22.33 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Влияние сверхвысокочастотного отжига на структуры двуокись кремния-карбид кремния [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, Р. В. Конакова [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): СВЧ воздействие -- двуокись кремния -- карбид кремния -- карбидкремниевые структуры -- сверхвысокочастотный отжиг Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии оптического поглощения исследовано влияние СВЧ воздействия на свойства структур SiO[2]/SiC, полученных методами быстрого термического отжига и обычного термического окисления в парах воды. На основании анализа зависимостей изменения оптической плотности образцов от суммарного времени СВЧ воздействия сделан вывод о том, что наиболее устойчивыми к СВЧ воздействию являются структуры, полученные методом быстрого термического отжига. Показано, что длительное СВЧ воздействие приводит к выравниванию поверхности пленок окисла на наноуровне независимо от способа окисления карбида кремния Доп.точки доступа: Конакова, Р.В.; Кочеров, А.Н.; Литвин, П.М.; Литвин, О.С.; Охрименко, О.Б.; Светличный, А.М. |
539.2 Б 32 Бачериков, Ю. Ю. Люминофоры на основе легированного сульфида цинка с одинаковой спектральной плотностью излучения в диапазоне от 500 до 750 nm [] / Ю. Ю. Бачериков, Н. В. Кицюк // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 5. - С. 129-130. - Библиогр.: c. 130 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): люминофоры; сульфид цинка; фотолюминесценция; фотолюминофоры; электролюминесценция; электролюминофоры Аннотация: Созданы электролюминофор на основе ZnS: In, Cu, Cl, излучающий с практически одинаковой спектральной плотностью излучения в диапазоне от 550 до 750 nm, и фотолюминофор на основе ZnS: In, аналогично излучающий в диапазоне 500 Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/05/page-129.html.ru Доп.точки доступа: Кицюк, Н. В. |
539.2 Б 32 Бачериков, Ю. Ю. Тепловые метаморфозы, происходящие с ZnS в процессе его легирования CuCl [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, И. С. Головина, Н. В. Кицюк // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1766-1770. - Библиогр.: с. 1770 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): легирование; люминофоры; отжиг; температура отжига; фотолюминесценция; электролюминесценция; электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, электролюминесценции и электронного парамагнитного резонанса порошкообразного ZnS, термолегированного CuCl. Обсуждаются процессы, протекающие в материале при совместном отжиге ZnS и CuCl, а также роль режимов отжига в формировании фаз CuS и Cu[2]S в ZnS. Показано, что путем варьирования скорости разогрева материала до температуры, при которой производится отжиг, можно управлять соотношением количества синих и зеленых центров свечения и концентрацией парамагнитных центров Mn{2+} в получаемом люминофоре. Доп.точки доступа: Головина, И. С.; Кицюк, Н. В. |
539.2 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Люминесценция нанопорошков термолегированного диоксида циркония [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, С. В. Оптасюк, Т. Е. Константинова, И. А. Даниленко // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 6. - С. 70-73. - Библиогр.: c. 73 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): белое излучение; дефекты; диоксид циркония; люминофоры; нанопорошки; термолегирование; термообработка; фотолюминесценция Аннотация: Исследована люминесценция нанопорошков тетрагонального диоксида циркония (ZrO[2]-4. 4 mol. %Y2O3) со средним размером частиц 15 nm, полученного совместным оcаждением гидроокиси азотнокислых солей. Установлено, что термооработка ZrO[2]-4. 4 mol. %Y[2]O[3] при температуре 800{o}C приводит к появлению фотолюминесценции (ФЛ) во всем видимом диапазоне. Термолегирование MnS и CuCl[2] материала, как и последующая его пассивация в атмосфере воздуха, приводит к перераспределению интенсивностей индивидуальных полос в спектре ФЛ ZrO[2]-4. 4 mol. %Y[2]O[3], что, вероятно, связано с изменениями дефектности в его подрешетке кислорода. Результаты показывают возможность использования 4. 4YZrO-2 : 1%MnS для создания наноразмерного люминофора белого излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/06/p70-73.pdf Доп.точки доступа: Оптасюк, С. В.; Константинова, Т. Е.; Даниленко, И. А. |
621.3 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Цветовые возможности люминофоров ZnS: (CuCl, Ga) в зависимости от очередности легирования CuCl и галлием [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, авт. Н. В. Кицюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 746-750 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): люминофоры -- легирующие примеси -- люминесцентные характеристики -- термолегирование -- ZnS -- CuCl -- Ga Аннотация: Исследовано влияние очередности введения легирующих примесей CuCl и Ga при термолегировании ZnS на люминесцентные характеристики получаемого люминофора. Рассмотрены процессы диффузии Ga и CuCl в ZnS, а также роль этих примесей в формировании излучательных центров в ZnS: (CuCl, Ga). Показано, что очередность введения этих примесей позволяет варьировать значения цветовых координат (X=0. 242-0. 351, Y=0. 555-0. 551) люминофора ZnS: (CuCl, Ga) и интенсивность полосы излучения с максимумом при 404 нм. Доп.точки доступа: Кицюк, Н. В. |
