в a-Se [Текст] / В. Ф. Григорьев // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 2. - С. 295-299 : рис. - Библиогр.: с. 299 (18 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- заряженные дефекты -- кластеры -- энергии Аннотация: Проведено квантово-химическое моделирование стабилизации нейтральных и заряженных дефектов в аморфном селене с учетом их взаимодействия с удаленными фрагментами непрерывной неупорядоченной сетки в рамках континуальной модели РСМ. |
539.2 Д 400 Джалилов, Н. З. Поглощение и спектры оптических параметров в аморфных твердых растворах системы Se-S [Текст] / Н. З. Джалилов, авт. Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 500-505 : ил. - Библиогр.: с. 505 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- твердые растворы -- аморфные твердые растворы -- оптическое поглощение -- заряженные дефекты -- правило Урбаха -- Урбаха правило -- метод Крамерса - Кронига -- Крамерса - Кронига метод -- оптические параметры -- S-Se -- электронные состояния -- кластеры -- диэлектрические функции -- спектры оптических параметров Аннотация: Исследованием оптических свойств системы Se-S установлено, что существует корреляция между зависимостями коэффициента оптического поглощения (alpha), эффективной концентрации заряженных дефектов (N[t]) и характеристической энергией (E[0]), соответствующей урбаховскому поглощению света в области спектра, где выполняется правило Урбаха в системе Se-S. Эти оптические свойства контролируются заряженными дефектами. Показано, что изменением состава системы Se-S можно изменить концентрации собственных заряженных дефектов. Исследованы спектры отражения аморфных твердых растворов системы Se-S в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса-Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических и диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от состава системы Se-S объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний зависят от характера конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменение характера ближнего порядка. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p500-505.pdf Доп.точки доступа: Дамиров, Г. М. |
535.2/.3 Р 680 Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se[95]As[5] с примесью EuF[3] / А. И. Исаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 158-162 : ил. - Библиогр.: с. 161 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- заряженные дефекты -- дефекты -- фотопроводимость -- температурные зависимости -- люксамперные характеристики -- темновая проводимость -- фототоки -- спектральное распределение -- энергетические спектры -- носители заряда -- редкоземельные элементы -- РЗЭ -- химическая активность -- ионы -- фтор -- селен -- мышьяк -- собственные дефекты -- поляронная релаксация -- фторид европия -- корреляционная энергия Аннотация: Исследованиями температурной зависимости темновой проводимости и стационарной фотопроводимости, люксамперной характеристики, а также спектрального распределения фототока предложен энергетический спектр локальных состояний, связанных с заряженными дефектами D{-} и D{+}, играющими существенную роль в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se[95]As[5], содержащей примеси ЕuF[3]. Показано, что примеси ЕuF[3] немонотонно изменяют концентрации указанных состояний: малые концентрации из-за химической активности ионов редкоземельного элемента и фтора, образуют химическое соединение с селеном и мышьяком, в результате чего уменьшается концентрация исходных собственных дефектов, а большие концентрации, согласно модели заряженных дефектов, в результате присутствия ионов Еu{3+} приводят к уменьшению концентрации D{+}-центров и к росту D{-}-центров. Оценены некоторые параметры модели заряженных дефектов, в частности величина эффективной корреляционной энергии U[eff] (0. 6 эВ) и энергия поляронной релаксации W{+} (0. 4 эВ), W{-} (0. 45 эВ). By investigation of dark conductivity and stationary photoconductivity, luksamper characteristic and photoconductivity spectral distribution have been studied the energetic spectrum of local states connecting with the D{-} and D{+} charged defects, which having significant role in the generation and recombination processes of charge carries in Se[95]As[5] chalcogenide glassy semiconductor, containing EuF[3] impurity. It is show, that the EuF[3] impurity changes non monotonically the concentration of these states: low concentration by the ions chemical activity of rare-earth element and fluoride to form chemical compounds with selenium and arsenic, which decreases the concentration of initial intrinsic defects, and high concentration according to the charged defects model in presence EuF[3] ions lead to a decrease D{+}-centers. It is evaluated the several parameters of charged defects model, in particular, the value of the effective correlation energy U[eff] (0. 6 eV) and the polar on relaxation energy (W{+} = 0. 4 eV, W{-} = 0. 45 eV). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p158-162.pdf Доп.точки доступа: Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.; Зейналов, В. З.; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана |