011/016 Н 76 Новости физики в сети Internet [Текст] : по материалам электронных препринтов // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 12. - С. 1340 . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Литература универсального содержания--Библиографические пособия Кл.слова (ненормированные): физика -- барионы -- сверхтекучесть -- носители зарядов -- механолюминесценция -- преломление света -- хиральные жидкости Аннотация: Приведен аннотированный список литературы по материалам электронных препринтов. |
53(09) Ю 71 Юрий Васильевич Гуляев [Текст] // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 10. - С. 1141-1142. - Гуляев . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--История физики Кл.слова (ненормированные): академики -- ученые -- радиофизика -- электроника -- информатика -- рекомбинация -- носители зарядов Аннотация: Ю. В. Гуляев внес серьезный вклад в изучение неравновесных электронных процессов в полупроводниках. Им был изучен "ударный" механизм рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Построена статистическая теория рекомбинации носителей заряда на дислокациях в полупроводниках, рассмотрена статистика заполнения дислокаций в равновесных условиях. Перейти: http://www.ufn.ru Доп.точки доступа: Гуляев, Юрий Васильевич |
533.9 Б 287 Батурин, А. С. О возможности отрицательной проводимости электронно-дырочной плазмы в алмазе [Текст] / А. С. Батурин, В. Н. Горелкин, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов // Физика плазмы. - 2008. - Т. 34, N 5. - С. 431-441. - Библиогр.: с. 441 (17 назв. ) . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазма -- электронно-дырочная плазма -- уравнения Больцмана -- Больцмана уравнения -- фононы -- низкие температуры -- носители зарядов -- кинетика плазмы Аннотация: На базе численного решения уравнения Больцмана для стационарной неравновесной функции распределения носителей заряда по скоростям с учетом неупругости их рассеяния на фононах получены оценки подвижности носителей заряда в алмазе с примесью бора при низких температурах. Доп.точки доступа: Горелкин, В. Н.; Соловьев, В. Р.; Черноусов, И. В. |
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения [Текст] / О. С. Комков [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 1. - С. 81-87 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): носители зарядов -- методы фотоотражения -- сверхчистые эпитаксиальные слои Аннотация: Предложен и реализован метод диагностики высококачественных эпитаксиальных слоев n-GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. Доп.точки доступа: Комков, О. С.; Пихтин, А. Н.; Жиляев, Ю. В.; Федоров, Л. М. |
Тартаковский, А. И. (канд. физ. -мат. наук). КТ: полупроводники с нульмерным характером [Текст] / А. И. Тартаковский ; Худож. Н. Кращин // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 8. - С. 8-12. - 1; Полупроводники с нульмерным характером. - Ил. . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- нанометры -- носители зарядов -- оптоэлектроника -- оптоэлектронные системы -- полупроводники Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки знамениты тем, что ограничивают движение носителей заряда во всех трех направлениях на масштабе в несколько нанометров, когда решающую роль в поведении вещества играют квантовые эффекты. Это дает возможность контроля над свойствами носителей зарядов. Доп.точки доступа: Кращин, Н. \.\ |
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 53-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- лазерные наноструктуры -- квантовые ямы -- твердые растворы -- InGaAsSb -- фотолюминесценция -- ФЛ -- межзонная фотолюминесценция -- динамика фотолюминесценции -- барьеры -- температура -- возбуждения -- оптические возбуждения -- носители зарядов -- оптически инжектированные носители зарядов -- время жизни носителей зарядов -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- резонансная оже-рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- электроны -- разогрев электронов -- квантование -- размерное квантование -- фононы -- неравновесные фононы -- оптические фононы -- лазеры -- Sb-содержащие лазерные наноструктуры -- длина волны Аннотация: В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Зерова, В. Л.; Hosoda, T.; Тхумронгсилапа, П.; Воробьев, Л. Е.; Belenky, G. |
Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[20]As[20]S[60] [Текст] / Л. П. Казакова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 79-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- носители зарядов -- пленки -- Ge[20]As[20]S[60] -- измерение времени пролета -- метод измерения времени пролета -- инжекция -- перенос носителей зарядов -- электроны -- дырки -- дисперсионный перенос -- проводимость -- валентные зоны -- экспоненциальный закон Аннотация: Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge[20]As[20]S[60] методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температуре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge[20]As[20]S[60] близки: mu[e]~mu[h]~ 2 x 10{-3} см{2}В{-1}с{-1} при T=295 K и F=5 x 10{4} В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0. 05 эВ. Доп.точки доступа: Казакова, Л. П.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, Э. А.; Арсова, Д.; Обухова, И. А. |
Дмитриев, А. И. Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge[0. 96]Mn[0. 04] [Текст] / А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, О. Л. Казакова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 320-325 : ил. - Библиогр.: с. 324-325 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионная имплантация -- пленки -- отжиг -- микроволновое удельное сопротивление -- сопротивление -- тонкие пленки -- магнетосопротивление -- МС -- Ge[0. 96]Mn[0. 04] -- спин-зависимое рассеяние -- носители зарядов -- кластеры -- марганец -- германий Аннотация: Установлено, что отжиг полученных ионной имплантацией пленок Ge[0. 96]Mn[0. 04] толщиной 120 нм приводит к увеличению микроволнового удельного сопротивления и смене механизма сбоя фазы носителей заряда. Влияние отжига на микроволновые транспортные свойства тонких пленок обусловлено диффузионно-контролируемой агрегацией примесных диспергированных ионов Mn{2+} в кластеры Ge[3]Mn[5]. Доп.точки доступа: Моргунов, Р. Б.; Казакова, О. Л. (Kazakova O. L.) |
Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. |
О транзисторном эффекте в вертикальной структуре с несопряженным полимером в качестве транспортного слоя [Текст] / А. Р. Юсупов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2265-2268. - Библиогр.: с. 2268 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): транспорт носителей заряда -- носители зарядов -- изменения потенциалов -- несопряженные полимеры -- транспортные слои Аннотация: Исследован транспорт носителей заряда в многослойной пленочной структуре на основе несопряженного полимера. Установлены условия, при которых возможно управление транспортом зарядов электрическим полем за счет изменения потенциала на управляющем электроде. Полученные результаты обсуждаются в рамках модели прохождения заряженных частиц через многобарьерную систему. Доп.точки доступа: Юсупов, А. Р.; Салихов, Р. Б.; Лачинов, А. Н.; Рахмеев, Р. Г.; Гадиев, Р. М. |
Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In (Ga) As [Текст] / Е. С. Шаталина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1352-1356 : ил. - Библиогр.: с. 1356 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- спектроскопия фототоков -- фототоки -- эмиссия носителей зарядов -- носители зарядов -- энергетические уровни -- спейсерные слои -- термическая активация -- термоактивация -- p-i-n структуры -- In (Ga) As Аннотация: С помощью спектроскопии фототока исследованы механизмы эмиссии носителей заряда с энергетических уровней квантовых точек (In, Ga) As/ (Al, Ga) As различной конструкции. Показано, что для изолированных слоев квантовых точек, разделенных широкими спейсерными слоями (Al, Ga) As, основным механизмом эмиссии носителей из квантовых точек является термическая активация. При малой ширине спейсерного слоя (Al, Ga) As, когда происходит электронное связывание отдельных слоев квантовых точек в вертикальном направлении, возрастает роль туннельного механизма эмиссии носителей между вертикально связанными квантовыми точками. Доп.точки доступа: Шаталина, Е. С.; Блохин, С. А.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Савельев, А. В.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Устинов, В. М. |
539.2 Г 127 Гагарин, Ю. Е. Интервальное оценивание диффузионной длины неосновных носителей заряда в катодолюминесцентной микроскопии [Текст] : Результаты математического моделирования / Ю. Е. Гагарин, В. И. Петров, М. А. Степович // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - Т. 68, N 9. - С. 1338-1341. - Библиогр.: с. 1341 (4 назв. ). - Результаты математического моделирования . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузионная длина -- заряды -- математическое моделирование -- носители зарядов -- полупроводники -- проводники Аннотация: Показаны возможности получения точечных и интервальных оценок одной из характеристик полупроводника - диффузионной длины неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Петров, В. И.; Степович, М. А. |