621.315.592 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Изменение характеристик оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6H-SiC под воздействием сверхвысокочастотной обработки [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, Р. В. Конакова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 888-892 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оксидные пленки -- сверхвысокочастотная обработка -- карбид кремния -- редкоземельные металлы Аннотация: Методами оптического поглощения и фотолюминесценции исследовано влияние сверхвысокочастотного (СВЧ) воздействия на свойства пленок оксидов Ti, Gd, Er, осажденных на карбиде кремния. Проведен анализ атомарного состава исследуемых пленок в зависимости от времени сверхвысокочастотной обработки. Показано, что сверхвысокочастотное воздействие приводит к появлению дополнительной полосы в спектрах фотолюминесценции исследуемых структур. Установлено, что длительная сверхвысокочастотная обработка приводит к росту коэффициента пропусания образцов, что является свидетельством улучшения интегральных характеристик структуры. Доп.точки доступа: Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Охрименко, О. Б.; Светличный, А. М.; Поляков, В. В. |
Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1473-1476 : ил. - Библиогр.: с. 1476 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- CdSe -- пористые пленки -- GaP -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- осаждение -- поверхностно активные вещества Аннотация: Исследованы свойства фотолюминесценции наноструктурированных частицами CdSe (d=2. 8 нм) пленок пористого GaP. Показано, что осаждение наночастиц CdSe на пленки пористого GaP приводит к сдвигу спектра фотолюминесценции наночастиц, покрытых поверхностно активным веществом, в коротковолновую область. Установлено, что нарушение целостности оболочки наночастиц CdSe из поверхностно активного вещества приводит к образованию, как минимум, двух фракций наночастиц с различными размерами. Данным фракциям соответствуют хорошо разрешенные полосы фотолюминесценции с максимумами 508 и 560 нм. Доп.точки доступа: Бачериков, Ю. Ю.; Охрименко, О. Б.; Оптасюк, С. В.; Яценко, Ю. И.; Кидалов, В. В.; Коломинская, Е. В.; Ваксман, Ю. Ф. |
Бачериков, Ю. Ю. Влияние скорости нарастания индукции на спектральные характеристики люминесценции ZnS : Mn при обработке его магнитным полем [Текст] / Ю. Ю. Бачериков // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1539-1543. - Библиогр.: с. 1543 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- обработка магнитным полем -- скорость индукции Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции и возбуждения люминесценции порошкообразного ZnS, термолегированного MnCl 4H[2]O или MnS, прошедшего серию обработок импульсным магнитным полем с одинаковой максимальной амплитудой индукции магнитного поля (B[max]=0. 3 T), но с разными величинами скорости ее нарастания B (t) до максимального значения. Обнаружен эффект нелинейного влияния на спектральные характеристики ZnS : Mn воздействия импульсных магнитных полей при разной скорости нарастания B. Обсуждаются процессы, протекающие в материале, которые способны привести к изменению его спектральных характеристик вследствие проявления магнитопластического эффекта, а также влияние параметра B (t) магнитного поля на эффективность внешнего воздействия. Показано, что варьирование значения параметра B (t) позволяет управлять локализацией дефектов в ближайшем окружении Mn{2+} в ZnS по окончании обработки материала в магнитном поле. Представлены механизмы, объясняющие причины разного влияния на систему энергетически одинаковых внешних возмущений. |
621.315.592 С 873 Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 198-203 : ил. - Библиогр.: с. 202 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные превращения -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- рентгеновская дифракция -- термический отжиг -- термоотжиг -- отжиг -- сульфид цинка -- ZnS -- высокотемпературный синтез -- шихта -- температура отжига -- парамагнитные центры -- синтез Аннотация: Исследовано влияние отжига при 800 °C на спектры фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции порошкообразного ZnS: Cu, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из шихты, содержащей Zn, S и CuCl. Показано, что вариация скорости нагрева материала до температуры отжига приводит к немонотонному изменению спектрального положения и ширины на полувысоте полосы фотолюминесценции в сине-зеленой области спектра, а также концентрации парамагнитных центров Mn{2+}. Установлено, что после синтеза в порошке присутствуют кубическая и гексагональная фазы ZnS, а также фазы ZnO и CuZn. Показано, что отжиг полученного порошка при 800 °C приводит к протеканию трех процессов: преобразованию гексагональной фазы ZnS в кубическую, окислению ZnS и CuZn, а также диффузии Cu в объем микрокристаллов ZnS из фазы CuZn. Предложена модель, объясняющая наблюдающиеся изменения в спектрах люминесценции и электронного парамагнитного резонанса протеканием процессов диффузии примесей Cu и Mn в объем микрокристаллов, в частности из фазы CuZn, а также их акккумуляцией на протяженных дефектах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p198-203.pdf Доп.точки доступа: Бачериков, Ю. Ю.; Корсунская, Н. Е.; Кладько, В. П.; Венгер, Е. Ф.; Баран, Н. П.; Кучук, А. В.; Жук, А. Г. |
