Горбацевич, А. А. Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе [Текст] / А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып: вып. 2. - С. 338-353. - Библиогр.: с. 352-353 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): открытые квантовые системы -- квантовые системы -- резонансы -- нарушение симметрии -- симметрия -- системы -- полупроводниковые гетероструктуры -- коллапс резонансов Аннотация: Рассматривается коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе. Доп.точки доступа: Журавлев, М. Н.; Капаев, В. В. |
Сафонов, К. Л. Критерий перехода когерентных нанокластеров Ge на Si от пирамидальной к куполообразной форме [Текст] / К. Л. Сафонов, Ю. В. Трушин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 23. - С. 7-12 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): когерентные нанокластеры -- полупроводниковые гетероструктуры -- молекулярная эпитаксия Аннотация: Предложен физический критерий изменения равновесной формы упругонапряженных нанокластеров Ge, растущих на поверхности подложки кремния в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии. Сделана оценка критического размера пирамидальных кластеров, проведено сравнение с доступными в литературе экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Трушин, Ю. В. |
Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии). К солнечному веку [Текст] / Ж. И. Алферов ; Н. Метельская // Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С. 75-79
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): интервью -- ученые -- нобелевские лауреаты -- научные исследования -- физические науки -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры -- наукоемкие отрасли промышленности -- человеческий потенциал Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской. Доп.точки доступа: Метельская, Н. \.\ |
Алферов, Ж. И. Нанотехнологии микроэлектроники и энергетики [Текст] : доклад академика РАН Ж. И. Алферова / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 224-229 : 7 рис. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Энергетика Металлокерамические материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры полупроводниковые -- доклады -- микроэлектроника -- наноматериалы -- наноструктуры -- нанотехнологии -- наноэлектроника -- научные сессии -- полупроводниковые гетероструктуры -- сессии научные -- энергосбережение Аннотация: Приведен текст доклада академика РАН Ж. И. Алферова, посвященный нанотехнологиям и наноматериалам. Доп.точки доступа: Российская академия наук; РАН |
Никифоров, С. Г. Фотометрический метод исследования полупроводниковых гетероструктур [Текст] / С. Г. Никифоров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 1. - С. 28-33. - Библиогр.: с. 33 (12 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): фотометрический метод -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- светоизлучающие диоды -- деградация структур -- излучающие гетероструктуры -- деградация гетероструктур -- пространственное распределение силы света -- гониофотометрический метод -- термоультразвуковая приварка -- контактные полупроводники -- светодиоды -- сила света -- измерение светового потока Аннотация: Рассмотрены проблемы диагностики параметров светоизлучающих диодов. |
Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса [Текст] / О. В. Кучерова [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 3. - С. 24-28. - Библиогр.: с. 28 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Спектроскопия Техника Материаловедение Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): неразрушающая диагностика -- наногетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- квантовые ямы -- температурная спектроскопия -- спектроскопия адмиттанса -- адмиттансная спектроскопия -- низкотемпературная спектроскопия -- электронные спектры -- полупроводниковые гетероструктуры -- светодиодные гетероструктуры -- аппаратно-программные комплексы -- адмиттансные методы -- измерения адмиттанса Аннотация: На основе разработанного комплекса низкотемпературной спектроскопии адмиттанса приведены исследования электронного спектра полупроводниковых светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. Доп.точки доступа: Кучерова, О. В.; Зубков, В. И.; Цвелев, Е. О.; Яковлев, И. Н.; Соломонов, А. В. |