539.2 П 440 Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 10. - С. 81-88 : ил. - Библиогр.: с. 88 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нелегированные углеродистые стали -- методы получения -- эпитаксия -- карбид кремния -- электрофизические исследования -- кремний -- пленки -- носители зарядов -- плотность пленок -- электрическая проводимость -- электроны -- режимы синтеза Аннотация: Представлены первые результаты электрофизических исследований пленок карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом эпитаксии. Определен тип носителей заряда в пленках SiC на Si и измерена их плотность и подвижность. Исследования показали, что пленки SiC на Si, выращенные данным методом, обладают n-типом проводимости. Концентрация основных носителей заряда (электронов) в нелегированных слоях пленок SiC на Si составляет в среднем n приблизительно10{18} cm{-3}. Подвижность основных носителей заряда (электронов) для пленок изменяется в зависимости от режимов синтеза от mu равно 27 до 85 cm{2}/ (V·s). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/10/p81-88.pdf Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Вчерашний, Д. Б.; Обухов, С. А.; Феоктистов, Н. А. |
539.2 Ц 387 Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr / И. М. Газизов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1153-1163 : ил. - Библиогр.: с. 1163 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- детекторы -- gamma-излучение -- рекомбинация -- собственные дефекты -- дефекты -- легированные монокристаллы -- монокристаллы -- кристаллы -- чистые монокристаллы -- электрофизические свойства -- температурные зависимости -- фотопроводимость -- релакционная спектроскопия -- глубокие уровни -- микрокатодолюминесценция -- носители зарядов -- транспортные характеристики -- энергетические уровни -- кулоновские ловушки -- катионные вакансии -- анионные вакансии Аннотация: TlBr является перспективным широкозонным полупроводником для создания детекторов gamma-излучения. Одним из сдерживающих факторов развития технологии изготовления детекторов является отсутствие экспериментально установленных центров прилипания и рекомбинации. В работе дана обобщенная модель возникновения и поведения собственных дефектов в чистых и легированных монокристаллах TlBr, установлена их связь с условиями роста и электрофизическими свойствами. В качестве объектов для анализа использовались ранее полученные температурные зависимости фотопроводимости, данные токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и микрокатодолюминесценции, кинетические характеристики фотопроводимости. Показано значение компенсации заряженных центров, определяющих транспортные характеристики носителей заряда. В компенсированных легированных кристаллах TlBr произведение подвижности и времени жизни может достигать mutau=5 x 10{-4} см{2} x B{-1}. Предложена энергетическая диаграмма локальных уровней в чистых и легированных кристаллах TlBr. Определены энергии залегания основных структурных и примесных дефектов в TlBr: анионной вакансии V[a]{+} и катионной вакансии V[c]{-}, ионов Pb{2+}, O{2-}, S{2-}. Энергетическое положение одиночной анионной вакансии составляет E[c]-0. 22 эВ. Глубина залегания катионной вакансии составляет E[v]+0. 85 эВ для изолированной катионной вакансии и E[v]+0. 58 эВ в составе комплекса {Pb{2+} V[c]{-}}0. Энергетический уровень кулоновской ловушки Pb{2+} в легированных кристаллах TlBr имеет энергию E[c]-0. 08 эВ. TlBr is a promising wide-gap semiconductor to create-radiation detectors. One of the limiting factors for development of the technology of detectors is the lack of experimentally determined centers of trapping and recombination. In the paper a generalized model of the emergence and behavior of intrinsic defects in pure and doped TlBr single crystals is given. The relationship of intrinsic defects with growth conditions and electrophysical properties is examined. The previously obtained temperature dependences of photoconductivity, the curves of current deep level transient spectroscopy and microcathodoluminescence, kinetic characteristics of the photoconductivity are used as analyzed objects. It is shown that compensation of charged centers determines the transport properties of the charge carriers. The product of the mobility and the lifetime of electrons can reach mutau = 5 x 10{-4} cm{2} x V (-1} in compensated doped crystals TlBr. The energy level diagram in pure and doped crystals TlBr is given. The ionization energies of major structural and impurity defects in TlBr - anion vacancy V{+}[a], cation vacancy V[-]{c}, ions Pb{2+}, O{2-}, S{2-} - are obtained. The energy of the vacancy V{+}[a] level is Ev - 0. 