621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Метод расчета параметров малосигнальной эквивалентной схемы сверхвысокочастотных гетероструктурных биполярных транзисторов с варизонным эмиттером, основанный на квазигидродинамической модели переноса электронов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N11. - Библиогр.:с.1396 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетероструктурные биполярные транзисторы -- квазигидродинамическая модель -- перенос электронов Аннотация: Предложена нелинейная система дифференциальных уравнений, описывающая одномерную активную область транзистора в статическом режиме, состоящая из квазигидродинамической модели переноса электронов, бизкой к дрейфово-диффузионной модели по форме, дрейфово-диффузионной модели переноса дырок и уравнений электрического поля. Разработан метод расчета шести параметров малосигнальной эквивалентной схемы активной области по результатам пятикратного решения этой системы уравнений. Перейти: http://www.maik.ru |
Бахаров, В. В. Трансформация тринитрометильной группы в цианогруппу - новый метод синтеза 1, 3, 5-триазинкарбонитрилов [Текст] / В. В. Бахаров, А. А. Гидаспов, Е. В. Переседова // Журнал органической химии. - 2008. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 454-456. - Библиогр.: c. 456 (17 назв. ) . - ISSN 0514-7492
Рубрики: Химия Органическая химия Кл.слова (ненормированные): трифенилфосфин -- тринитрометильная группа -- нуклеофильные агенты -- денитрование -- фосфины -- фосфиты -- трансформация -- перенос электронов -- бифильная атака -- электрофильная атака -- цианогруппа Аннотация: При взаимодействии тринитрометил-1, 3, 5-триазинов с трифенилфосфином образуются 1, 3, 5-триазинкарбонитрилы. Доп.точки доступа: Гидаспов, А. А.; Переседова, Е. В. |
Система Cu (II) -нитроксильные радикалы: высокая активность и реактивация катализатора в процессе разложения гидропероксидов [Текст] / А. Б. Гагарина [и др. ] // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 11. - С. 18-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (35 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): система Cu (II) -- Cu (II) -- нитроксильные радикалы -- каталитическая активность -- реактивация катализаторов -- катализаторы -- процессы разложения -- гидропероксиды -- соединения меди (II) -- сокатализаторы -- каталитические циклы -- промотирующие добавки -- диацилпероксиды -- перенос протонов -- перенос электронов -- медь (II) Аннотация: Показано, что внутрикомплексные соединения меди (II) в присутствии нитроксильных радикалов проявляют высокую каталитическую активность в процессе разложения гидропероксидов. Участие нитроксильного радикала в качестве сокатализатора увеличивает скорость реакции и число каталитических циклов. Нитроксильные радикалы обеспечивают реактивацию катализатора после полной потери им активности, что является характерной особенностью процесса в отсутствие промотирующей добавки. Эффект промотирующего действия нитроксильных радикалов обнаружен для гидропероксидов и не наблюдается для диацилпероксидов. Специфичность каталитической системы по отношению к гидропероксидам предполагает участие нитроксильных радикалов в одной из ключевых стадий переноса протона от комплекса медь (II) гидропероксид в суммарном механизме реакции, однако непосредственного взаимодействия между нитроксильными радикалами и ионами меди (II) по механизму переноса электрона не обнаружено. Доп.точки доступа: Гагарина, А. Б.; Смурова, Л. А.; Дегтярев, Е. Н.; Козырева, А. Г. |
Кожушнер, М. А. Проводимость в системе ферромагнитных нанокластеров. Влияние магнитного поля [Текст] / М. А. Кожушнер, Л. И. Трахтенберг // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 5. - С. 76-84 : ил. - Библиогр.: с. 84 (31 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): проводимость нанокластеров -- ферромагнитные нанокластеры -- нанокластеры металла -- магнитные поля -- теория проводимости -- композиты -- константы скорости -- туннельные переносы -- перенос электронов -- слабые поля -- сверхсильные поля -- электрические поля -- ионизация кластеров -- нейтральные кластеры -- изоляторы Аннотация: Развита теория проводимости композитов изолятор + нанокластеры металла. Получена константа скорости туннельного переноса электрона между нанокластерами. Возможны три режима протекания тока: режимы слабого, сильного и сверхсильного электрических полей. В режиме слабого поля распределение электронов, получившихся в результате ионизации нейтральных кластеров, оказывается практически равновесным. Рассчитана проводимость для этого режима. В случае ферромагнитных кластеров возможна сильная зависимость сопротивления от магнитного поля. Найдено точное выражение для зависимости сопротивления от магнитного поля и температуры. Доп.точки доступа: Трахтенберг, Л. И. |
Эффекты самосборки и механизмы межхромофорных взаимодействий в пентадах порфиринов [Текст] / Е. И. Сагун [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 4. - С. 590-607. - Библиогр.: с. 606-607 (54 назв. ) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): наноразмерные пентады -- тетрапиррольные макроциклы -- Zn-порфирины -- порфириновые экстралиганды -- теория функционала плотности -- редокс-свойства -- экситонные состояния -- перенос электронов -- температура растворителей -- релаксационные процессы Аннотация: Осуществлена направленная самосборка наноразмерных структурно организованных пентад, включающих пять тетрапиррольных макроциклов и основанных на двухточечном координационном взаимодействии двух ковалентно связанных димеров Zn-порфиринов с молекулами свободного основания или Cu-комплекса тетраметапиридил-замещенного порфиринового экстралиганда в метилциклогексане при 295 К. Доп.точки доступа: Сагун, Е. И.; Зенькевич, Э. И.; Кнюкшто, В. Н.; Шульга, А. М.; Ивашкин, В. Н. |
