Об "избыточных" точках утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 680-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n-переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- 4H-SiC -- термоэлектронная эмиссия -- монополярная инжекция -- инжекция -- ток, ограниченный пространственным зарядом -- ТОПЗ -- полное заполнение ловушек -- ПЗЛ -- ловушки Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Серебренникова, О. Ю. |