22 eV. The energy level of the cation vacancy is E[v] + 0. 85 eV for the isolated cation vacancy and E[v] + 0. 58 eV for the vacancy in the complex {Pb{2+}V{-}[c] }{0}. The ionization energy of the Coulomb trap Pb{2+} ion is Ec - 0. 08 eV in doped crystals TlBr. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1153-1163.pdf Доп.точки доступа: Газизов, И. М.; Залетин, В. М.; Говорков, А. В.; Кузнецов, М. С.; Лисицкий, И. С.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; ОАО "Институт физико-технических проблем" (Дубна); Университет "Дубна"; OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва) |
539.2 Г 147 Гайдар, Г. П. Кинетика электронных процессов в gamma-облученных ({60}Co) монокристаллах n-Ge / Г. П. Гайдар // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1171-1175 : ил. - Библиогр.: с. 1175 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические параметры -- gamma-облучение -- монокристаллы -- уровни легирования -- носители зарядов -- подвижность -- примеси -- кислород -- кристаллы -- отжиг -- кристаллографическая ориентация Аннотация: Исследованы изменения основных электрофизических параметров под влиянием gamma-облучения ({60}Co) в монокристаллах n-Ge с разным уровнем легирования. В определенном концентрационном интервале легирующей примеси обнаружено заметное повышение подвижности носителей заряда в облученных образцах и предложено объяснение природы полученного эффекта. Показано, что изменения подвижности электронов под влиянием gamma-облучения, которые возникают в исходных кристаллах n-Ge с примесью кислорода и в кристаллах, подвергнутых отжигу, противоположны по знаку. Установлена решающая роль кислородных комплексов, которые образуются в процессе термообработки в образцах, и локальных механических напряжений решетки в окрестности таких комплексов в появлении эффекта радиационно-стимулированного повышения подвижности. Выяснено, что радиационная стойкость подвижности электронов существенным образом зависит от кристаллографической ориентации исследуемых образцов. The changes in the main electrical parameters under the influence of gamma-irradiation ({60}Co) of n-Ge single crystals at various levels of doping were investigated. The significant increase in the charge carriers mobility in the irradiated samples was found in a certain concentration range of the dopant and the explanation of the obtained effect nature was proposed. It was shown that changes in the mobility of electrons under the influence of ? - irradiation in the initial n-Ge crystals with oxygen impurity and in the annealed crystals were opposite in sign. The decisive role of the oxygen complexes, formed under the heat treatment in the samples, and of the local mechanical stresses of the lattice in the vicinity of these complexes for the appearance of the effect of radiation-stimulated increase of the mobility was established. It was found that the radiation hardness of the electron mobility strongly depends on the crystallographic orientation of the investigated samples. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1171-1175.pdf Доп.точки доступа: Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины |
539.2 К 850 Крылов, П. Н. Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO / П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1269-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (29 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионная обработка -- обработка ионами -- магнетронное распыление -- сопротивление пленок -- пленки ITO -- комнатная температура -- носители зарядов -- конденсация -- температура конденсации -- дефекты Аннотация: Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2Sn[In]O{``}[i]) {x}. It is shown that the ion beam treatment in the process of obtaining reactive RF magnetron sputtering reduces the resistance of ITO films, even at room temperature. Variation of the Hall mobility and carrier concentration as values function of the condensation temperature and current ion treatment are investigated. Resistance is decreased mainly due to increase of the carrier concentration. It is assumed that the change in carrier concentration is due to the defects (2Sn[In]O{``[i] ) [x]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1269-1273.pdf Доп.точки доступа: Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Удмуртский государственный университет; Удмуртский государственный университетУдмуртский государственный университет |