Сопинский, Н. В. Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракциооных решеток [Текст] / Н. В. Сопинский, П. Ф. Романенко, И. З. Индутный // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 76 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифракционные решетки -- голограммные дифракционные решетки -- профилированные дифракционные решетки -- дифракционная эффективность -- серебро -- триселенид мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приводятся результаты исследований процесса формирования профилированных голограмммных дифракционных решеток с использованием эффекта взаимодействия пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников и серебра. С помощью атомно-силового микроскопа определена форма профиля штрихов получаемых таким образов профилированных решеток. Проведено измерение спектральных и угловых зависимостей их дифракционной эффективности, проанализирована связь этих зависимостей с формой рельефа поверхности решетки Доп.точки доступа: Романенко, П.Ф.; Индутный, И.З. |
Кастро, Р. А. Дисперсия диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка [Текст] / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 17. - С. 9-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрические потери -- диэлектрическая проницаемость -- дисперсия диэлектрической проницаемости -- результаты исследований -- тангенс угла диэлектрических потерь -- модифицированные пленки -- модифицированные слои -- мышьяк -- As -- триселенид мышьяка -- As[2]Se[3] -- экспериментальные данные -- висмут -- диэлектрическая поляризация Аннотация: Впервые представлены результаты исследования дисперсии диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в модифицированных пленках As[2]Se[3]< Bi>[x] в области частот f~ 10{-2}-10{4} Hz. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о значительном влиянии висмута на процесс диэлектрической поляризации исследуемых систем. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Доп.точки доступа: Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И. |
Кастро, Р. А. Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As[2]Se[3] с большим содержанием висмута [Текст] / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- диэлектрические параметры -- температурные зависимости -- температурно-частотные зависимости -- модифицированные слои -- тонкие слои -- триселенид мышьяка -- As[2]Se[3] -- висмут -- инфранизкочастотные диапазоны -- температуры -- вещественные составляющие -- диэлектрическая проницаемость -- комплексная диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- максимумы диэлектрических потерь -- высокие температуры Аннотация: Представлены результаты исследования температурно-частотных зависимостей диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка с добавкой висмута. В инфранизкочастотном диапазоне при повышении температуры обнаружены значительное увеличение вещественной составляющей комплексной диэлектрической проницаемости и появление максимумов диэлектрических потерь, смещающихся с увеличением частоты в сторону более высоких температур. Доп.точки доступа: Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И. |
Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1038-1041 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Доп.точки доступа: Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А. |
539.2 К 289 Кастро, Р. А. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As[2]Se[3]) [1-x]Bi[x] [Текст] / Р. А. Кастро, авт. Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 622-624 : ил. - Библиогр.: с. 624 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая поляризация -- аморфные пленки -- сравнительный анализ -- диэлектрические процессы -- легирование висмутом -- триселенид мышьяка -- висмут -- Bi -- беспримесные слои -- легированные слои Аннотация: Проведен сравнительный анализ процесса диэлектрической поляризации, происходящего в беспримесных и легированных висмутом слоях модифицированного триселенида мышьяка. Установлено, что как сходство, так и различие поляризационных явлений обусловлено особенностями внутренней структуры исследуемых материалов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p622-624.pdf Доп.точки доступа: Грабко, Г. И. |