543.2 П 782 Проводимость нанокристаллических композитных пленок SnO[2] - In[2]O[3] [Текст] / Т. В. Белышева [и др.] // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 9. - С. 1706-1711. - Библиогр.: c. 1711 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): композитные пленки In[2]O[3] -- композитные пленки SnO[2] -- кривая температурной зависимости -- перенос электронов -- перколяционный кластер -- проводимость нанокристаллических пленок -- смесь нанокристаллов -- энергия активации Аннотация: Изучена проводимость пленок из смеси нанокристаллов SnO[2] In[2]O[3] при температурах от 200 до 500 C. Представлена модель проводимости в пленках с учетом переноса электронов от In[2]O[3] к SnO[2] с образованием положительно заряженных нанокристаллов In[2]O[3], контактирующих с отрицательно заряженными нанокристаллами SnO[2]. Доп.точки доступа: Белышева, Т. В.; Герасимов, Г. Н.; Громов, В. Ф.; Спиридонова, Е. Ю.; Трахтенберг, Л. И. |
621.382 У 525 Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов [Текст] / В. М. Лукашин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 84-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- мощные транзисторы -- разработка транзисторов -- гетероструктуры -- гетероструктурные транзисторы -- электроны -- перенос электронов -- пространственный перенос -- поперечный перенос -- поперечный пространственный перенос -- выходная мощность -- арсенид галлия -- квантовые ямы -- потенциальные барьеры Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами, оптимизированными для уменьшения роли поперечного пространственного переноса электронов. Транзисторы продемонстрировали рост мощности в полтора раза и при длине затвора 0. 4-0. 5 mum и общей ширине затвора транзистора 0. 8 mm на частоте 10 GHz имеют коэффициент усиления более 8 dB, удельную выходную мощность более 1. 4 W/mm, КПД по добавленной мощности до 50%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p84-89.pdf Доп.точки доступа: Лукашин, В. М.; Пашковский, А. Б.; Журавлев, К. С.; Торопов, А. И.; Лапин, В. Г.; Соколов, А. Б. |
539.2 М 744 Модель переноса заряда в формировании свечения нанокристаллического люминофора ZnS:Mn / М. Б. Веретельник [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 16. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические материалы -- люминофоры -- модели переноса зарядов -- фотолюминесценция -- порошковые люминофоры -- наночастицы -- перенос электронов -- электроны -- заряды Аннотация: Экспериментально зарегистрированы временные зависимости затухания фотолюминесенции для порошкового люминофора, состоящего из наночастиц ZnS, легированных Mn, в микро- и миллисекундном диапазоне. Показано, что экспериментальные кривые затухания не могут быть корректно описаны в рамках существующих моделей. Предложена простая модель для описания кинетики затухания фотолюминесценции с участием Mn-центров, которая включает возможность переноса электронов между наночастицами ZnS. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/16/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Веретельник, М. Б.; Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В.; Надточий, А. Б. |
539.21:537 Т 338 Теория явлений переноса в поликристаллических пленках халькогенидов свинца. Подвижность. Невырожденная статистика / Ш. Б. Атакулов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 869-873 : ил. - Библиогр.: с. 873 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- перенос -- халькогениды свинца -- невырожденные электроны -- статистика -- монокристаллические пленки -- носители заряда -- подвижность электронов -- массивные кристаллы -- межкристаллитные барьеры -- перенос электронов -- электрические поля Аннотация: Экспериментально исследована подвижность невырожденных электронов в блочно-монокристаллических и поликристаллических пленках PbTe. При одной и той же концентрации носителей заряда полученные результаты сравнены с подвижностью электронов в массивных кристаллах. В предположении ограничения подвижности носителей заряда межкристаллитными потенциальными барьерами проведено теоретическое рассмотрение переноса электронов в электрическом поле и установлено согласие теории и эксперимента. Non-degenerated electrons mobility in the quazimonocrystallineand polycrystalline PbTe films is investigated experimentally. The results obtained are compared with the data for crystals at identical concentrations of charge carriers. In the assumption of restriction of electron mobility due to intercrystalline potential barriers, theoretical consideration is carried out of electron transter in an electric field and concurrence of the theory to experiment is revealed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p869-873.pdf Доп.точки доступа: Атакулов, Ш. Б.; Зайнолобидинова, С. М.; Набиев, Г. А.; Набиев, М. Б.; Юлдашев, А. А. |
53:51 П 441 Поддубный, В. В. Немарковская диссипативная динамика переноса электрона в реакционном центре фотосинтеза / В. В. Поддубный, И. О. Глебов, В. В. Еремин // Теоретическая и математическая физика. - 2014. - Т. 178, № 2. - С. 295-304 : 4 рис. - Библиогр.: с. 304 (14 назв.) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика Математическая физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): корреляционные функции термостата -- марковские приближения -- перенос электронов -- реакционные центры -- Редфилда теория -- спектральные функции термостата -- теория Редфилда -- фотосинтез Аннотация: Рассмотрена диссипативная динамика переноса электрона в фотосинтетическом реакционном центре пурпурной бактерии. Предложена модель, в которой переход между электронными состояниями обусловлен только взаимодействием системы хромофоров с белковым окружением и не сопровождается движением ядер реакционной подсистемы. Доп.точки доступа: Глебов, И. О.; Еремин, В. В.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия)Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва (Россия) |