Васильев, Ю. Б. Механизм фотоэлектромагнитного эффекта в двумерных системах в квантующих магнитных полях [Текст] / Ю. Б. Васильев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101-102 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектромагнитные эффекты -- фотоэлектронные эффекты -- терагерцовые фотоэлектронные эффекты -- механизм фотоэлектромагнитного эффекта -- двумерные системы -- магнитные поля -- квантующие магнитные поля -- фототоки -- терагерцовые фототоки -- особенности фототоков -- квантовые ямы -- двойные ямы -- InAs -- GaAs -- наклонное магнитное поле -- гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- поглощение излучения -- индуцированные фототоки -- фотоприемники -- терагерцовые фотоприемники -- чувствительные терагерцовые фотоприемники -- асимметричные гетероструктуры -- уровни Ландау -- Ландау уровни Аннотация: Рассматривается новый механизм терагерцового фотоэлектронного эффекта, позволяющий объяснить особенности обнаруженных ранее терагерцовых фототоков в асимметричных квантовых ямах InAs и в двойных ямах GaAs в наклонном магнитном поле. Показано, что в асимметричных полупроводниковых гетероструктурах в наклонном магнитном поле при поглощении излучения на переходах между уровнями Ландау индуцированный фототок является краевым. Предлагается новая концепция создания чувствительных терагерцовых фотоприемников на основе асимметричных гетероструктур. |
Кукушкин, В. А. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 7-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразования -- безынверсные лазеры -- лазеры -- инфракрасные лазеры -- инфракрасные излучатели -- терагерцевые диапазоны -- наногетероструктуры -- квантовые ямы -- электромагнитные излучения -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- импульсные режимы -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые усилители Аннотация: Предложен и рассчитан вариант активной среды, способной обеспечить безынверсное частотноперестраиваемое усиление или генерацию электромагнитного излучения в дальнем инфракрасном и терагерцовом диапазоне. Он основан на сравнительно простой полупроводниковой наногетероструктуре с квантовыми ямами, которая способна работать при комнатной температуре (в импульсном режиме) и обеспечивать изменение рабочей частоты основанного на ней усилителя или генератора в несколько раз в результате изменения интенсивности накачивающего излучения. Такой усилитель или генератор (лазер) может стать удобным, дешевым и компактным перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения для многочисленных технических, а также медицинских применений. |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 537-541
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G. Доп.точки доступа: Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З. |
Кукушкин, В. А. Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 109-113 : ил. - Библиогр.: с. 113 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- волноведущие гетероструктуры -- инфракрасные импульсы -- ИК импульсы -- терагерцовые импульсы -- ТГц импульсы -- конверсия -- эффективная конверсия -- двухфотонные поглощения -- 2ФП -- трехфотонные поглощения -- 3ФП -- оптические выпрямления -- волноводы -- C/GaAs/C -- дисперсия групповой скорости -- ДГС -- диэлектрическая проницаемость -- квадратичная нелинейность -- нелинейность Аннотация: Показано, что применение волноведущей полупроводниковой гетероструктуры позволяет существенно увеличить степень конверсии мощного инфракрасного импульса в терагерцовый в процессе оптического выпрямления первого в среде с квадратичной нелинейностью диэлектрической проницаемости. На примере волноведущей гетероструктуры C/GaAs/C определены оптимальные параметры как самой структуры, так и инфракрасного импульса, а также вычислены длительность и форма выходного терагерцового импульса. |
Использование кластерных вторичных ионов Ge[2-], Ge[3-] для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 418-421 : ил. - Библиогр.: с. 421 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные вторичные ионы -- Ge[2-] -- Ge[3-] -- послойный элементный анализ -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- GeSi/Si -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- оптические профилометры -- Talysurf CCI-2000 -- TOF. SIMS-5 -- шероховатости -- ионное распыление -- аппаратурные эффекты -- установки ВИМС Аннотация: Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs{+} для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1-1. 5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge[2-] и Ge[3-] вместо Ge[1-] и Ge{+} позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях. Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Юрасов, Д. В. |
621.371.8 А 535 Алферов, Ж. И. Полупроводниковые лазеры и нанотехнологии [Текст] : доклад академика Ж. И. Алферова / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 488-495 : 8 рис. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- доклады -- лазеры -- нанотехнологии -- научные открытия -- полупроводники -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры Аннотация: Приведен текст доклада академика РАН Ж. И. Алферова, посвященный полупроводниковым лазерам и нанотехнологиям. |
539.21:537 М 513 Меньшов, В. Н. Спиновое упорядочение в полупроводниковых гетероструктурах с ферромагнитными дельта-слоями [Текст] / В. Н. Меньшов, авт. В. В. Тугушев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 6. - С. 1178-1191. - Библиогр.: с. 1191 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- упорядочение -- полупроводниковые гетероструктуры -- спиновое упорядочение -- ферромагнитные дельта-слои -- магнитные свойства слоев -- слои магнитных металлов Аннотация: Проведено теоретическое исследование магнитных свойств дельта-слоя магнитного металла, помещенного в матрицу немагнитного невырожденного полупроводника. Доп.точки доступа: Тугушев, В. В. |
