53 Б 746 Богословский, Н. А. Динамика оптической записи информации на тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / Н. А. Богословский, авт. К. Д. Цэндин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 1-8 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- лазерная запись информации -- лазерный импульс -- лазерное излучение -- тонкие слои полупроводников -- нагрев пленки Аннотация: Исследуются временная зависимость и пространственное распределение температуры в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников при лазерной записи информации. Предлагается модель, описывающая динамику процесса нагрева пленки лазерным импульсом. Проводится анализ теоретических и экспериментальных данных. Рассматривается методика определения некоторых физических величин, характеризующих материал пленки. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
Богословский, Н. А. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров [Текст] / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1378-1382 : ил. - Библиогр.: с. 1382 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многофононная туннельная ионизация -- МТИ -- U-минус центры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- нелинейность -- проводимость -- электроны проводимости -- туннелирование -- изотермическая вольт-амперная характеристика Аннотация: Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
621.315.592 Б 746 Богословский, Н. А. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках [Текст] / Н. А. Богословский, авт. К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 577-608 : ил. - Библиогр.: с. 605-607 (161 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электронные свойства -- структура полупроводников -- эффект памяти -- эффект переключения -- фазовые состояния -- электронные модели -- электронно-тепловое переключение -- туннельная ионизация -- модель Хуанга - Риса -- Хуанга - Риса модель -- халькогениды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- адиабатические потенциалы -- фазовый переход -- стекло-кристалл -- экспериментальные закономерности -- фазовая память Аннотация: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках известны уже почти полвека. Однако до сегодняшнего дня физика этих эффектов остается неизвестной. В последнее время интерес к данному вопросу вызван интенсивными разработками элементов энергонезависимой памяти нового поколения на основе фазового перехода халькогенидное стекло-кристалл. В данной работе приведен обзор основных экспериментальных закономерностей эффектов переключения и памяти, сделан обзор и анализ моделей эффекта переключения. Рассмотрены основные характеристики элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и используемых материалов. На основании этого сформулированы преимущества современных элементов фазовой памяти по сравнению с элементами памяти первого поколения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p577-608.pdf Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
621.315.592 В 932 Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода / В. А. Щукин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1542-1553 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрооптическая среда -- сверхрешетки -- полупроводниковые сверхрешетки -- оптическое отражение -- спектроскопия оптического отражения -- метод спектроскопии оптического отражения -- вертикально-излучающие лазеры -- ВИЛ -- электрооптическая модуляция -- ЭОМ -- вертикальный резонатор Фабри - Перо -- Фабри - Перо вертикальный резонатор -- экспериментальные данные -- экситонное поглощение -- электрические поля Аннотация: Предложена электрооптическая среда на основе полупроводниковой сверхрешетки второго рода. Методом спектроскопии оптического отражения проведены исследования электрооптической модуляции интенсивности оптического отражения электрооптической среды, интегрированной в вертикальный резонатор Фабри-Перо. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью осцилляторной модели экситонного поглощения. Эффективность электрооптической среды при отстройке от пика поглощения на 50 мэВ и электрических полях 0-50 кВ/cм составляет 10{-9} м/В при коэффициенте заполнения среды 100%. An electrooptic medium based on a type-II semiconductor superlattice is proposed. Optical reflectance spectroscopy studies have been performed for the electrooptic modulation of the power optical reflectance from the electrooptic medium integrated into a vertical Fabry-Perot resonator. Experimental data are modeled by an oscillator model of the exciton absorption. The experimentally obtained efficiency of the electooptic medium for the spectral detuning from the absorption peak 50meV and for the electric fields 0-50 kV/cm is 10{-9} m/V for the filling factor of the electrooptic medium 100%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1542-1553.pdf Доп.точки доступа: Щукин, В. А.; Леденцов, Н. Н.; Карачинский, Л. Я.; Блохин, С. А.; Новиков, И. И.; Богословский, Н. А.; Савельев, А. В.; VI Systems GmbH (Germany); VI Systems GmbH (Germany); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; ООО "Коннектор Оптикс" (Санкт-Петербург); ООО "Коннектор Оптикс" (Санкт-Петербург); ООО "Коннектор Оптикс" (Санкт-Петербург) |