621.3 С 340 Сибатов, Р. Т. Дробно-дифференциальная кинетика переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, авт. В. В. Учайкин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 346-351 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): неупорядоченные полупроводники -- полупроводники -- перенос заряда -- дисперсионный перенос -- диффузия -- дрейф носителей заряда -- дробно-дифференциальный подход Аннотация: В предыдущих наших работах получено выражение для временной зависимости переходного тока в аморфных полупроводниках при дисперсионном переносе, содержащее устойчивую плотность с характеристическим показателем, равным дисперсионному параметру альфа < 1; концентрации избыточных носителей заряда выражены через дробно-устойчивые плотности с характеристическим показателем альфа. В настоящей работе получены обобщенные уравнения диффузии и дрейфа носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках для дисперсионного переноса. Главная особенность этих уравнений - наличие частной производной по времени дробного порядка альфа. Решения этих уравнений выражены через дробно-устойчивые плотности. При альфа > 1 дробно-устойчивые распределения переходят в нормальные, а обобщенные уравнения переходят в обычные уравнения диффузии и дрейфа. Таким образом, дробно-дифференциальный подход позволяет описывать нормальный и дисперсионный перенос в рамках единой математической модели. Доп.точки доступа: Учайкин, В. В. |
Учайкин, В. В. Дробно-дифференциальная кинетика дисперсионного переноса как следствие его автомодельности [Текст] / В. В. Учайкин, Р. Т. Сибатов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 8. - С. 584-588 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): неупорядоченные проводники -- переходный фототок -- дробно-дифференциальная кинетика -- дисперсионный перенос Аннотация: Анализ экспериментальных данных по аномальному переносу в неупорядоченных полупроводниках демонстрирует универсальное поведение переходного фототока, свидетельствующее об автомодельности процесса переноса. На основании принципа автомодельности выводятся кинетические уравнения процесса, содержащие производную по времени дробного порядка. Доп.точки доступа: Сибатов, Р. Т. |
Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[20]As[20]S[60] [Текст] / Л. П. Казакова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 79-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- носители зарядов -- пленки -- Ge[20]As[20]S[60] -- измерение времени пролета -- метод измерения времени пролета -- инжекция -- перенос носителей зарядов -- электроны -- дырки -- дисперсионный перенос -- проводимость -- валентные зоны -- экспоненциальный закон Аннотация: Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge[20]As[20]S[60] методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температуре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge[20]As[20]S[60] близки: mu[e]~mu[h]~ 2 x 10{-3} см{2}В{-1}с{-1} при T=295 K и F=5 x 10{4} В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0. 05 эВ. Доп.точки доступа: Казакова, Л. П.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, Э. А.; Арсова, Д.; Обухова, И. А. |