530.1 Д 534 Дмитриев, А. И. Электронный спиновый резонанс в гетероструктурах InGaAs/GaAs с дельта-слоем марганца [Текст] / А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 2. - С. 367-377. - Библиогр.: с. 376-377 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный спиновый резонанс -- спиновый резонанс -- гетероструктуры -- двумерные полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводники -- квантовые ямы -- тонкий слой марганца -- марганец -- магнитные свойства -- фотолюминесценция -- полупроводниковые гетероструктуры Аннотация: Исследованы статистические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (дельта-слой). Доп.точки доступа: Моргунов, Р. Б.; Зайцев, С. В. |
539.2 Р 397 Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями [Текст] / Т. Б. Попова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 263-267 : ил. - Библиогр.: с. 267 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- наноразмерные слои -- рентгеноструктурный микроанализ -- квантовые ямы -- InGaAs -- ZnCdSe Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p263-267.pdf Доп.точки доступа: Попова, Т. Б.; Бакалейников, Л. А.; Флегонтова, Е. Ю.; Шахмин, А. А.; Заморянская, М. В. |
621.315.592 Т 415 Тимофеев, В. Б. Бозе-конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах [Текст] / В. Б. Тимофеев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 865-883 : ил. - Библиогр.: с. 882-883 (74 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экситонные поляритоны -- поляритоны -- микрорезонаторы -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- бозе-эйнштейновский конденсат -- БЭК -- резонансное возбуждение -- конденсация поляритонов -- бозе-конденсация Аннотация: Обсуждаются современные достижения в области исследований экситонных поляритонов в полупроводниковых гетероструктурах в микрорезонаторах и их коллективные свойства в условиях бозе-конденсации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p865-883.pdf |
539.2 М 597 Микролазер с глубоко протравленными распределенными брэгговскими отражателями [Текст] / Е. М. Аракчеева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 3. - С. 361-363. - Библиогр.: с. 363 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): микролазеры -- полупроводниковые гетероструктуры -- технология получения полупроводниковых структур -- одномерные фотонные структуры Аннотация: Разработана технология получения полупроводниковых одномерных фотонных структур. Доп.точки доступа: Аракчеева, Е. М.; Максимов, М. В.; Танклевская, Е. М.; Гуревич, С. А. |
537 К 592 Козлов, В. А. Терагерцевая отрицательная проводимость гетероструктурных барьеров при баллистическом транспорте горячих электронов [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус, А. В. Николаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 114-117. - Библиогр.: с. 117 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): транспорт горячих электронов -- полупроводниковые гетероструктуры -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- механизмы динамической ОДП -- математическое моделирование Аннотация: Проведено теоретическое рассмотрение механизма получения терагерцевой отрицательной проводимости на пролетных эффектах при баллистическом транспорте горячих носителей в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах. Доп.точки доступа: Вербус, В. А.; Николаев, А. В. |
537.533/.534 Д 250 Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт / А. В. Германенко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1586-1590 : ил. - Библиогр.: с. 1589-1590 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- результаты исследований -- магнитосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- теллурид ртути -- двумерные полуметаллы -- 2D полуметаллы -- полевые электроды -- энергетические спектры -- электроны -- дырки -- экспериментальные данные -- размерное квантование -- дисперсия -- носители заряда Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20. 2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной kp-модели. The results of experimental study of the magnetoresistivity, the Hall and Shubnikov-de Haas effects for the heterostructure with HgTe quantum well of 20. 2 nm width are reported. The measurements were performed on the gated samples over the wide range of electron and hole densities. Analyzing the data we conclude that the energy spectrum for charge carriers is drastically different from that calculated in the framework of k p-model. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1586-1590.pdf Доп.точки доступа: Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шестобитов, А. А.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |