621.38 У 749 Усиченко, В. Г. Выгорание сверхвысокочастотных диодов и транзисторов под воздействием видеоимпульсов разной полярности и длительности [Текст] / В. Г. Усиченко, А. В. Якимов, Л. Н. Сорокин // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N9. - Библиогр.:с.1144 (17 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- видеоимпульсы -- выгорание сверхвысокочастотных диодов -- полупроводниковые приборы -- сверхвысокочастотные диоды -- электромагнитные импульсы Аннотация: Рассмотрен видеоимпульсный метод изучения механизмов выгорания сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов. Установлено, что выгорание диодов при прямом смещении, а многоэмиттерных транзисторов при смещениях прямой и обратной полярности вызвано нагревом активной области приборов до температуры плавления полупроводника. По результатам экспериментов предложен теоретический метод построения зависимости мощности выгорания от длительности импульсов, распространяющийся на области как адиабатического, так и квазистатического нагрева. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Якимов, А.В.; Сорокин, Л.Н. |
621.38 С 128 Савельев, С. В. Регулярная и хаотическая динамика генераторов сверхвысоких частот на биполярных транзисторах большой мощности [Текст] / С. В. Савельев // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 7. - Библиогр.: с. 858 (11 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- транзисторы большой мощности -- нелинейные уселители -- СВЧ-устройства Аннотация: Предложена динамическая модель однотранзисторного регенеративного усилительного каскада на базе мощного биполярного транзистора сверхвысокой частоты (СВЧ) . Установлено соответствие значений параметров модели параметрам реального устройства. Численно исследована динамика модели в автоколебательном режиме с целью выявления закономерностей возникновения и развития регулярных и хаотических колебаний. Рассмотрены результаты экспериментальных исследований регенеративного усиленого каскада в случае самовозбуждения в диапозоне СВЧ применительно к теоретической модели. |
621.38 Е 780 Ерофеев, М. Прибор для определения цоколевки транзисторов [Текст] / М. Ерофеев // Радио. - 2001. - N8
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): радиоаппаратура -- полупроводниковые приборы -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- пробники -- индикаторные приборы -- цоколевка -- эмиттеры -- конструкции -- схемы Аннотация: При демонтаже какой-либо радиоаппаратуры,когда на извлеченных из нее транзисторах оказывается стертой маркировка,возникает задача определения структуры и выводов биполярных транзисторов.И хотя на страницах журнала уже было опубликовано немало описаний различных пробников и приборов для целей,о которых идет речь,представляет определенный интерес вариант конструкции,предложенный автором настоящей статьи. Перейти: http://www.paguo.ru/ |
Агеев, С. Минимизация шумов предварительных усилителей [Текст] : о некоторых особенностях проектирования малошумящих усилителей при существенно реактивном импедансе источника сигнала / С. Агеев // Радио. - 2005. - N 1. - Продолж. Начало: N 12, 2004 . -
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроакустика Кл.слова (ненормированные): усилители -- малошумящие усилители -- предварительные усилители -- проектирование усилителей -- шумы -- магнитофоны -- магнитофоны профессиональные -- магнитофоны швейцарские -- импортные магнитофоны -- магнитофоны катушечные -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- схемы принципиальные -- схемы структурные Аннотация: О некоторых особенностях проектирования малошумящих усилителей при существенно реактивном импедансе источника сигнала. |
621.38 В 680 Володин, В. Управление биполярным переключательным транзистором [Текст] / В. Володин // Радио. - 2005. - N 10. - Библиогр.: с. 39 (2 назв. ) . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- биполярные транзисторы -- переключательные транзисторы -- управление транзисторами -- схемы принципиальные -- принципиальные схемы Аннотация: Как правило, самые мощные транзисторы, выпускаемые в настоящее время, ориентированы на применение в качестве переключательных элементов в различных преобразовательных устройствах. Идеальный переключатель должен не только иметь бесконечно большое сопротивление в закрытом состоянии и нулевое в открытом, но и моментально переходить из одного состояния в другое при нулевой мощности управления. Чем ближе реальный переключатель по своим параметрам к идеальному, тем выше его эффективность. Автор этой статьи считает, что при определенных условиях биполярный транзистор как переключатель может успешно соперничать с полевым. |
621.38 Н 76 Новые полупроводниковые приборы [Текст] // Радио. - 2006. - N 2. - С. 38-41 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- приборы полупроводниковые -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- мощные транзисторы -- технические характеристики -- характеристики технические Аннотация: Как считают специалисты, сегодня только около 20 % транзисторов различного назначения, представленных на внутреннем рынке страны, произведены в России. Мириться с таким положением дел - значит, углублять наше отставание от уровня сегодняшних лидеров мировой электроники. В последнее время предприятиями отечественной электронной промышленности освоено производство ряда новых полупроводниковых приборов - транзисторов биполярных и полевых, диодов и др., а также модернизированы некоторые из ранее выпускаемых. С основными техническими характеристиками наиболее интересных из них, предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, знакомит цикл публикаций, открываемый этим номером журнала. |
621.38 Н 76 Новые полупроводниковые приборы. Мощные полевые транзисторы [Текст] // Радио. - 2006. - N 3. - С. 45-50. - Мощные полевые транзисторы . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- приборы полупроводниковые -- транзисторы -- полевые транзисторы -- биполярные транзисторы -- IGBT -- SIT -- СИТ -- чертежи корпусов Аннотация: Этот класс приборов представлен двумя группами. К первой отнесены биполярные транзисторы с изолированным затвором (западная аббревиатура - IGBT) и транзисторы со статической индукцией - СИТ (SIT) . В обозначении транзисторов этой группы вместо традиционной буквы П стали использовать букву Е. Тем не менее в группу включены две серии транзисторов СИТ, наименованных традиционно. Даны основные технические характеристики транзисторов. В приводимых таблицах указаны также зарубежные аналоги транзисторов. |
534.86 Ч-58 Чивильча, А. Транзисторный УМЗЧ с высоковольтным ОУ [Текст] / А. Чивильча // Радио. - 2006. - N 5. - С. 19-21. - Библиогр.: с. 21 (6 назв. ). - Ил.: 4 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроакустика Кл.слова (ненормированные): УМЗЧ -- усилители мощности звуковой частоты -- биполярные транзисторы -- транзисторы биполярные -- КР1408УД1 -- схемы принципиальные -- принципиальные схемы -- платы печатные -- печатные платы Аннотация: Представлены два варианта УМЗЧ на биполярных транзисторах с ОУ КР1408УД1, рассчитанным на повышенное напряжение питания. В зависимости от числа транзисторов выходного каскада усилитель можно использовать с нагрузкой различной мощности и сопротивления. Для обоих вариантов усилителя автором разработаны печатные платы. |
621.396 Е 924 Ефремова, Е. В. Генератор хаотических колебаний радиодиапазона на основе автоколебательной системы с 2, 5 степенями свободы [Текст] / Е. В. Ефремова, Н. В. Атанов, Ю. А. Дмитриев // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2007. - Т. 15, N 1. - С. 23-41. - Библиогр.: с. 40 (12 назв. ). - Математическая модель генератораДинамика генератора с кусочно-линейной вольт-амперной характеристикой транзистораМоделирование генератора в пакете ADSКорреляционная размерность аттракторов. - Ил.: рис. . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника--Электроника Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- генераторы -- генераторы хаотических колебаний -- автоколебательные системы -- генераторы хаоса -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- пакеты прикладных программ -- Advanced Design Systems -- ADS -- физические эксперименты Аннотация: Предлагается генератор хаоса радиодиапазона на основе биполярного транзистора. Исследуется математическая модель генератора - автоколебательная система с 2, 5 степенями свободы. Анализируется динамика генератора в пакете схемотехнического моделирования Advanced Design System (ADS) с использованием параметров реального транзистора, моделирование генератора осуществляется с учетом свойств подложки. Результаты моделирования в ADS сопоставляются с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Атанов, Н. В.; Дмитриев, Ю. А. |
621.396 Б 396 Безик, Д. Однотактный обратноходовый ИИП на БСИТ [Текст] / Д. Безик // Радио. - 2008. - N 1. - С. 30-31 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Электроника Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- БСИТ -- импульсные источники питания -- источники питания -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- схемы принципиальные -- транзисторы Аннотация: Рассказано о преимуществах биполярных транзисторов со статической индукцией (БСИТ), особенностях управления ими. Предложен простой стабилизированный импульсный источник питания с повышенной надежностью, которая обеспечена многократной защитой выхода и коммутирующего транзистора. |
621.396 Г 945 Гумеров, Ю. Прибор для проверки высоковольтных транзисторов [Текст] / Ю. Гумеров, авт. А. Зуев // Радио. - 2008. - N 1. - С. 32 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Электроника Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- высоковольтные транзисторы -- импульсные источники питания -- источники питания -- полевые транзисторы -- приборы -- принципиальные схемы -- проверка транзисторов -- схемы принципиальные -- транзисторы Аннотация: При изготовлении импульсных сетевых источников питания широко применяют высоковольтные переключательные биполярные и полевые транзисторы. От их надежности в значительной мере зависит бесперебойная работа всего изделия. Поэтому перед монтажом их желательно проверить на наличие повышенного значения обратного тока коллектора для биполярного транзистора или остаточного тока стока полевого и определить, выдерживают ли они требуемое рабочее напряжение. Сделать это можно с помощью предлагаемого авторами прибора. По результатам испытания отбирают экземпляры с наилучшими параметрами. Доп.точки доступа: Зуев, А. |
