Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 10. - С. 74-82. - Библиогр.: c. ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- эквивалентные схемы замещения -- p-n-переходы -- эпитаксиальный кремний -- электронное облучение -- высокоэнергетичные электроны -- флюенсы электронов -- электрические потери -- схемы замещения -- радиационные дефекты -- дефекты с глубокими уровнями Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0. 01Omega cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3. 5 MeV) электронами флюенсами от 5*10{15} до 2*10{16} cm{-2}. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tg delta от частоты переменного тока f в диапазоне 10{2}-3 10{7} Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |