543 Г 29 Гейдаров, Б. А. Химичексий анализ промежуточных продуктов при получении GaS, GaSe с участием йода [Текст] / Б. А. Гейдаров // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 110-111 . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Аналитическая химия Кл.слова (ненормированные): промежуточные продукты; галлий; селен; сера; химический анализ; йод Аннотация: Работа посвящена исследованию промежуточных продуктов GaS, GaSe с применением йода. |
541.1 Д 403 Джахангирли, З. А. Расчет электронной структуры вакансий в GaSe методом функции Грина [Текст] / З. А. Джахангирли, авт. М. А. Мехрабова // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 11. - С. 8-12. - Библиогр.: с. 12 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): антирезонансы (химия); Грина функция; локализованные орбитали; резонансы (химия); функция Грина; электронная структура вакансий в GaSe Аннотация: На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в GaSe. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в кристалле GaSe с вакансией Ga и Se. Доп.точки доступа: Мехрабова, М. А. |
535 К 999 Кязым-заде, А. Г. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe [Текст] / А. Г. Кязым-заде, А. А. Агаева, В. М. Салманов, А. Г. Мохтари // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 12. - С. 80-82. - Библиогр.: c. 82 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): детекторы оптического излучения; лазерное излучение; селенид галлия; селенид индия; слоистые кристаллы Аннотация: На основе кристаллов GaSe и InSe разработаны быстродействующие неохлаждаемые детекторы оптического излучения, позволяющие регистрировать ультракороткие (10{-9}-10{-12} s) лазерные импульсы в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. Показано, что малая инерционность этих приемников обусловлена наличием в указанных кристаллах быстрых каналов рекомбинации с большим сечением захвата. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/12/p80-82.pdf Доп.точки доступа: Агаева, А. А.; Салманов, В. М.; Мохтари, А. Г. |
539.2 С 773 Старухин, А. Н. Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып. 5. - С. 291-295 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- GaSe -- экситонное излучение -- резонансное возбуждение -- антипересечение уровней Аннотация: На примере триплетных связанных экситонов в селениде галлия исследована временная зависимость сигнала антипересечения зеемановских подуровней экситонов в условиях резонансного возбуждения. Обнаружено, что форма сигнала антипересечения меняется в течение времени жизни возбужденного состояния, при этом временная зависимость сигнала антипересечения при резонанасном возбуждении экситонных состояний существенно отличается от соответствующей зависимости, наблюдаемой в условиях межзонного возбуждения люминесценции. Предложено теоретическое описание наблюдаемых эффектов. Доп.точки доступа: Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С. |
621.373.826 В 170 Ванг, Т.-Дж.. Твердые растворы GaSe[1-х]S[х] [Текст] / Т.-Дж. Ванг, Дж.-Ю. Гао [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 6. - С. 35-40. - Библиогр.: c. 40 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Техническая физика Кл.слова (ненормированные): кристаллы (физика) -- легированные кристаллы -- лучевая стойкость кристаллов -- твердые растворы GaSe[1-х]S[х] -- чистые кристаллы Аннотация: Представлены наиболее вероятные параметры чистых, легированных и смешанных кристаллов (твердых растворов) GaSe[1-х]S[х], х <0, 4, результаты исследования их кристаллической структуры и дефектов, оптических и механических свойств, а также лучевой стойкости. Доп.точки доступа: Гао, Дж.-Ю.; Андреев, Ю. М.; Березная, С. А.; Копылова, Т. Н.; Коротченко, З. В.; Ланский, Г. В.; Малиновская, Т. Д.; Морозов, А. Н.; Саркисов, С. Ю. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 312-317 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- селенид галлия -- оксиды -- буферный слой -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- излучательные свойства -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga[2]O[3] толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода V[oc] более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда V[oc] значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga[2]O[3] специально не выращивался. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.3 К 563 Ковалюк, З. Д. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO-GaSe [Текст] / З. Д. Ковалюк, П. Г. Литовченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 570-574 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры ITO-GaSe -- ITO-GaSe -- фотоэлектрические параметры -- нейтронное облучение -- быстрые нейтроны Аннотация: Исследовано влияние быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ на фотоэлектрические параметры гетероструктур ITO-GaSe. Показано, что наблюдаемые изменения вольт-амперных характеристик обусловлены действием проникающего излучения на обе компоненты структуры, с чем связан рост сопротивления гетероструктур. Наличие тонкой структуры экситона в спектрах фоточувствительности после облучения показывает, что, несмотря на внесенные радиационные дефекты, GaSe сохраняет структурное совершенство. Полученные результаты объясняются пространственным перераспределением легирующей примеси в GaSe и структурными изменениями в пленках ITO. Доп.точки доступа: Литовченко, П. Г.; Политанская, О. А.; Сидор, О. Н.; Катеринчук, В. Н.; Ластовецкий, В. Ф.; Литовченко, О. П.; Дубовой, В. К.; Поливцев, Л. А. |
Гейдаров, Б. А. Электрические свойства GaSe, полученного косвенным методом из газовой фазы [Текст] / Б. А. Гейдаров // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 10. - С. 1618-1620 : рис. - Библиогр.: с. 1620 (5 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- рентгенограммы -- полупроводники -- газотранспортные реакции -- электропроводность -- электрические свойства Аннотация: Разработан косвенный метод синтеза GaSe, получены его монокристаллы из газовой фазы и изучены их некоторые электрофизические свойства. |
Алиев, И. Г. Фазовая диаграмма системы GaS-GaSe-GaTe [Текст] / И. Г. Алиев // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 11. - С. 1917-1922 : рис. - Библиогр.: с. 1922 (10 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): халькогенидные системы -- разрезы -- ликвидусы -- области гомогенности -- твердые растворы -- изотермические сечения Аннотация: Исследована диаграмма состояния указанной системы. |
Оптические свойства нелинейных кристаллов твердых растворов GaSe[1-x]S[x], 0 x 0, 4{1} [Текст] / Ш.-А. Ку [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 80-85. - Библиогр.: c. 85 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): дисперсионные уравнения для кристаллов твердых растворов GaSe[1-x]S[x], 0 x 0, 4{1}. -- кристаллы твердых растворов GaSe[1-x]S[x], 0 x 0, 4{1}. -- оптические свойства нелинейных кристаллов -- фазовый синхронизм для генерации второй гармоники в кристаллах твердых растворов Аннотация: Экспериментально исследованы спектры прозрачности и условия фазового синхронизма для генерации второй гармоники в кристаллах твердых растворов GaSe[1-x]S[x], 0< x< 0, 4{1}. Предложен алгоритм и разработаны дисперсионные уравнения, позволяющие оценить углы фазового синхронизма как функцию отношения смешения х, в наибольшей степени соответствующие полученным экспериментальным значениям. Доп.точки доступа: Ш.-А. Ку; Ч.-В. Лье; С.-Л. Лью; К.-С. Ву; Д.-И. Джуанг; Потекаев, А. И.; Толбанов, О. П.; Саркисов, С. Ю.; Андреев, Ю. М.; Ланский, Г. В. |
Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12. 5 МэВ [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1321-1326
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слоистые полупроводники -- InSe -- GaSe -- облучение электронами -- фотопреобразователи Аннотация: Исследовано влияние высокоэнергетических электронов (E=12. 5 МэВ) на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe и p-GaSe-n-InSe. Обнаруженные изменения вольт-амперных характеристик, спектров фотоотклика, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания структур обусловлены образованием точечных дефектов. Отсутствие особых изменений характеристик исследуемых гомо- и гетеропереходов даже при максимальной дозе облучения позволяет рекомендовать их для создания радиационно стойких фотодетекторов. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Политанская, О. А.; Сидор, О. Н.; Маслюк, В. Т. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения [Текст] / А. Г. Кязым-заде [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 306-309 : ил. - Библиогр.: с. 309 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- ФП -- кристаллы -- GaSe -- люминесценция -- слоистые кристаллы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотопроводимости -- спектры фотолюминесценции -- оптическое возбуждение -- оптическое поглощение -- нелинейное оптическое поглощение -- экситонный резонанс -- спектры люминесценции -- экспериментальные исследования Аннотация: Экспериментально исследована фотопроводимость и люминесценция в слоистых кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. Наблюдаемые особенности спектров фотопроводимости и люминесценции определяются нелинейным оптическим поглощением в области экситонного резонанса. Доп.точки доступа: Кязым-заде, А. Г.; Салманов, В. М.; Салманова, А. А.; Алиева, А. М.; Ибаева, Р. З. |
Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe: Te [Текст] / С. Ю. Саркисов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 21-26. - Библиогр.: c. 26 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): выращивание кристаллов -- монокристаллы -- селенид галлия -- электронная микроскопия -- эллипсометрия Аннотация: Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe: Te методом Бриджмена - Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца - Друде. Доп.точки доступа: Саркисов, С. Ю.; Атучин, В. В.; Гаврилова, Т. А.; Кручинин, В. Н.; Березная, С. А.; Коротченко, З. В.; Толбанов, О. П.; Чернышов, А. И. |
Генерация второй гармоники при накачке кристаллов GaSe и GaSe[0, 7]S[0, 3] излучением импульсного СО[2]-лазера на длине волны 10, 6 мкм [Текст] / С. А. Березная [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 65-70. - Библиогр.: c. 70 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): генерация второй гармоники в кристаллах -- генерация лазеров -- кристаллы селенида галлия -- нелинейная оптика -- нелинейные кристаллы -- порог оптического пробоя Аннотация: Представлены теоретические оценки и экспериментальные результаты исследования генерации второй гармоники в нелинейных кристаллах GaSe и GaSe: S при возбуждении СО[2]-лазером, работающим на длине волны 10, 6 мкм. Измеренные максимальная мощность излучения на второй гармонике и эффективность преобразования по мощности для кристаллов GaSe составили 8 кВт и 0, 51% соответственно. Доп.точки доступа: Березная, С. А.; Генин, Д. Е.; Коротченко, З. В.; Панченко, А. Н.; Саркисов, С. Ю.; Ситников, А. Г.; Тарасенко, В. Ф.; Тельминов, А. Е. |
Фазовый синхронизм для генерации второй гармоники в кристаллах GaSe [Текст] / Л. -Л. Чу [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 12. - С. 13-20. - Библиогр.: c. 19-20 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): генерация второй гармоники -- дисперсионные уравнения -- кристаллы GaSe -- нелинейная оптика -- фазовый синхронизм Аннотация: Детально исследованы условия фазового синхронизма для генерации второй гармоники в нелинейных оптических кристаллах GaSe при комнатной температуре. Наиболее достоверная система дисперсионных уравнений идентифицирована путем сравнения расчетных данных по всем известным системам дисперсионных уравнений и полученных экспериментальных данных по условиям фазового синхронизма для генерации второй гармоники. Доп.точки доступа: Чу, Л. -Л.; Жанг, И. -Ф.; Кан, Ж. -Х.; Джиан, Ю.; Гао, Д. -Ю.; Андреев, Ю. М.; Винник, Е. М.; Зуев, В. В.; Кох, К. А.; Ланский, Г. В.; Морозов, А. Н.; Шайдуко, А. В. |
Одринский, А. П. Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe [Текст] / А. П. Одринский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 883-885 : ил. - Библиогр.: с. 885 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия -- PICTS -- метод фотоэлектрической релаксационной спектроскопии -- слоистые кристаллы -- кристаллы -- высокоомные монокристаллы -- p-GaSe -- дефекты -- протяженные дефекты -- ловушки -- энергия термоактивации -- галлий Аннотация: Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0. 13, 0. 39 и 0. 53 эВ. Проводится обсуждение их природы. |
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1046-1049 : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Доп.точки доступа: Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А. |
Брудный, В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1194-1202 : ил. - Библиогр.: с. 1201-1202 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронейтральность -- электронные свойства -- структурные параметры решетки -- электронные спектры GaSe -- гидростатическое сжатие -- напряжение растяжения -- межзонные переходы -- гидростатическое давление -- давление -- энергетические диаграммы -- межфазные границы -- GaSe Аннотация: Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL E[v]+0. 8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Саркисов, С. Ю. |
621.315.592 Т 327 Температурная зависимость подвижности носителей заряда в чистых и легированных гадолинием кристаллах p-GaSe [Текст] / А. Ш. Абдинов [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 6. - С. 649-653 : 3 рис. - Библиогр.: с. 652-653 (17 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): удельное сопротивление -- концентрация -- легирование -- галий -- гадолиний Аннотация: Исследована температурная зависимость подвижности носителей заряда (мю) в чистых и легированных гадолинием кристаллах p-GaSe. Доп.точки доступа: Абдинов, А. Ш.; Бабаева, Р. Ф.; Рзаев, Р. М.; Амирова, С. И. |