535.37 Р 243 Распределение наночастиц CdSe, синтезированных в пористой матрице SiO[x] [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1235-1240 : ил. - Библиогр.: с. 1239 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- химический метод -- водные растворы -- пористые слои -- локализация наночастиц -- излучательные характеристики -- структуры -- поверхностно-активные вещества -- ПАВ -- CdSe Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции наночастиц CdSe, синтезированных химическим методом из водного раствора, в зависимости от локализации наночастиц по глубине в пористом слое SiO[x], представляющем собой набор из четких колонн SiO[x] с диаметром ~ (10-100) нм. На основании анализа излучательных характеристик данной структуры установлено, что распределение фракций наночастиц, имеющих разный размер, по глубине нанокомпозитного слоя различно. Рассмотрена модель, объясняющая причины такого распределения. В рамках этой модели проведены оценочные расчеты величины параметра, определяющего понятие "ограниченной геометрии" для данных условий формирования наночастиц CdSe в матрице SiO[x]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1235-1240.pdf Доп.точки доступа: Бачериков, Ю. Ю.; Индутный, И. З.; Охрименко, О. Б.; Оптасюк, С. В.; Шепелявый, П. Е.; Пономаренко, В. В. |
536.42 О-754 Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига / Н. Е. Корсунская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 702-709 : ил. - Библиогр.: с. 708-709 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): микрокристаллы -- порошкообразные смеси -- высокотемпературный синтез -- самораспространяющийся высокотемпературный синтез -- люминесценция -- электронный парамагнитный резонанс -- рентгеновская дифракция -- гексагональные фазы -- марганец -- примеси -- нанокристаллы -- термический отжиг -- ионы марганца -- рентгеновское излучение -- спектры волн Аннотация: Методами люминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции исследованы особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и последующего отжига. Полученный порошок представляет собой микрокристаллы ZnS преимущественно гексагональной фазы, (80±5) %. Установлено, что после синтеза Mn присутствует не только в виде неравномерно распределенной примеси в микрокристаллах ZnS, но также в виде нанокристаллов металлического Mn. Термический отжиг при 800 °С приводит к дополнительному легированию ZnS из металлического Mn, перераспределению внедренного Mn по объему микрокристаллов, а также к окислению ZnS. В то же время соотношение кубической и гексагональной фаз не изменяется. Показано, что отжиг вызывает уменьшение концентрации дефектов, ответственных за полосы возбуждения люминесценции, соответствующие переходам из основного в возбужденные состояния иона Mn{2+}. В результате отжига происходит также изменение размера области когерентного рассеяния рентгеновского излучения и интенсивности пиков в спектре возбуждения люминесценции с длинами волн 375 и 395 нм. Обсуждаются причины этих изменений и природа соответствующих полос. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p702-709.pdf Доп.точки доступа: Корсунская, Н. Е.; Бачериков, Ю. Ю.; Стара, Т. Р.; Кладько, В. П.; Баран, Н. П.; Полищук, Ю. О.; Кучук, А. В.; Жук, А. Г.; Венгер, Е. Ф. |
539.2 Х 200 Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции / Н. И. Березовская [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1055-1058 : ил. - Библиогр.: с. 1057 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностные дефекты -- спектры поглощения -- фотолюминесценция -- атомно-силовая микроскопия -- оптическое поглощение -- спектроскопия -- анодное травление -- пористый карбид кремния -- SiC Аннотация: Представлены результаты исследований методами атомно-силовой микроскопии, спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции пористого карбида кремния, созданного методом анодного травления. Анализ полученных данных указывает на отсутствие в пористом слое фазы кубического SiC, а появление фотолюминесценции por-SiC при энергии возбуждающего излучения hnu[ex] меньше или равно q E[g] обусловлено образованием центров излучения, связанных с атомами примеси и поверхностными дефектами, возникающими при анодном травлении образца и последующей обработке, вскрывающей поры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1055-1058.pdf Доп.точки доступа: Березовская, Н. И.; Бачериков, Ю. Ю.; Конакова, Р. В.; Охрименко, О. Б.; Литвин, О. С.; Линец, Л. Г.; Светличный, А. М.; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины (Киев); Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ); Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ) |