621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Напряжения лавинного пробоя n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 129 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- лавинный пробой -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Экспериментально проверена методика определения напряжения лавинного пробоя вертикальных переключающих n-p-n-транзисторов И2Л элементов. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Фролов, А. А. |
Горбатюк, А. В. Биполярные переключатели с распределенными микрозатворами. Условия вхождения в динамический пробой при выключении [Текст] / А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 10. - С. 80-88. - Библиогр.: c. 88 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): биполярные переключатели -- биполярные переключатели с распределенными микрозатворами -- динамический пробой -- лавинный пробой -- динамический лавинный пробой Аннотация: Предложена универсальная компактная методика расчета условий динамического лавинного пробоя биполярных переключателей с p+nn[0] (p[0]) pn+-структурой и с распределенными микрозатворами при их запирании в цепи с резистивной нагрузкой. Получаемые условия определяют ограниченную пробоем предельную коммутируемую мощность конкретного прибора. Представлены примеры расчета границ области безопасной работы по току и напряжению и предельной мощности для структур Si и 4H-SiC. Установлено, что в наибольшей степени подвержены пробою структуры с затворами, которые при запирании экстрагируют неосновные носители, причем того типа, который обладает более высоким коэффициентом ударной ионизации, т. е. электроны из p[0]-базы для кремния, или дырки из n[0]-базы для 4H-SiC. Напротив, наиболее устойчивы к пробою еще не получившие распространения структуры с затворами противоположного типа, т. е. для случая Si - экстрагирующими дырки из p[0]-базы, а для 4H-SiC - экстрагирующими электроны из n[0]-базы. Показано, что при реализации таких конструкций для Si-переключателей с напряжением переключения U[max]~5-7 kV максимальная мощность, приведенная к единице площади, может быть увеличена от обычного уровня ~200 kJ/cm{2} до нового теоретического предела ~0. 7-1. 0 MW/cm{2}, а для переключателей на основе 4H-SiC с U[max]~4. 5-10 kV этот предел может достигать 200 MW/cm{2} и выше. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Гусин, Д. В. |
Прудаев, И. А. Влияние толщины базы лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 48-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Обработка материалов Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): S-диод -- арсенид галлия -- вольт-амперная характеристика -- лавинный пробой Аннотация: Исследовано влияние толщины базы диффузионного лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и напряжение переключения. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. |
537.533/.534 К 995 Кюрегян, А. С. Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 970-978 : ил. - Библиогр.: с. 977-978 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): ударная ионизация -- плоские волны -- теоретический анализ -- туннелирование -- лавинный пробой -- затравочные электроны -- скорость -- волны -- туннельная ионизация -- напряженность -- теория волн Аннотация: Проведен теоретический анализ влияния межзонного и примесного туннелирования на свойства стационарных плоских волн ионизации в p[+]-n-n[+]-структурах. Показано, что в качественном отношении такие волны туннельно-ударной ионизации не отличаются от обычных волн ударной ионизации, распространяющихся за счет лавинного размножения однородно распределенных затравочных электронов и дырок. Количественные отличия волн туннельно-ударной ионизации от волн ударной ионизации сводятся к несколько иному соотношению между скоростью волны u и максимальной напряженностью поля E[M] на фронте. Показано, что пренебрежение ударной ионизацией не исключает возможность существования волн туннельной ионизации, однако их структура радикально изменяется, а скорость сильно уменьшается при том же значении E[M]. Сравнение зависимостей u (E[M]) для различных типов волн ионизации позволило определить условия, при которых один из них является преобладающим. В заключение обсуждены еще нерешенные вопросы теории волн туннельно-ударной ионизации и намечены направления дальнейших исследований. The effect of band-to-band and trap-assisted tunneling on the properties of stationary plane ionization waves in p[+]-n-n[+]-structures has been theoretically analyzed. It is shown that in qualitative terms, such tunnel-impact ionization waves (TIIW) do not differ from the usual impact ionization waves (IIW), spreading due to the avalanche multiplication of uniformly distributed seed electrons and holes. Quantitative differences of TIIW from IIW are reduced to a somewhat different relationship between the wave velocity u and maximum field strength E[M] at the front. It is shown that neglecting the impact ionization does not exclude the possibility of existence of tunneling ionization waves, but their structure is radically changed, and the speed is greatly reduced at the same value E[M]. Comparison of the dependences u (E[M]) for various types of ionization waves makes it possible to determine conditions under which one of them is predominant. In conclusion, the still unresolved problems in the theory of TIIW are discussed and lines of further investigations are outlined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p970-978.pdf |
539.21:537 С 890 Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными p-n-переходами / В. И. Брылевский [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 8. - С. 80-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- кремниевые диоды -- лавинный пробой -- резистивные ответвлители -- структуры -- геометрические параметры -- переходы Аннотация: Задержанный лавинный пробой высоковольтных кремниевых диодов впервые исследован с помощью экспериментальной установки со специально сконструированным резистивным ответвителем, являющимся частью высококачественного согласованного измерительного тракта. Исследованы три типа структур с одинаковыми геометрическими параметрами и близкими напряжениями стационарного пробоя 1. 1-1. 3 kV: p{+}-n-n{+}-структуры с резким p-n-переходом и два различных типа p{+}-p-n-n{+}-структур с плавным переходом. При переключении всех структур в нагрузке формировался перепад напряжения амплитудой более киловольта и скоростью нарастания приблизительно 100 ps при напряжении пробоя около 2 kV. Однако переключение в состояние с низким (приблизительно 150 V) остаточным напряжением обнаружено только для структур с резким переходом; для структур с плавным переходом напряжение уменьшалось только до величины приблизительно 1 kV, близкой к напряжению стационарного пробоя. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/08/p80-87.pdf Доп.точки доступа: Брылевский, В. И.; Смирнова, И. А.; Родин, П. Б.; Грехов, И. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |