Иванов, В. А. Излучательные и фотоэлектрические свойства монокристаллов CuInS[2] [Текст] / В. А. Иванов, И. А. Викторов, В. Ф. Гременок // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N9. - Библиогр.: с.135 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): рекомбинация -- фотолюминесценция -- фотопроводимость -- халькоперит Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции и фотопроводимости при температурах 80 и 300 K монокристаллов CuInS[2], полученных методом Бриджмена. Установлено, что спектр фоточувствительности находится в области коротковолновой спектральной полосы фотолюминесценции. Из ватт-амперных характеристик фотопроводимости установлен линейный механизм рекомбинации неосновных носителей заряда в температурном интервале 80-300 K при уровне освещения до 100 mW/cm{2} Доп.точки доступа: Викторов, И.А.; Гременок, В.Ф. |
Карпович, И. А. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности [Текст] / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, Б. Н. Звонков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.66 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- фотопроводимость Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd Доп.точки доступа: Тихов, С.В.; Шоболов, Е.Л.; Звонков, Б.Н. |
539.2 Б 898 Брюшинин, М. А. Нелинейное взаимодействие бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости в кристалле Bi[12]SiO[20] [Текст] / М. А. Брюшинин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 66 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бегущие решетки -- нелинейные взаимодействия -- объемные заряды -- фотопроводимость -- фоторефрактивные кристаллы Аннотация: Экспериментально исследуется эффект нелинейного взаимодействия бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости. Для наблюдения этого эффекта кристалл с приложенным постоянным электрическим полем освещается колеблющейся интерференционной картиной с пространственной частотой K и частотой колебаний omega. К образцу прикладывается также переменное электрическое поле с частотой Omega. При определенном выборе частот omega и Omega в кристалле происходит совместное возбуждение и взаимодействие двух собственных типов колебаний: решетки объемного заряда, бегущей со скоростью |omega-Omega|/K, и решетки фотопроводимости, бегущей со скоростью -omega/K. Исследования эффекта проведены с помощью метода нестационарной фотоэдс в фоторефрактивном кристалле Bi[12]SiO[20]. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-62.html.ru |
537.568 П 820 Просанов, И. Ю. Исследование рекомбинационных процессов в оксиде цинка при стационарном фотовозбуждении [Текст] / И. Ю. Просанов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.74 (12 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- оксид цинка -- рекомбинация -- фотопроводимость Аннотация: Предложена модель рекомбинационных процессов в порошках оксида цинка при стационарном фотовозбуждении невысокой интенсивности. Согласно этой модели, рекомбинация протекает через систему локальных уровней в запрещенной зоне, лежащих ниже уровня Ферми в неосвещенном образце. Концентрация неравновесных электронов в зоне проводимости растет пропорционально квадратному корню из интенсивности возбуждения, а концентрация дырок в валентной зоне пропорциональна интенсивности возбуждения. На основе предложенной модели удается объяснить люкс-амперную зависимость фотопроводимости, люкс-люксовую зависимость люминесценции и некоторые фотокаталитические свойства оксида цинка Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |
535 К 930 Курдиани Н.И (???? 1). Особености фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hvEg [Текст] / Курдиани Н.И, Н. К. Метревели, Л. Г. Хавтаси, Н. Н. Чиковани // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): окись хрома -- спектр hvEg -- теория Де-Вора -- токовая фоточуствительность -- фотопроводимость Аннотация: Исследована фотоповодимость полуизолирующего GaAs, компенсированного окисью хрома. Показано, что после соответствующей термообработки токовая фоточуствительность образца в области энергий квантов, превышающих ширину запрещенной зоны, достигает больших значений, что не согласуется с теорией Де-Вора. Эти большие значения связываются со снижением скорости поверхностной рекомбинации из-за присутствия кислорода в i-GaAs.Высокая тонкая фоточувствительность простирается до спектральной области. Исследовано влияние облучения кристаллов частицами высоких энергий на спектральное распределение фотопроводимости в области энергий фотонов hv>Eg. Показано, что облучение электронами и квантами приводит к увеличению фототока. Облучение нейтронами обусловливает уменьшение фототока в коротковолновой области спектра согласно теории Де-Вора Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Метревели, Н.К.; Хавтаси, Л.Г.; Чиковани, Н.Н. |
537.568 П 820 Просанов, И. Ю. (???? 1). Исследование рекомбинационных процессов в оксиде цинка при импульсном возбуждении [Текст] / И. Ю. Просанов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N7. - Библиогр.: 6 назв . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- оксид цинка -- фотопроводимость Аннотация: Представлены результаты экспериментального изучения люминесценции и СВЧ-фотопроводимости при импульсном фотовозбуждении оксида цинка. Предложена модель рекомбинационных процессов, объясняющая различие кинетических зависимостей затухания люминесценции и фотопроводимости. Полученные результаты указывают на то, что зеленая люминесценция в ZnO возникает при рекомбинации электрона из зоны проводимости и дырки, захваченной на центре люминесценции Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
539.2 П 487 Покровский, Я. Е. Прыжковая фотопроводимость легированного кремния в микроволновом электрическом поле [Текст] / Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N9. - Библиогр.:с.1128 (18 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): микроволновое электрическое поле -- прыжковая фотопроводимость -- фотопроводимость -- фотопроводимость легированного кремния Аннотация: В кремнии легированном примесями B, Al,Ga,In, P,As, Sb в концентрациях 10{16}...10{18} см{-3} при низких (4.2 и 11 К) температурах исследована кинетика фотопроводимости (ФП) в 8- миллиметровом микроволновом электрическом поле при примесном импульсном фотовозбуждении. Установлено, что инфракрасное поглощение парами примесей и медленная компонента релаксации ФП возникают при близких концентрациях примесей. Показано, что эта компонента связана с поляризационной прыжковой фотопроводимостью, возникающей в результате оптической перезарядки примесных состояний при ионизации изолированных примесей, примесей в парах и диполей (пар ионов основной и компенсирующей примесей). Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Хвальковский, Н.А. |
539.2 Ш 38 Шегай, О. А. Фотопроводимость структур Si/Ge/SiO (x) и Si/Ge/Si с квантовыми точками германия [] / О. А. Шегай, А. Ю. Березовский, В. В. Ульянов, А. И. Никифоров // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; квантовые точки; кремний; латеральная фотопроводимость; межзонный свет; нанофотоника; оксид кремния; самоорганизующиеся квантовые точки; свет; ступенчатый рост; фотопроводимость Аннотация: Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si/Ge/Si и Si/Ge/SiO (x) с самаоорганизующимися квантовыми точками германия, когда наряду со ступенчатым ростом фотопроводимости наблюдается и ее ступенчатое уменьшение. Доп.точки доступа: Березовский, А. Ю.; Ульянов, В. В.; Никифоров, А. И. |
539.2 А 72 Антонов, А. В. Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом [] : А. В. Антонов [и др. ] / А. В. Антонов, В. Я. Алешкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 47-49. - Библиогр.: с. 49 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газы; германий; гетероструктуры; двумерный дырочный газ; дырочный газ; ИК-диапазон; кремний; легированные гетероструктуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; наноструктуры; селективно легированные гетероструктуры; сигналы; спектры; фотопроводимость; эпитаксия Аннотация: Представлены результаты исследований спектров латеральной фотопроводимости селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом. Обнаружено, что в спектрах фотопроводимости исследованных структур присутствуют два сигнала, имеющие различные знаки. Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Красильник, З. Ф; Новиков, А. В.; Ускова, Е. А.; Шалеев, М. В. |
539.2 А 39 Акимов, Б. А. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe (Ga [] / Б. А. Акимов, В. А. Богоявленский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 160-163. - Библиогр.: с. 163 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): валентность; галлий; легирование; нанофотоника; переменная валентность; пленки; рекомбинация; слои; теллур; фотопроводимость; цинк; эпитаксиальные пленки; эпитаксиальные слои Аннотация: Приведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe (Ga) , синтезированных методом "горячей стенки". Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях. Доп.точки доступа: Богоявленский, В. А.; Васильков, В. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
539.2 В 67 Волнянский, М. Д. Фотоиндуцированная диэлектрическая проницаемость в молибдате свинца [] / М. Д. Волнянский, А. Ю. Кудзин, С. Н. Пляка, З. Баласме // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1783-1787. - Библиогр.: с. 1787 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость; молибдат свинца; монокристаллы; низкочастотная проницаемость; освещение; свет; свинец; собственное поглощение; фотодиэлектрический эффект; фотоиндуцированная проницаемость; фотопроводимость Аннотация: Представлены результаты исследования влияния освещения на диэлектрические свойства монокристаллов молибдата свинца. Свет из области собственного поглощения приводит к значительному увеличению низкочастотной диэлектрической проницаемости (фотодиэлектрический эффект) . Доп.точки доступа: Кудзин, А. Ю.; Пляка, С. Н.; Баласме, З. |
539.2 Д 40 Джабуа, З. У. Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадмием и свинцом тонких пленок полуторного сульфида неодима [Текст] / З. У. Джабуа, Т. О. Дадиани [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1397-1401. - Библиогр.: с. 1401 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): легирование пленок; метод дискретного вакуумно-термического испарения; полуторные халькогениды; полуторный сульфид неодима; спектры отражения; спектры поглощения; сульфид неодима; тонкие пленки; фотопроводимость Аннотация: Разработана технология приготовления тонких кристаллических пленок Nd[2]S[3] гамма-формы методом дискретного вакуумно-термического испарения предварительно синтезированного объемного материала. Проведено легирование полученных пленок Cd и Pb. В области энергий фотонов 0. 2-0. 3 eV при 300 K измерены спектры отражения и прозрачности. Доп.точки доступа: Дадиани, Т. О.; Гигинеишвили, А. В.; Стаматели, М. Ю.; Давитадзе, К. Д.; Илуридзе, Г. Н. |
539.2 М 61 Минина, Н. Я. Релаксация низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Al[0. 5]Ga[0. 5]As : Be и глубокие ловушки вблизи гетерограницы [Текст] / Н. Я. Минина, Е. В. Богданов, А. А. Ильевский, В. Краак // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 11. - С. 2095-2098. - Библиогр.: с. 2098 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерограницы; гетероструктуры; глубокие донороподобные ловушки; глубокие ловушки; низкотемпературная отрицательная фотопроводимость; облучение; одноосное сжатие; отрицательная фотопроводимость; фотопроводимость Аннотация: В гетероструктурах p-GaAs/Al[0. 5]Ga[0. 5]As : Be исследована релаксация к темновому состоянию отрицательной фотопроводимости, возникающей при гелиевых температурах при облучении красным светом. Релаксационный процесс исследован при различных температурах в области существования отрицательной фотопроводимости (T < 6 K) и одноосном сжатии до 1. 7 kbar. Процессы релаксации количественно хорошо описываются в рамках модели, предполагающей наличие вблизи гетерограницы глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E[b]=2+-0. 3 meV. Доп.точки доступа: Богданов, Е. В.; Ильевский, А. А.; Краак, В. |
621.315.592 А 39 Акимов, Б. А. Новый тип высокочувствительных приемников излучения терагерцового диапазона [Текст] / Б. А. Акимов, Н. Б. Брандт, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2005. - N 1. - С. 59-64. - Библиогр.: c. 64 (19 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): терагерцовый диапазон; теллурид свинца; фотоприемник; фотопроводимость Аннотация: В обзоре представлены свойства легированных полупроводников на базе теллурида свинца, на основе которых возможно создание высокочувствительных фотонных приемников излучения терагерцового диапазона. Показано, что эти свойства позволяют создать фотоприемники с параметрами, существенно превосходящими лучшие мировые аналоги. Доп.точки доступа: Брандт, Н. Б.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
621.315.592 К 93 Курова, И. А. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок а-Si: Н, подвергнутых высокотемпературоному отжигу в водороде [Текст] / И. А. Курова, И. А. Курова, М. А. Нальгиева, Н. Н. Ормонт // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2005. - N 4. - С. 54-57. - Библиогр.: с. 57 (15 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость пленок; пленки а-Si: Н; термический отжиг; атмосфера водорода; прыжковый механизм; микрокристаллитная структура Аннотация: Обнаружена фотопроводимость пленок а-Si: Н, подвергнутых термическому отжигу в атмосфере водорода при температуре 560 С. В области низких температур темновая проводимость отжженных пленок определяется прыжковым механизмом с переменной длиной прыжка. Наличие прыжкового транспорта свидетельствует о высокой плотности состояний оборванных связей кремния. Показано, что пояфление фотопроводимости исследованных пленок после отжига может быть связано с образованием фоточувствительного слоя, имеющего микрокристаллитную структуру. Доп.точки доступа: Нальгиева, М. А.; Ормонт, Н. Н. |
530.1 С 79 Степина, Н. П. Фотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si [Текст] / Н. П. Степина, А. И. Якимов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 130, N 2. - С. 309-318. - Библиогр.: с. 318 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость; туннельно-связанные квантовые точки; германий; кремний; квантовые точки Аннотация: Исследование фотопроводимости по массиву туннельно-связанных квантовых точек германия в кремнии. Доп.точки доступа: Якимов, А. И.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Соболев, Н. А.; Лейтао, Д. П.; Кириенко, В. В.; Никифоров, А. И.; Коптев, Е. С.; Перейра, Л.; Кармо, М. С. |
621.315.592 В 65 Войцеховский, А. В. Исследование фотоэлектрических и рекомбинационных свойств эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ при фоновом ограничении [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 4. - С. 96 . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки КРТ; пленки КРТ МЛЭ; молекулярно-лучевая эпитаксия; объемные кристаллы КРТ; фоновое излучение; депонированные статьи в ВИНИТИ; неравновесная фотопроводимость Аннотация: В статье представлены результаты экспериментального исследования влияния фонового излучения на фотоэлектрические и электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Доп.точки доступа: Коханенко, А. П.; Филатов, М. Ф. |
62 Б 874 Брандт, Н. Б. Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме - Al[0, 5]Ga[05]As/GaAs/Al[05]Ga[05]As с нормальной и инвертированной гетерограницами [Текст] / Н. Б. Брандт, Е. В. Богданов [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2006. - N 5. - С. 48-52. - Библиогр.: c. 52 (9 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Техника--Общие вопросы техники Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная фотопроводимость; двойная гетероструктура; отрицательная фотопроводимость; положительная фотопроводимость; электронные ловушки; активационный барьер; одноосное сжатие (техника) Аннотация: В двойной гетероструктуре p-Al[0, 5]Ga[05]As/GaAs/Al[05]Ga[05]As с нормальной и инвертированной гетерограницами при низких температурах 1. 7-160 К обнаружены эффекты отрицательной и положительной задержанной фотопроводимости. Показано, что отрицательная фотопроводимость возникает под освещением структуры красным светом, существует ниже 70 К, связана с падением концентрации 2D-дырок и объясняется существованием вблизи гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E[b]=6 +0. 9 мэВ. Положительная задержанная фотопроводимость возникает после выключения освещения и релаксации отрицательной фотопроводимости, она определяет изменение концентрации 2D-дырок в области температур 70-140 К и связывается с электронными ловушками на инвертированной гетерогранице с активационным барьером 22+2 мэВ. Влияние одноосного сжатия на величину термоактивационных барьеров не обнаружено. Доп.точки доступа: Богданов, Е. В.; Ильевский, А. А.; Краак, В.; Минина, Н. Я. |
539.2 К 124 Кабышев, А. В. Влияние имплантации ионов титана и газовой среды на электрофизические свойства оксида алюминия [Текст] / А. В. Кабышев, авт. Ф. В. Конусов // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 6. - С. 57-61. - Библиогр.: c. 60-61 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; ионная имплантация; ионное облучение; ионно-термическая модификация; кислородосодержащие комплексы; оксид алюминия; отжиг; полупроводящие покрытия; титан; фотопроводимость; электроперенос Аннотация: Исследованы энергетические и кинетические характеристики темновой и фотопроводимости поликристаллического оксида алюминия, облученного ионами титана, до и после отжига в вакууме и на воздухе. Определено влияние температуры на стабильность свойств и механизмы электропереноса. При изменении давления воздуха от 10{5} до 1 Pa наблюдается устойчивая обратимость электрофизических свойств. Отжигом в вакууме на поверхности оксида алюминия может быть сформировано полупроводящее покрытие, которое при нагреве на воздухе вновь приобретает свойства диэлектрика. Возможен и обратный переход. Такие изменения связываются с дефектообразованием, накоплением кислородсодержащих комплексов и изменением стехиометрического состава синтезированных при ионно-термической модификации соединений. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/06/p57-61.pdf Доп.точки доступа: Конусов, Ф. В. |
621.3 Д 131 Давиденко, Н. А. Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерный Cu (II) /Mn (II) комплекс, в присутствии ионных полиметиновых красителей [Текст] / Н. А. Давиденко, В. Н. Кокозей [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 654-660 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полимерные композиты -- гетерополиядерный комплекс -- ионные полиметиновые красители -- электропроводимость -- фотопроводимость Аннотация: Исследованы электро- и фотопроводящие свойства полимерных композитов с добавками гетерополиядерного комплекса Cu (II) /Mn (II) в сравнении с ацетатом меди и оксалатом марганца. В видимой области света внутренний фотоэффект усиливается при введении в состав композитов органических полиметиновых красителей, способных к фотогенерации дырок или электронов, а также доноров или акцепторов, обеспечивающих транспорт носителей заряда в нейтральном полимерном связующем. Сделано предположение о наличии состояний для рекомбинации носителей заряда на поверхности частиц гетерополиядерного комплекса. Доп.точки доступа: Кокозей, В. Н.; Ищенко, А. А.; Безнищенко, А. А.; Маханькова, В. Г.; Спицына, Н. Г.; Лобач, А. С.; Давиденко, И. И.; Попенака, А. Н. |