621.315.592 J 93 Jung-Hui Tsai Electrical properties of InP/InGaAs pnp heterostructure-emitter bipolar transistor [Текст] / Jung-Hui Tsai, Wen-Chau Liu [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 353-356 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- InP/InGaAs -- гетероструктуры Доп.точки доступа: Wen-Chau Liu; Der-Feng Guo; Yu-Chi Kang; Shao-Yen Chiu; Wen-Shiung Lour |
Грехов, И. В. (чл.-кор. РАН). Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника [Текст] / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 106-115 : 10 рис. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- импульсная техника -- полупроводниковая импульсная техника -- полупроводниковая электроника -- приборы полупроводниковые -- силовая электроника -- техника импульсная -- транзисторы биполярные -- электроника полупроводниковая -- электроника силовая -- электроэнергия Аннотация: В статье рассматривается современное состояние силовой полупроводниковой электроники (силовые полупроводниковые приборы и базирующиеся на них преобразователи электрической энергии). Начало этой области науки и техники было положено работами Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе в 50-60-х гг. прошлого века, а в 80-90-х гг. на основе выдвинутых его сотрудниками идей было создано новое направление силовой электроники - силовая полупроводниковая импульсная техника, в котором Россия и сейчас сохраняет лидирующие позиции. |
Лечкин, А. Светодиодные "мигалки" на микросхеме К217НТ3 [Текст] / А. Лечкин // Радио. - 2008. - N 4. - С. 42-43 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): 9 В -- биполярные транзисторы -- К217НТ3 -- мигалки -- микросхемы -- мультивибраторы -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- светодиоды -- симметричные мультивибраторы -- схемы принципиальные -- транзисторы биполярные Аннотация: Основа предлагаемых устройств - микросхема К217НТ3, содержащая четыре не соединенных между собой биполярных транзистора структуры n-p-n. Каждое из устройств представляет собой два симметричных мультивибратора. Для питания первого устройства достаточно одного гальванического элемента, для другого - необходимо напряжение 9 В. |
Новый координатно-чувствительный кремниевый пиксельный детектор на основе биполярных транзисторов [Текст] / Д. Л. Волков [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 5. - С. 47-57. - Библиогр.: с. 57 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): детекторы -- кремниевые детекторы -- ионизирующие частицы -- биполярные транзисторы -- матрица биполярных транзисторов -- коллекторы (физика) -- ионизирующие частицы Аннотация: Описывается новый тип кремниевого детектора ионизирующих частиц и излучений, представляющий собой матрицу биполярных транзисторов. Чувствительной областью детектора являются коллекторы этих транзисторов, в них же происходит и предварительное усиление первичного сигнала от ионизирующей частицы. Используя схемы многоэмиттерных транзисторов, можно очень просто непосредственно на детекторе разветвить исходный сигнал на несколько шин считывания с одинаковым уровнем сигнала в каждой шине. Доп.точки доступа: Волков, Д. Л.; Карманов, Д. Е.; Мурашев, В. Н.; Леготин, С. А.; Мухамедшин, Р. А.; Чубенко, А. П. |
High-performance InGaP/GaAs pnp delta -doped heterojunction bipolar transistor [Текст] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 971-974 : ил. - Библиогр.: с. 973-974 (11назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы -- арселид галия -- валентные зоны -- разрывы -- разделительные слои -- эммитерный переход -- электроны -- коэффициент усиления -- напряжение смещения -- усилители -- микросхемы -- GaAs Аннотация: In this article, a novel InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor is first demonstrated. Though the valence band discontinuity at InGaP/GaAs heterojunction is relatively large, the addition of a delta-doped sheet between two spacer layers at the emitter-base (E-B) junction effectively eliminates the potential spike and increases the confined barrier for electrons, simultaneously. Experimentally, a high current gain of 25 and a relatively low E-B offset voltage of 60 mV are achieved. The offset voltage is much smaller than the conventional InGaP/GaAs pnp HBT. The proposed device could be used for linear amplifiers and low-power complementary integrated circuit applications. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Shao-Yen Chiu; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo |
InP/GaAsSb type-II DHBTs with GaAsSb/InGaAs superlattice-base and GaAsSb bulk-base structures [Text] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1130-1134 : ил. - Библиогр.: с. 1133-1134 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- туннелирование -- неосновные носители заряда -- эмитттеры смещения -- гетеропереходы -- структуры -- GaAsSb/InGaAs Аннотация: High-performance InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor (DHBT) employing GaAsSb/InGaAs superlattice-base structure is demonstrated and compared with GaAsSb bulk-base structure by two-dimensional simulation analysis. The proposed device exhibits a higher current gain of 257 than the conventional InP/GaAsSb type-II DHBT with a lower current gain of 180, attributed to the tynneling behavior of minority carriers in the GaAsSb/InGaAs superlattice-base region under large forward base-emitter bias. In addition, a larger unity gain cutoff frequency of 19. 1 GHz is botained for the superlattice-base device than that of 17. 2 GHz for the bulk-base device. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo; Wen-Chau Liu; Yi-Zhen Wu; Ying-Feng Dai |
62.001.63 А 161 Абрамов, И. И. (д-р физ.-мат. наук, проф.). Инженерный метод идентификации параметров "Spice-моделей" [Текст] / И. И. Абрамов, авт. О. В. Дворников // Информационные технологии. - 2007. - N 5. - С. 17-21. - Библиогр.: с. 21 (12 назв. ) . - ISSN 1684-6400
Рубрики: Техника Проектирование Кл.слова (ненормированные): системы автоматизированного проектирования -- САПР -- Spice-модели -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы Аннотация: Предложен инженерный трехступенчатый метод идентификации параметров "Spice-моделей" биполярных и полевых транзисторов аналоговых интегральных схем. Доп.точки доступа: Дворников, О. В. (канд. техн. наук) |
621.382 С 128 Савельев, С. В. Генератор микроволновых хаотических колебаний на мощном биполярном транзисторе [Текст] / С. В. Савельев // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 11. - С. 20-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Механика Динамика Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- биполярные транзисторы -- мощные транзисторы -- хаотические колебания -- микроволновые хаотические колебания -- генераторы колебаний -- автоколебательные системы -- хаотические системы -- генерация колебаний -- устойчивая генерация -- спектральная плотность -- частоты Аннотация: Предложена, реализована и исследована хаотическая автоколебательная система на основе мощного биполярного транзистора 2T 982 A-2. В экспериментах была получена устойчивая генерация хаотических колебаний в диапазоне частот 5. 26-5. 44 GHz со спектральной плотностью 1. 3· 10{-3} W/MHz. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/11/p20-25.pdf |
621.315.592 П 272 Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах / В. С. Юферев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1071-1077 : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): переходные процессы -- биполярные транзисторы -- БТ -- карбид-кремниевые биполярные транзисторы -- высоковольтные биполярные транзисторы -- транзисторы -- экспериментальные результаты -- средние значения -- экспоненциальная зависимость -- коллекторные емкости -- численные модели -- карбид кремний -- SiC Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы особенности переходных процессов в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах. Показано, что в хорошем согласии с экспериментальными результатами процесс выключения из активного режима в широком диапазоне температур может быть описан с помощью полученного в работе простого аналитического выражения. Процесс включения транзистора, после которого он оказывается в активном режиме, хорошо описывается простой экспоненциальной зависимостью. При этом постоянная времени включения определяется средним значением коллекторной емкости до и после включения. Предложена численная модель, основанная на простой и физически прозрачной эквивалентной схеме, позволяющая в хорошем согласии с экспериментом описать оба переходных процесса, включения и выключения, в SiC биполярном транзисторе, как в активном режиме, так и в режиме насыщения. Transient processes in high voltage silicon carbide bipolar transistors have been studied experimentally and theoretically. It was shown that the processes of switch-off from active regime can be described in wide temperature interval by the simple analytical expression suggested in the paper. The switch-on processes into active regime can be described by a simple exponential dependence. The time constant of the switch-on process is determined in this case by the mean value of the collector capacity before and after the switch-on process. Numerical model to describe both, switch-off and switch-on transient processes has been suggested. This model is based on a simple and physically clear equivalent circuit and makes it possible to describe the transient processes in both, active and saturation regimes. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1071-1077.pdf Доп.точки доступа: Юферев, В. С.; Левинштейн, М. Е.; Иванов, П. А.; Zhang, Q. J.; Agarwal, A. K.; Palmour, J. W.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); CREE Inc. (USA); CREE Inc. (USA); CREE Inc. (USA) |